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23K256T是一款256Kbit的低功耗SPI串行SRAM，支持32字节页面模式，具有灵活的工作模式，包括字节读写、页面模式和顺序模式。工作电压范围为2.7V至3.6V，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。

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型号：47C04-I/ST 编号：C1350981

封装：TSSOP-8

47C04是一款4Kbit SRAM，带有EEPROM备份。该设备组织为512x8位或2,048x8位的内存，并利用I2C串行接口。47C04提供无限次读写SRAM，同时EEPROM单元提供高耐久性的非易失性数据存储。当外部电容器检测到电源丢失时，SRAM数据会自动传输到EEPROM。

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型号：23A640-I/ST 编号：C1352408

封装：TSSOP-8

23X640 是 64 Kbit 的串行 SRAM 器件。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：23A256-I/SN 编号：C615089

封装：SOIC-8

23A256 是一款256-Kbit SPI Bus Low-Power Serial SRAM，支持32字节页模式和顺序模式读写操作，具有低功耗CMOS技术。

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型号：23LCV1024-I/ST 编号：C1523877

封装：TSSOP-8

23LCV1024是一款1 Mbit的SPI串行SRAM，支持电池备份和SDI接口。该设备采用低功耗CMOS技术，支持无限次读写操作，具有外部电池备份支持，零写入时间，128K x 8-Bit组织结构，支持字节、页和顺序模式读写操作，具有高可靠性。工作温度范围为-40°C至+85°C。

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型号：71V016SA10PHG8 编号：C2062325

封装：TSOPII-44-10.2mm

71V016SA是一款1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为64K x 16-Bit。它使用高性能、高可靠性的CMOS技术制造，提供了一种经济高效的高速内存解决方案。支持3.3V供电，适用于商业和工业温度范围。

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型号：IS63LV1024L-10TLI 编号：C28179

封装：TSOP-32-10.2mm

128Kx8bit High-Speed CMOS STATIC RAM

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型号：CY62128ELL-45ZXIT 编号：C2953218

封装：TFSOP-32

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型号：IS62WV12816BLL-45TLI 编号：C1351971

封装：TSOPII-44-10.2mm

IS62WV12816ALL/IS62WV12816BLL是高速2M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：71024S15TYGI8 编号：C2060996

封装：SOJ-32

IDT71024是一款1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8-Bit。采用高性能高可靠性的CMOS技术，提供成本有效的高速存储解决方案。支持商业（0°C到+70°C）和工业（-40°C到+85°C）温度范围。

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型号：CY7C1021D-10VXIT 编号：C2952328

封装：BSOJ-44

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型号：IS61WV25616BLL-10TL 编号：C1351193

封装：TSOPII-44-10.2mm

IS61WV25616Axx/Bxx和IS64WV25616Bxx是高速4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为262,144字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：CY7C1041G30-10ZSXIT 编号：C2952381

封装：TSOPII-44

高性能CMOS快速静态RAM设备，带有嵌入式ECC。提供单芯片使能选项和多种引脚配置。在CY7C1041GE设备中，ERR引脚会在读取周期中发出错误检测和纠正事件的信号。数据写入通过将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平来执行，同时在I/O₀至I/O₁₅上提供数据，并在A₀至A₁₇引脚上提供地址

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型号：CY62138FV30LL-45ZAXI 编号：C2953730

封装：TFSOP-32

CY62138FV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM)，组织为256K x 8-Bit。该设备采用先进的电路设计，提供超低功耗和非常高的速度（45 ns）。它具有自动断电功能，当未选中时可显著降低功耗。工作电压范围为2.20V至3.60V，适用于工业和汽车环境。

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型号：CY7C1019DV33-10VXI 编号：C2953587

封装：BSOJ-32

CY7C1018DV33和CY7C1019DV33是高性能CMOS静态RAM，组织为131,072个字节，每个字节8-Bit。提供多种封装选项，包括Pb-free 32-pin 400-Mil宽的Molded SOJ，32-pin TSOP II和48-ball VFBGA。具有高速、低功耗和自动电源关闭功能。

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型号：CY7C1049GN30-10VXI 编号：C2955761

封装：BSOJ-36

CY7C1049GN是一款高性能CMOS快速静态RAM，组织为512K字节×8-Bit。具有高速读写能力，低功耗，支持多种供电电压范围。

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型号：R1LP0408DSP-5SI#B1 编号：C6749479

封装：SOP-32

是一系列4Mbit静态随机存取存储器，采用512k字×8位结构，由高性能CMOS和TFT技术制造。实现了更高的密度、性能和低功耗，提供低功耗待机功耗，适用于电池备份系统。提供32引脚SOP和32引脚TSOP封装。

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型号：RMLV0816BGSB-4S2#AA0 编号：C1350494

封装：TSOPII-44-10.2mm

RMLV0816BGSB 是一款8Mbit静态RAM，组织为524,288字×16-Bit，采用Renesas高性能Advanced LPSRAM技术制造。它实现了更高的密度、性能和低功耗。RMLV0816BGSB 提供了低功耗待机功耗，适用于电池备份系统。提供44引脚TSOP (II)封装。

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￥39.5736 ￥44.97
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型号：71V424S10PHG 编号：C1348754

封装：TSOPII-44-10.2mm

IDT71V424S是一款4兆-Bit（512K x 8-Bit）的高速静态随机存取存储器，采用高性能高可靠性的CMOS技术制造。该器件具有单3.3V供电，低功耗，全静态异步电路，无需时钟或刷新即可工作。封装形式包括36引脚400mil塑料SOJ和44引脚400milTSOP。

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型号：23AA04M-I/SN 编号：C27585175

封装：SOIC-8

是一款4 Mbit串行SRAM设备，通过简单的SPI兼容串行总线访问内存。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过片选（CS）输入控制对设备的访问。此外，如果应用需要更高的数据速率，还支持SDI（串行双接口）和SQI（串行四接口）。该设备还支持对存储阵列进行无限次读写。

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型号：RMLV1616AGSA-5S2#AA0 编号：C1351479

封装：TSOPI-48

RMLV1616A系列是16Mbit静态RAM，组织为1,048,576字×16-Bit，采用Renesas高性能Advanced LPSRAM技术。该系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。RMLV1616A系列具有低功耗待机功耗，适用于电池备份系统。提供48引脚TSOP (I)、52引脚μTSOP (II)或48球细间距球栅阵列封装。

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型号：RMLV0416EGSB-4S2#HA1 编号：C2062188

封装：TSOPII-44-10.2mm

RMLV0416E系列是4-Mbit静态RAM，组织为262,144字 × 16-Bit，采用Renesas的高性能Advanced LPSRAM技术制造。该系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。RMLV0416E系列提供了低功耗待机功耗。

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型号：IS61WV102416BLL-10TLI 编号：C28124

封装：TSOPI-48

16-Mbit(1M x 16bit)，并行接口，工作电压：2.4V to 3.6V

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型号：IS64WV25616EDBLL-10CTLA3 编号：C1352580

封装：TSOPII-44-10.2mm

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型号：IS64WV25616BLL-10CTLA3-TR 编号：C2064489

封装：TSOPII-44-10.2mm