SRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS62C256AL-45TLI 编号：C47143

封装：TSOPI-28

品牌：ISSI(美国芯成)

256-Kbit(32K x 8bit)，并行接口，工作电压：5V

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型号：23K256-E/SN 编号：C615092

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23K256 是一款256-Kbit SPI Bus Low-Power Serial SRAM，支持32字节页模式和顺序模式读写操作，具有低功耗CMOS技术。

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型号：CY7C1041GN30-10ZSXI 编号：C511134

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1041GN 是高性能 CMOS 快速静态随机存取存储器，组织形式为 256K 字×16 位。数据写入操作通过将片选信号（CE(overline)）和写使能信号（WE(overline)）输入置为低电平来执行，同时在 I/O₀ 至 I/O₁₅ 引脚上提供数据，并在 A₀ 至 A₁₇ 引脚上提供地址。高位字节使能（BHE）和低位字节使能（BLE）输入控制对指定存储单元的高字节和低字节的写操作

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型号：CY62157EV30LL-45ZSXIT 编号：C511140

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62157EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为512K x 16或1M x 8。该设备具有超低功耗特性，适用于便携式设备如手机。它支持自动断电功能，可在不切换地址时显著降低功耗。工作电压范围为2.2V至3.6V，温度范围包括工业级（-40°C至+85°C）和汽车级（-40°C至+125°C）。

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型号：CY62167EV30LL-45ZXI 编号：C115715

封装：TSOP-48-12.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62167EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1M字×16位或2M字×8位。该器件采用先进的电路设计，可实现超低工作电流。超低工作电流非常适合在手机等便携式应用中延长电池续航时间（MoBL）

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型号：CY62157EV18LL-55BVXI 编号：C2947425

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：M48Z58Y-70MH1F 编号：C2062195

封装：SOP-28-8.9mm

品牌：ST(意法半导体)

M48Z58Y 是一款 8 Kbit x 8 非易失性静态 RAM，集成了电源故障选择电路和电池控制逻辑。它在单个芯片上提供了超低功耗的 SRAM 功能。

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￥68.04 ￥113.4
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型号：CY7C13451G-100BZXE 编号：C2955574

封装：FBGA-165(13x15)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：IS62WV102416EBLL-45BLI-TR 编号：C2064146

封装：VFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

是低功耗、16M位静态随机存取存储器，组织为1024K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能和低功耗的器件。当CS1为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中）或CS1为低电平、CS2为高电平且LB和UB均为高电平时，器件进入待机模式，此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过使用芯片使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。数据字节允许访问上字节 (UB) 和下字节 (LB)。采用JEDEC标准48引脚BGA (6mm x 8mm) 封装。

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￥120.92
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型号：IS61WV102416DBLL-10TLI 编号：C1348726

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV102416DALL/BLL是高速16M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1024K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺结合创新的电路设计技术，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：M48Z08-100PC1 编号：C1348748

封装：DIP-28

品牌：ST(意法半导体)

M48Z08/18 是8Kx8非易失性静态RAM，具有电池备份功能，能够在系统断电时保持数据。该芯片与DS1225兼容，支持无限次写入。工作电压为4.75至5.5V，适用于工业温度范围。

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￥151.5934 ￥184.87
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￥133.1064 ￥184.87
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型号：CY7C1061GE30-10ZSXI 编号：C2953949

封装：TSOPII-54

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式错误校正码(ECC)。这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项，支持多种封装。

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型号：M48Z12-70PC1 编号：C1348860

封装：PDIP-24

品牌：ST(意法半导体)

M48Z12是一款2K x 8的非易失性静态RAM，具有电池备份功能，能够在断电情况下保持数据长达10年。它与DS1220兼容，支持无限次写入，读写周期时间相同，具有自动电源失效保护功能。

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型号：70V261L25PFGI 编号：C1351184

封装：TQFP-100(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

IDT70V261是一款高速16K x 16双端口静态随机存取存储器（SRAM）。IDT70V261既可以用作独立的256K位双端口RAM，也可以在32位及以上字长的系统中作为主/从双端口RAM组合使用。在32位或更宽的内存系统应用中采用IDT主/从双端口RAM方案，可实现全速、无差错运行，无需额外的分立逻辑器件

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型号：IS62WV1288BLL-55QLI 编号：C1351025

封装：SOP-32-11.3mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV1288ALL / IS62/65WV1288BLL是高速1M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K字×8位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥7.442 ￥12.2
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￥6.0843 ￥11.93
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型号：IS61C256AL-12JLI-TR 编号：C2062861

封装：SOJ-28

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61C256AL是一款超高速、低功耗的32,768字×8位静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS技术制造。这种高可靠性的工艺与创新的电路设计技术相结合，使得最大访问时间最快可达10 ns

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￥8.6086 ￥9.46
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￥5.1597 ￥6.37

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型号：IS61LV256AL-10TLI-TR 编号：C2062662

封装：TSOPI-28

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61LV256AL是一款超高速、低功耗的32,768字×8位静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，使得最大访问时间最快可达8 ns

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￥9.09

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型号：CY62256NLL-55ZXIT 编号：C2759940

封装：TSOPI-28

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62256N是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织为32K字节 x 8-Bit。支持自动掉电功能，当未选中时可降低99.9%的功耗。工作电压范围为4.5V至5.5V，写入/读取操作由低电平有效的写使能信号(WE)控制。提供多种封装选项，包括28-pin PDIP、28-pin SOIC、28-pin TSOP I和28-pin reverse TSOP I。

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￥13.39
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型号：CY62128EV30LL-45ZXI 编号：C2944850

封装：TFSOP-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62128EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM）模块，组织形式为128K字×8位。该器件采用先进的电路设计，可实现超低工作电流。这使其非常适合在诸如移动电话等便携式应用中延长电池续航时间（MoBL@）

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型号：IS61WV25616EDBLL-10BLI 编号：C1349085

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV25616EDBLL 是一款高速的 4,194,304 位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为 262,144 字×16 位。它采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥17.73

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型号：IS61C6416AL-12TLI 编号：C1348981

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61C6416AL、IS62C6416AL、IS64C6416AL和IS65C6416AL是高速1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为65,536字×16位。它们采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗下最快达12 ns的存取时间

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