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23LCV512 是一款 512 Kbit 的 SPI 串行 SRAM，支持外部电池备份和 SDI 接口。该设备支持无限次读写操作，具有低功耗 CMOS 技术，适用于工业温度范围。

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型号：IS61LV6416-10TLI 编号：C2940532

封装：TSOPII-44-10.2mm

IS61LV6416/IS61LV6416L是一款高速1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为65,536字×16位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗下最快8 ns的存取时间

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型号：IS62WV5128EBLL-45HLI 编号：C1348955

封装：STSOP-32-11.8mm

IS62/65WV5128EALL/BLL/CLL是高速4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：23LC1024-I/ST 编号：C1523870

封装：TSSOP-8

23LC1024是一款1 Mbit SPI兼容的串行SRAM，支持SDI（双线）和SQI（四线）接口。该设备通过简单的SPI兼容串行总线访问内存，支持无限次读写操作，零写入时间，以及字节、页和顺序模式的读写操作。

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型号：IS61LV25616AL-10TL 编号：C16001

封装：TSOP-44-10.2mm

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V

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型号：CY62167EV30LL-45ZXIT 编号：C511152

封装：TSOP-48-12.2mm

CY62167EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字节×16-Bit或2M字节×8-Bit。该设备具有先进的电路设计，提供超低功耗和高速度，适用于汽车应用。

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型号：IS61WV102416ALL-20TLI 编号：C1353007

封装：TSOPI-48

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型号：71321LA25PFGI 编号：C1350091

封装：TQFP-64(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

IDT71321/IDT71421 是高速 2K x 8 双端口静态 RAM，内置中断逻辑，用于处理器间通信。

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型号：CY7C1041GN30-10ZSXIT 编号：C462529

封装：TSOPII-44-10.2mm

CY7C1041GN 是高性能 CMOS 快速静态随机存取存储器，组织形式为 256K 字×16 位。数据写入操作通过将片选信号（CE(overline)）和写使能信号（WE(overline)）输入置为低电平来执行，同时在 I/O₀ 至 I/O₁₅ 引脚上提供数据，并在 A₀ 至 A₁₇ 引脚上提供地址。高位字节使能（BHE）和低位字节使能（BLE）输入控制对指定存储单元的高字节和低字节的写操作

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型号：CY7C1061GN30-10ZSXI 编号：C1353032

封装：TSOPII-54

CY7C1061GN30-10ZSXI是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织为1,048,576字节×16-Bit。最高访问时间为10ns/15ns，工作电压范围为2.2V至3.6V。

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型号：IS61WV10248EDBLL-10TLI 编号：C1349228

封装：TSOPII-44-10.2mm

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型号：RMWV6416AGSD-5S2#AA0 编号：C5884752

封装：TSOPII-52

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RMWV6416A系列是一组64 Mbit的静态随机存取存储器（SRAM），采用高性能高级低功耗静态随机存取存储器（LPSRAM）技术制造，其存储结构为4,194,304字×16位。RMWV6416A系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。该系列具有低功耗待机模式，因此适用于电池备份系统

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型号：IS62C256AL-45TLI 编号：C47143

封装：TSOPI-28

256-Kbit(32K x 8bit)，并行接口，工作电压：5V

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型号：CY62157EV30LL-45BVXI 编号：C2944603

封装：VFBGA-48

CY62157EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为512K字节x16-Bit或1M字节x8-Bit。该器件具有先进的电路设计，可提供超低功耗。适用于便携式设备，如手机。支持自动断电功能，可显著降低功耗。

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型号：23LCV1024-I/SN 编号：C615097

封装：SOIC-8

23LCV1024是一款1 Mbit SPI串行SRAM，支持外部电池备份和SDI接口。该设备支持无限次读写操作，具有低功耗CMOS技术，工作电压范围为2.5V至5.5V，最高时钟频率为20 MHz。支持字节、页和顺序模式读写操作。

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型号：IS62WV25616BLL-55TLI-TR 编号：C76487

封装：TSOPII-44-10.2mm

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V

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型号：CY62148EV30LL-45ZSXI 编号：C2959462

封装：SOIC-32

是高性能CMOS静态RAM，组织为512K字×8位。该设备采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用（如手机）中提供更长的电池续航时间。该设备还具有自动掉电功能，可显著降低功耗。当设备被取消选择（CE为高电平）时，将其置于待机模式可使功耗降低99%以上

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型号：CY62167EV30LL-45ZXI 编号：C115715

