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23K256 是一款256-Kbit SPI Bus Low-Power Serial SRAM，支持32字节页模式和顺序模式读写操作，具有低功耗CMOS技术。

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型号：CY7C1011DV33-10ZSXIT 编号：C2952444

封装：TSOPII-44

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型号：CY62146EV30LL-45ZSXI 编号：C466866

封装：TSOPII-44-10.2mm

CY62146EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为256K words by 16 bits。该设备具有超低活动电流和宽电压范围，适用于便携式应用如手机等。自动断电功能可在未选中时节省超过99%的功耗。

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型号：CY62157EV30LL-45ZSXIT 编号：C511140

封装：TSOPII-44-10.2mm

CY62157EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为512K x 16或1M x 8。该设备具有超低功耗特性，适用于便携式设备如手机。它支持自动断电功能，可在不切换地址时显著降低功耗。工作电压范围为2.2V至3.6V，温度范围包括工业级（-40°C至+85°C）和汽车级（-40°C至+125°C）。

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型号：IS66WV51216EBLL-55TLI 编号：C1348810

封装：TSOP-44-10.2mm

IS66WV51216EALL和IS66/67WV51216EBLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它们采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：CY7C1041G30-10ZSXE 编号：C2948416

封装：TSOPII-44

CY7C1041G是一款高性能CMOS快速静态随机存取存储器（RAM）汽车级器件，内置纠错码（ECC）功能。该器件具有一个片选（CE）输入，通过将其置为低电平来访问器件。数据写入操作通过将写使能（WE）输入置为低电平来执行，同时在I/O₀至I/O₁₅引脚上提供数据，并在A₀至A₁₇引脚上提供地址

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型号：RMLV1616AGSA-5S2#AA0 编号：C1351479

封装：TSOPI-48

RMLV1616A系列是16Mbit静态RAM，组织为1,048,576字×16-Bit，采用Renesas高性能Advanced LPSRAM技术。该系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。RMLV1616A系列具有低功耗待机功耗，适用于电池备份系统。提供48引脚TSOP (I)、52引脚μTSOP (II)或48球细间距球栅阵列封装。

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型号：CY7C1061GE30-10ZSXI 编号：C2953949

封装：TSOPII-54

CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式错误校正码(ECC)。这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项，支持多种封装。

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型号：70V261L25PFGI 编号：C1351184

封装：TQFP-100(14x14)

IDT70V261是一款高速16K x 16双端口静态随机存取存储器（SRAM）。IDT70V261既可以用作独立的256K位双端口RAM，也可以在32位及以上字长的系统中作为主/从双端口RAM组合使用。在32位或更宽的内存系统应用中采用IDT主/从双端口RAM方案，可实现全速、无差错运行，无需额外的分立逻辑器件

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型号：47C04-I/ST 编号：C1350981

封装：TSSOP-8

47C04是一款4Kbit SRAM，带有EEPROM备份。该设备组织为512x8位或2,048x8位的内存，并利用I2C串行接口。47C04提供无限次读写SRAM，同时EEPROM单元提供高耐久性的非易失性数据存储。当外部电容器检测到电源丢失时，SRAM数据会自动传输到EEPROM。

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型号：23A640-I/ST 编号：C1352408

封装：TSSOP-8

23X640 是 64 Kbit 的串行 SRAM 器件。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：47L04-I/ST 编号：C1348825

封装：TSSOP-8

47L04/47C04/47L16/47C16（47XXX）是一款带EEPROM备份的4/16 Kbit SRAM。该器件的存储器组织形式为512×8位或2048×8位，并采用I²C串行接口。47XXX可为SRAM提供无限的读写周期，而EEPROM单元则可实现数据的高耐久性非易失性存储

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型号：23K256-I/ST 编号：C148006

封装：TSSOP-8

23K256-I/ST 是一款256Kb的低功耗串行SRAM，通过SPI总线进行访问。支持32字节的页模式操作，工作电压为2.7-3.6V，适用于工业级温度范围（-40℃至+85℃）。采用8引脚TSSOP封装。

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型号：71V016SA10PHG8 编号：C2062325

封装：TSOPII-44-10.2mm

71V016SA是一款1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为64K x 16-Bit。它使用高性能、高可靠性的CMOS技术制造，提供了一种经济高效的高速内存解决方案。支持3.3V供电，适用于商业和工业温度范围。

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型号：IS61WV25616EDBLL-10BLI 编号：C1349085

