SRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：CY62256NLL-55SNXIT 编号：C2960947

封装：SOP-28

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62256N是一款高性能CMOS静态RAM，组织为32K字节×8-Bit。它支持商业、工业和汽车级温度范围，具有自动断电功能，可显著降低功耗。

75+
￥22.776894
100+
￥21.437076
1000+
￥19.731855

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型号：IS62WV102416DBLL-45TLI 编号：C1350125

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥36.99
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￥36.12
30+
￥35.55
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￥34.98

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型号：IS61WV12816DBLL-10BLI 编号：C1351579

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61WV12816DAxx/DBxx 和 IS64WV12816DBxx 是高速 2,097,152 位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 131,072 字×16 位。它们采用 ISSI 的高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥38.79
10+
￥33.64
30+
￥30.58
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￥27.49
480+
￥26.06
960+
￥25.41

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型号：IS66WVS4M8BLL-104NLI 编号：C6370562

封装：SOIC-8-150mil

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥39.97
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￥39.08
30+
￥38.48
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￥37.89

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型号：IS61C5128AS-25TLI 编号：C5803546

封装：SOIC-32-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥40.38
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￥34.55
30+
￥31
117+
￥28.03

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型号：AS7C513B-12TCN 编号：C1351267

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：Alliance Memory

AS7C513B 是一款高性能 CMOS 524,288 位静态随机存取存储器（SRAM）器件，其结构为 32,768 字×16 位。它们专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的内存应用而设计。10/12/15/20 ns 的等地址访问时间和周期时间（tA、tRC、tWC），以及 5、6、7、8 ns 的输出使能访问时间（tOE），非常适合高性能应用

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1+
￥40.54
10+
￥39.73
30+
￥39.19
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型号：RMLV0816BGSB-4S2#HA0 编号：C6982161

封装：TSOPII-44

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RMLV0816BGSB是一款8-Mbit静态RAM，组织为524,288字×16-Bit，采用Renesas的高性能Advanced LPSRAM技术制造。该器件实现了更高的密度、性能和低功耗。RMLV0816BGSB具有低功耗待机电流，因此适用于电池备份系统。它提供44针TSOP (II)封装。

1+
￥41.18
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￥40.11
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￥39.4
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￥38.69

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型号：IS62WV2568BLL-55TLI-TR 编号：C2063160

封装：TSOPI-32-8.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥41.28
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￥35.52
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￥32
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￥29.05

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型号：IS61C5128AS-25TLI-TR 编号：C2064016

封装：TSOPII-32-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61C5128AL/AS和IS64C5128AL/AS是高速的4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为524,288字×8位。它们采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗下最快达12 ns的访问时间

1+
￥43.22
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￥16.73
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￥16.14
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￥15.85

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型号：IS61C1024AL-12HLI-TR 编号：C2063259

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61C1024AL/IS64C1024AL是一款高速、低功耗的131,072字×8位CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。它们采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥46.24
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￥39.78
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￥35.84
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￥32.54

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型号：CY62146EV30LL-45ZSXIT 编号：C466900

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62146EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为256K words by 16 bits。该设备具有超低活动电流和宽电压范围，适用于便携式应用如手机等。自动断电功能可在未选中时节省超过99%的功耗。

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60+
￥30.284024
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￥27.993636
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￥25.76687

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型号：IS62WV102416EBLL-45BLI 编号：C1350446

封装：VFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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1+
￥64.7942
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￥63.732
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￥61.0765
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￥58.421
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￥57.3588

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型号：IS61LV25616AL-10BLI 编号：C427061

封装：TFBGA-48

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥47.31
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￥40.93
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￥37.05
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￥33.79

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型号：CY7C1059DV33-10ZSXIT 编号：C466896

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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1+
￥49.02
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￥47.92
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￥46.46

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型号：IS62C51216AL-55TLI 编号：C441486

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥49.43
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￥42.36
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型号：IS61C5128AS-25QLI 编号：C443416

封装：SOP-32-11.3mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

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￥49.62
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￥48.52
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型号：CY7C1041GN30-10BVXI 编号：C2950240

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥49.97
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￥48.77
30+
￥47.98
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型号：RMLV0808BGSB-4S2#AA0 编号：C1348822

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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￥55.44
10+
￥54.15
30+
￥53.28
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型号：AS7C34098A-10TCN 编号：C6125864

封装：TSOP2-44-400mil

品牌：Alliance Memory

AS7C34098A是一款高性能CMOS 4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM）器件，其结构为262,144字×16位。该器件专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的内存应用而设计。10/12/15/20 ns的等地址访问时间和周期时间（tAA、tRC、tWC），以及4/5/6/7 ns的输出使能访问时间（tOE），非常适合高性能应用

1+
￥58.38
10+
￥50.94
30+
￥46.41
135+
￥42.61

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型号：IS62WV102416DBLL-55TLI-TR 编号：C2065930

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WV102416DALL、IS62/65WV102416DBLL 是超低功耗CMOS 16Mbit静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1M字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥59.66
10+
￥51.32
30+
￥46.24
100+
￥41.99

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型号：CY62167EV30LL-45BVXI 编号：C2959311

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62167EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字节×16-Bit或2M字节×8-Bit。该设备具有先进的电路设计，提供超低功耗和高速度，适用于汽车应用。

1+
￥47.0844
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￥45.1704
100+
￥44.022
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￥41.3424

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型号：CY7C1009D-10VXIT 编号：C1512158

封装：SOJ-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是一款高性能 CMOS 静态 RAM，其结构为 131,072 个字 x 8 位。低电平有效芯片使能 (CE1(上划线))、高电平有效芯片使能 (CE2)、低电平有效输出使能 (OE(上划线)) 和三态驱动器可轻松实现内存扩展。

1+
￥66.05
10+
￥56.82
30+
￥51.2
100+
￥46.48

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型号：IS64WV25616BLL-10CTLA3 编号：C6280245

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥76.19
10+
￥65.92
30+
￥59.66
135+
￥54.41

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型号：CY62146ELL-45ZSXIT 编号：C511731

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

数据手册

1+
￥82.59
10+
￥77.34

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型号：CY7C1051DV33-12ZSXI 编号：C2944774

封装：TSOPII-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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1+
￥92.09
10+
￥87.77
30+
￥80.3
135+
￥73.77

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型号：71321SA55JG8 编号：C2061140

封装：PLCC-52(19.1x19.1)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

数据手册

1+
￥110.52
10+
￥101.15
30+
￥92.54
100+
￥85.02

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型号：CY7C1041G30-10BAJXET 编号：C2953041

封装：TFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥144.77
10+
￥137.98
30+
￥126.23
100+
￥115.97

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型号：IS61NLP25636A-200TQLI 编号：C1349139

封装：LQFP-100(14x20)

品牌：ISSI(美国芯成)

9 Meg “NLP/NVP” 产品系列具备高速、低功耗同步静态随机存取存储器（SRAM），旨在为网络和通信应用提供可突发、高性能、“无等待”状态的器件。它们的组织形式为 256K 字×36 位和 512K 字×18 位，采用 ISSI 的先进 CMOS 技术制造。该系列产品具备 “无等待” 状态特性，当总线从读操作切换到写操作，或从写操作切换到读操作时，可消除等待周期

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￥145.31
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￥56.24
500+
￥54.26
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￥53.28

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型号：CY7C1480BV33-167AXI 编号：C2948146

封装：LQFP-100(14x20)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥396.52
30+
￥377.06

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型号：CY7C09289V-9AXI 编号：C6814954

封装：TQFP-100(14x14)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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