封装：TSOP-48-12.2mm

CY62167EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1M字×16位或2M字×8位。该器件采用先进的电路设计，可实现超低工作电流。超低工作电流非常适合在手机等便携式应用中延长电池续航时间（MoBL）

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单价：
￥41.2 / 个

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型号：CY7C1049DV33-10ZSXIT 编号：C3018881

封装：TSOPII-44-10.2mm

是高性能CMOS静态随机存储器，组织形式为512K字×8位。通过低电平有效芯片使能 (CE)、低电平有效输出使能 (OE) 和三态驱动器，可轻松进行内存扩展。可通过将芯片使能 (CE) 和写使能 (WE) 输入置为低电平来写入设备。在地址引脚指定的位置上，8个IO引脚 (IO0至IO7) 上的数据将被写入

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型号：CY7C1021DV33-10ZSXIT 编号：C2759921

封装：TSOPII-44-10.2mm

CY7C1021DV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为65,536字×16位。该器件具备自动掉电功能，在未被选中时可显著降低功耗。向该器件写入数据时，需将片选信号（CE(overline)）和写使能信号（WE）置为低电平

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型号：K6T1008C2E-GB70 编号：C22437427

封装：-

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：CY7C1041GN30-10ZSXI 编号：C511134

封装：TSOPII-44-10.2mm

CY7C1041GN 是高性能 CMOS 快速静态随机存取存储器，组织形式为 256K 字×16 位。数据写入操作通过将片选信号（CE(overline)）和写使能信号（WE(overline)）输入置为低电平来执行，同时在 I/O₀ 至 I/O₁₅ 引脚上提供数据，并在 A₀ 至 A₁₇ 引脚上提供地址。高位字节使能（BHE）和低位字节使能（BLE）输入控制对指定存储单元的高字节和低字节的写操作

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型号：IS66WVS4M8ALL-104NLI 编号：C17645790

封装：SOIC-8

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￥27.1

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型号：RMLV0408EGSA-4S2#AA1 编号：C5862630

封装：TSOPI-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RMLV0408E系列是一组4 Mbit静态随机存取存储器（SRAM），采用高性能高级低功耗静态随机存取存储器（LPSRAM）技术制造，其组织形式为524,288字×8位。RMLV0408E系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。该系列具备低功耗待机功耗特性，因此适用于电池备份系统

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￥52.02
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￥45.01
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￥40.74

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型号：CY62167DV30LL-55BVXIT 编号：C2953121

封装：VFBGA-48

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型号：IS62WV102416EBLL-45BLI-TR 编号：C2064146

封装：VFBGA-48(6x8)

是低功耗、16M位静态随机存取存储器，组织为1024K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能和低功耗的器件。当CS1为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中）或CS1为低电平、CS2为高电平且LB和UB均为高电平时，器件进入待机模式，此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过使用芯片使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。数据字节允许访问上字节 (UB) 和下字节 (LB)。采用JEDEC标准48引脚BGA (6mm x 8mm) 封装。

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￥115.26
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￥105.44

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型号：CY7C1061G30-10BVJXI 编号：C2950207

封装：VFBGA-48

CY7C1061G和CY7C1061GE是带有嵌入式ECC的高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件。这两款器件均提供单芯片使能和双芯片使能选项，以及多种引脚配置。CY7C1061GE器件包含一个ERR引脚，该引脚在读取周期期间对单比特错误检测和纠正事件发出信号

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￥178.52
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￥169.76

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型号：CY7C1069G30-10ZSXI 编号：C2759942

封装：TSOPII-54-10.2mm

CY7C1069G和CY7C1069GE是具有嵌入式ECC的双片选高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件。CY7C1069G器件采用标准引脚配置。CY7C1069GE器件包含一个单比特错误指示引脚（ERR），在ECC错误检测和纠正事件发生时向主处理器发出信号

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￥194.102 ￥262.3
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￥167.872 ￥262.3
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￥141.642 ￥262.3

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型号：47L04-I/SN 编号：C610320

封装：SOIC-8

具备EEPROM备份功能的4/16 Kbit SRAM采用512×8位或2,048×8位的存储器结构，并使用I²C串行接口。它能为SRAM提供无限次的读写循环，而EEPROM单元则能提供高耐久性的数据非易失性存储。搭配外部电容使用时，掉电时SRAM数据会自动传输至EEPROM

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￥8.41
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型号：CY62128EV30LL-45SXIT 编号：C2840304

封装：SOIC-32