封装：TFBGA-48(6x8)

IS61/64WV25616EDBLL 是一款高速的 4,194,304 位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为 262,144 字×16 位。它采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：IS61WV25616BLL-10TL 编号：C1351193

封装：TSOPII-44-10.2mm

IS61WV25616Axx/Bxx和IS64WV25616Bxx是高速4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为262,144字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：CY62128ELL-45ZXIT 编号：C2953218

封装：TFSOP-32

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型号：CY7C1021D-10VXIT 编号：C2952328

封装：BSOJ-44

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型号：CY62138FV30LL-45ZAXI 编号：C2953730

封装：TFSOP-32

CY62138FV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM)，组织为256K x 8-Bit。该设备采用先进的电路设计，提供超低功耗和非常高的速度（45 ns）。它具有自动断电功能，当未选中时可显著降低功耗。工作电压范围为2.20V至3.60V，适用于工业和汽车环境。

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￥33.36 ￥41.7
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￥25.256 ￥36.08
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型号：CY7C1399BN-12VXIT 编号：C2959513

封装：BSOJ-28

CY7C1399BN是高性能3.3V CMOS静态RAM，组织为32,768字×8位。通过有源低电平芯片使能 (CE)、有源低电平输出使能 (OE) 和三态驱动器，可轻松进行内存扩展。该器件具有自动掉电功能，在未选中时可将功耗降低95%以上。

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型号：RMLV0416EGSB-4S2#HA1 编号：C2062188

封装：TSOPII-44-10.2mm

RMLV0416E系列是4-Mbit静态RAM，组织为262,144字 × 16-Bit，采用Renesas的高性能Advanced LPSRAM技术制造。该系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。RMLV0416E系列提供了低功耗待机功耗。

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￥36.6489 ￥85.23
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￥26.8587 ￥81.39
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型号：IS61LV5128AL-10TLI 编号：C40493

封装：TSOPII-44-10.2mm

4-Mbit(512K × 8bit)，并行接口，工作电压：3.3V

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型号：RMLV0416EGSB-4S2#AA1 编号：C1350720

封装：TSOPII-44-10.2mm

RMLV0416E系列是4-Mbit静态RAM，组织为262,144字 × 16-Bit，采用Renesas的高性能Advanced LPSRAM技术制造。该系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。RMLV0416E系列提供了低功耗待机功耗。

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型号：CY7C1049GN30-10VXI 编号：C2955761

封装：BSOJ-36

CY7C1049GN是一款高性能CMOS快速静态RAM，组织为512K字节×8-Bit。具有高速读写能力，低功耗，支持多种供电电压范围。

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￥40.928 ￥51.16
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￥30.982 ￥44.26
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￥24.036 ￥40.06
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￥21.924 ￥36.54

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型号：RMLV0816BGSB-4S2#AA0 编号：C1350494

封装：TSOPII-44-10.2mm

RMLV0816BGSB 是一款8Mbit静态RAM，组织为524,288字×16-Bit，采用Renesas高性能Advanced LPSRAM技术制造。它实现了更高的密度、性能和低功耗。RMLV0816BGSB 提供了低功耗待机功耗，适用于电池备份系统。提供44引脚TSOP (II)封装。

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￥42.7215 ￥44.97
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￥37.3745 ￥43.97
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￥31.9725 ￥42.63

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型号：71V424S10PHG 编号：C1348754

封装：TSOPII-44-10.2mm

IDT71V424S是一款4兆-Bit（512K x 8-Bit）的高速静态随机存取存储器，采用高性能高可靠性的CMOS技术制造。该器件具有单3.3V供电，低功耗，全静态异步电路，无需时钟或刷新即可工作。封装形式包括36引脚400mil塑料SOJ和44引脚400milTSOP。

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￥47.9135 ￥60.65
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￥33.9191 ￥57.49

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型号：CY7C1049G-10VXIT 编号：C2953024

封装：BSOJ-36

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￥50.86
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型号：CY62167ELL-45ZXI 编号：C2950509

封装：TSOPI-48

CY62167E是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字×16-Bit/2M字×8-Bit。该设备具有先进的电路设计，提供超低功耗和高读写速度，适用于便携式应用。工作电压范围为4.5V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

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￥78.29
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型号：23K640-I/SN 编号：C1349909

封装：SOIC-8

23X640 是 64 Kbit 的串行 SRAM 器件。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：23A640-I/SN 编号：C1351098

封装：SOIC-8