SRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：TFBGA-48

IS61WV25616Axx/Bxx和IS64WV25616Bxx是高速4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为262,144字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：IS62WV51216HBLL-45TLI 编号：C7211338

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WV51216HALL/BLL是高速、低功耗的8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高可靠性的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：IS62WV51216EALL-55TLI 编号：C1352315

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：CY7C13451G-100BZXE 编号：C2955574

封装：FBGA-165(13x15)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：IS62LV256AL-45TLI 编号：C1350442

封装：TSOPI-28

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65LV256AL是一款超高速、低功耗的32768字×8位静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，使得最大存取时间最快可达15 ns

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￥8.865 ￥11.82
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型号：CY62128ELL-45ZAXI 编号：C2950636

封装：TFSOP-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62128E是一款高性能CMOS静态RAM，组织为128K字节×8-Bit。该设备采用先进的电路设计，提供超低活动电流，适用于便携式应用。具有自动断电功能，可显著降低未切换地址时的功耗。

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型号：CY62148ELL-45ZSXIT 编号：C2952831

封装：TSOP-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62148E 是一款高性能 CMOS 静态 RAM，组织为 512K 字 × 8 -Bit。该设备具有超低待机电流，非常适合便携式应用。它还具有自动断电功能，当地址未切换时显著降低功耗。将设备置于待机模式（CE 高电平）可使功耗降低超过 99%。

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型号：CY62167EV18LL-55BVXI 编号：C2944451

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

该CY62167EV18是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字x16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合为诸如蜂窝电话等便携式应用提供更长的电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能，当地址不切换时，可将功耗降低99%。

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￥50.6961 ￥129.99
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￥37.6971 ￥129.99
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型号：CY7C1061G30-10ZSXI 编号：C2959389

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式错误校正码(ECC)。这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项，支持多种封装。

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型号：M48T58Y-70PC1 编号：C5269724

封装：PDIP-28

品牌：ST(意法半导体)

5.0 V，64 Kbit (8 Kb x 8) 计时员静态随机存储器

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型号：70V05L20PFGI 编号：C1351187

封装：TQFP-64(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

IDT70V05是一款高速8K x 8双端口静态随机存取存储器（SRAM）。该器件既可以作为独立的64K位双端口SRAM使用，也可以在16位或更高位宽字长的系统中，组合成主/从双端口SRAM使用。在16位或更宽的存储系统应用中采用IDT主/从双端口SRAM方案，无需额外的分立逻辑，即可实现全速、无差错运行

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￥405.62
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型号：23A256-I/SN 编号：C615089

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23A256 是一款256-Kbit SPI Bus Low-Power Serial SRAM，支持32字节页模式和顺序模式读写操作，具有低功耗CMOS技术。

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￥12.42
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型号：IS61C6416AL-12TLI 编号：C1348981

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61C6416AL、IS62C6416AL、IS64C6416AL和IS65C6416AL是高速1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为65,536字×16位。它们采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗下最快达12 ns的存取时间

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￥18.62
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￥15.62
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￥13.74

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型号：CY7C1041G30-10ZSXI 编号：C2944680

封装：TSOP-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1041G是一款4兆-Bit（256K字×16-Bit）高速静态随机存取存储器，带有错误检测和纠正功能（ECC）。支持单字节和双字节访问，工作电压范围为1.65V至2.2V，2.2V至3.6V，以及4.5V至5.5V。具备低功耗特性，适用于工业级应用。

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￥18.81
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￥16.1
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￥14.48

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型号：71024S15TYGI8 编号：C2060996

封装：SOJ-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

IDT71024是一款1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8-Bit。采用高性能高可靠性的CMOS技术，提供成本有效的高速存储解决方案。支持商业（0°C到+70°C）和工业（-40°C到+85°C）温度范围。

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￥24.04
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￥21.3668 ￥23.48
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￥18.4113 ￥22.73

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型号：CY7C1041G30-10ZSXIT 编号：C2952381

封装：TSOPII-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

高性能CMOS快速静态RAM设备，带有嵌入式ECC。提供单芯片使能选项和多种引脚配置。在CY7C1041GE设备中，ERR引脚会在读取周期中发出错误检测和纠正事件的信号。数据写入通过将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平来执行，同时在I/O₀至I/O₁₅上提供数据，并在A₀至A₁₇引脚上提供地址

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￥27.31
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型号：IS61WV5128EDBLL-10TLI 编号：C1349067

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV5128EDBLL是高速4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为524,288字×8位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥30.2841 ￥30.59
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￥26.0469 ￥26.31
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￥19.2951 ￥19.49

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型号：CY14V101QS-SE108XIT 编号：C2953379

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥34.7292 ￥52.62
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￥29.4672 ￥52.62
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￥24.2052 ￥52.62

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型号：CY7C1019DV33-10VXI 编号：C2953587

封装：BSOJ-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1018DV33和CY7C1019DV33是高性能CMOS静态RAM，组织为131,072个字节，每个字节8-Bit。提供多种封装选项，包括Pb-free 32-pin 400-Mil宽的Molded SOJ，32-pin TSOP II和48-ball VFBGA。具有高速、低功耗和自动电源关闭功能。

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￥37.4049 ￥54.21
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￥27.6769 ￥46.91
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￥20.8005 ￥42.45
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￥18.9728 ￥38.72

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型号：M48T08-150PC1 编号：C2970273

封装：PCDIP-28

品牌：ST(意法半导体)

5 V、64 Kbit (8 Kb x 8) 计时员静态随机存储器

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￥187.55
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￥178.06

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型号：23K256T-I/ST 编号：C2653520

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23K256T是一款256Kbit的低功耗SPI串行SRAM，支持32字节页面模式，具有灵活的工作模式，包括字节读写、页面模式和顺序模式。工作电压范围为2.7V至3.6V，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。

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￥6.9
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￥6.74
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￥6.63

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型号：IS62WV1288BLL-55QLI 编号：C1351025

封装：SOP-32-11.3mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV1288ALL / IS62/65WV1288BLL是高速1M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K字×8位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥8.296 ￥12.2
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￥6.9194 ￥11.93
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￥5.64 ￥11.75
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￥5.5536 ￥11.57

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型号：23K256-I/SN 编号：C219986

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23K256是一款256Kbit的低功耗SPI串行SRAM，支持32字节页面模式，具有灵活的工作模式，包括字节读写、页面模式和顺序模式。工作电压范围为2.7V至3.6V，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。

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￥9.57
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￥7.95
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￥7.06

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型号：IS61C256AL-12JLI-TR 编号：C2062861

封装：SOJ-28

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61C256AL是一款超高速、低功耗的32,768字×8位静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS技术制造。这种高可靠性的工艺与创新的电路设计技术相结合，使得最大访问时间最快可达10 ns

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￥12.56
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￥10.75
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￥9.62

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型号：CY62256NLL-55ZXIT 编号：C2759940

封装：TSOPI-28

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62256N是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织为32K字节 x 8-Bit。支持自动掉电功能，当未选中时可降低99.9%的功耗。工作电压范围为4.5V至5.5V，写入/读取操作由低电平有效的写使能信号(WE)控制。提供多种封装选项，包括28-pin PDIP、28-pin SOIC、28-pin TSOP I和28-pin reverse TSOP I。

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￥13.68
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￥13.39
30+
￥13.2

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型号：IS61C25616AL-10TLI 编号：C1353475

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61C25616AL/AS 和 IS64C25616AL/AS 是高速的 4,194,304 位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 262,144 字×16 位。它们采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗下最快达 12 ns 的存取时间

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