SRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：TSOPII-44-10.2mm

是高性能CMOS静态随机存储器，组织形式为512K字×8位。通过低电平有效芯片使能 (CE)、低电平有效输出使能 (OE) 和三态驱动器，可轻松进行内存扩展。可通过将芯片使能 (CE) 和写使能 (WE) 输入置为低电平来写入设备。在地址引脚指定的位置上，8个IO引脚 (IO0至IO7) 上的数据将被写入

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￥57.06
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型号：CY14B101LA-SZ25XIT 编号：C2953458

封装：SOIC-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：CY14E256LA-SZ25XIT 编号：C2952990

封装：SOIC-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：CY7C1381KV33-133AXI 编号：C914902

封装：TQFP-100

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1381KV33-133AXI 是一款支持133 MHz总线操作的3.3V 512K x 36 和 1M x 18 流通SRAM，具有ECC功能，用于减少软错误率。

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型号：IS61LV12816L-10TLI 编号：C3646906

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61LV12816L是一款高速2,097,152位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为131,072字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗且最快达8 ns的存取时间

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型号：CY62148EV30LL-45ZSXI 编号：C2959462

封装：SOIC-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是高性能CMOS静态RAM，组织为512K字×8位。该设备采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用（如手机）中提供更长的电池续航时间。该设备还具有自动掉电功能，可显著降低功耗。当设备被取消选择（CE为高电平）时，将其置于待机模式可使功耗降低99%以上

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型号：CY62157EV30LL-45ZXIT 编号：C914892

封装：TSOPI-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62157EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为512K字节x16-Bit或1M字节x8-Bit。该器件具有先进的电路设计，可提供超低功耗。适用于便携式设备，如手机。支持自动断电功能，可显著降低功耗。

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型号：RMLV0408EGSA-4S2#AA1 编号：C5862630

封装：TSOPI-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RMLV0408E系列是一组4 Mbit静态随机存取存储器（SRAM），采用高性能高级低功耗静态随机存取存储器（LPSRAM）技术制造，其组织形式为524,288字×8位。RMLV0408E系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。该系列具备低功耗待机功耗特性，因此适用于电池备份系统

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型号：CY62167DV30LL-55BVXIT 编号：C2953121

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：23LCV512-I/SN 编号：C1349237

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LCV512 是一款 512 Kbit 的 SPI 串行 SRAM，支持外部电池备份和 SDI 接口。该设备支持无限次读写操作，具有低功耗 CMOS 技术，适用于工业温度范围。

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型号：K6T1008C2E-GB70 编号：C22437427

封装：-

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

K6T1008C2E系列产品采用三星先进的CMOS工艺技术制造。该系列支持多种工作温度范围，并提供多种封装类型，为用户系统设计提供灵活性。同时，该系列支持较低的数据保持电压，可在电池备份操作下实现低数据保持电流。

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￥18.05
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型号：IS66WVS4M8ALL-104NLI 编号：C17645790

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：CY62167EV30LL-45ZXIT 编号：C511152

封装：TSOP-48-12.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62167EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字节×16-Bit或2M字节×8-Bit。该设备具有先进的电路设计，提供超低功耗和高速度，适用于汽车应用。

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￥48.9
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型号：IS62WV102416DBLL-55TLI 编号：C441487

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WV102416DALL、IS62/65WV102416DBLL 是超低功耗CMOS 16Mbit静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1M字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：CY7C1069G30-10ZSXI 编号：C2759942

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1069G和CY7C1069GE是具有嵌入式ECC的双片选高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件。CY7C1069G器件采用标准引脚配置。CY7C1069GE器件包含一个单比特错误指示引脚（ERR），在ECC错误检测和纠正事件发生时向主处理器发出信号

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￥175.741 ￥262.3
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型号：CY7C1061G30-10BVJXI 编号：C2950207

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是带有嵌入式ECC的高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件。这两款器件均提供单芯片使能和双芯片使能选项，以及多种引脚配置。CY7C1061GE器件包含一个ERR引脚，该引脚在读取周期期间对单比特错误检测和纠正事件发出信号

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型号：CY62128EV30LL-45SXIT 编号：C2840304

封装：SOIC-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62128EV30是一款高性能CMOS静态RAM模块，组织为128K字节x8-Bit。该设备采用先进的电路设计，提供超低的活动电流，适用于便携式设备。具有自动断电功能，当地址未切换时显著降低功耗。在待机模式下，功耗可减少超过99%。工作温度范围为-40°C至+85°C，供电电压范围为2.2V至3.6V。

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型号：CY7C1041G30-10ZSXE 编号：C2948416

封装：TSOPII-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1041G是一款高性能CMOS快速静态随机存取存储器（RAM）汽车级器件，内置纠错码（ECC）功能。该器件具有一个片选（CE）输入，通过将其置为低电平来访问器件。数据写入操作通过将写使能（WE）输入置为低电平来执行，同时在I/O₀至I/O₁₅引脚上提供数据，并在A₀至A₁₇引脚上提供地址

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￥48.64 ￥97.28
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￥37.16 ￥92.9
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￥25.596 ￥85.32
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￥23.61 ￥78.7

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型号：CY62137EV30LL-45ZSXIT 编号：C2953208

封装：TSOPII-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥51.96
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￥41.5524 ￥44.68
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￥33.4075 ￥40.25
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￥30.3199 ￥36.53

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型号：M48T08-150PC1 编号：C2970273

封装：PCDIP-28

品牌：ST(意法半导体)

5 V、64 Kbit (8 Kb x 8) 计时员静态随机存储器

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型号：M48T58Y-70PC1 编号：C5269724

封装：PDIP-28

品牌：ST(意法半导体)

5.0 V，64 Kbit (8 Kb x 8) 计时员静态随机存储器

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￥217.28
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￥210.01

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型号：RMWV6416AGSD-5S2#AA0 编号：C5884752

封装：TSOPII-52

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RMWV6416A系列是一组64 Mbit的静态随机存取存储器（SRAM），采用高性能高级低功耗静态随机存取存储器（LPSRAM）技术制造，其存储结构为4,194,304字×16位。RMWV6416A系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。该系列具有低功耗待机模式，因此适用于电池备份系统

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￥326.27
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￥311.34

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型号：70V05L20PFGI 编号：C1351187

封装：TQFP-64(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

IDT70V05是一款高速8K x 8双端口静态随机存取存储器（SRAM）。该器件既可以作为独立的64K位双端口SRAM使用，也可以在16位或更高位宽字长的系统中，组合成主/从双端口SRAM使用。在16位或更宽的存储系统应用中采用IDT主/从双端口SRAM方案，无需额外的分立逻辑，即可实现全速、无差错运行

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￥405.62
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￥386.65

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型号：47L04-I/SN 编号：C610320

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

具备EEPROM备份功能的4/16 Kbit SRAM采用512×8位或2,048×8位的存储器结构，并使用I²C串行接口。它能为SRAM提供无限次的读写循环，而EEPROM单元则能提供高耐久性的数据非易失性存储。搭配外部电容使用时，掉电时SRAM数据会自动传输至EEPROM

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型号：CY7C1041GN30-10ZSXIT 编号：C462529

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1041GN 是高性能 CMOS 快速静态随机存取存储器，组织形式为 256K 字×16 位。数据写入操作通过将片选信号（CE(overline)）和写使能信号（WE(overline)）输入置为低电平来执行，同时在 I/O₀ 至 I/O₁₅ 引脚上提供数据，并在 A₀ 至 A₁₇ 引脚上提供地址。高位字节使能（BHE）和低位字节使能（BLE）输入控制对指定存储单元的高字节和低字节的写操作

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