SRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

是集成内存设备，包含32Mb伪静态随机存取存储器，使用自刷新DRAM阵列，组织为4M字x 8位。该设备支持SPI（串行外设接口）和QPI（四路外设接口）协议，信号数量极少（6个信号引脚：CLK、CE#和4个SIO），具有隐藏刷新操作，适用于工业温度和汽车A2级温度范围。支持带内复位，而非专用的RESET#引脚，最小传输数据大小为8位。

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型号：IS65WV1288BLL-55HLA1 编号：C6968529

封装：TFSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：RMLV0816BGSA-4S2#AA0 编号：C1349446

封装：TSOPI-48

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RMLV0816BGSA 是一款高性能的高级低功耗SRAM技术。该器件实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。RMLV0816BGSA 具有低功耗待机电流，适用于电池备份系统。它采用48引脚TSOP(I)封装。

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型号：IS62WV102416FBLL-45BLI-TR 编号：C2064139

封装：VFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

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￥35.72
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￥22.34

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型号：CY62138FV30LL-45ZXI 编号：C466865

封装：TSOP-32-18.4mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：IS61WV51216EEBLL-10TLI 编号：C2064205

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：AS6C4008-55SIN 编号：C1350086

封装：SOP-32-11.3mm

品牌：Alliance Memory

AS6C4008是一款4,194,304位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为524,288字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

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型号：IS61WV5128BLL-10TL 编号：C52712

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

商业级

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型号：CY62256NLL-55SNXIT 编号：C2960947

封装：SOP-28

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62256N是一款高性能CMOS静态RAM，组织为32K字节×8-Bit。它支持商业、工业和汽车级温度范围，具有自动断电功能，可显著降低功耗。

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￥25.92

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型号：IS62WV102416DBLL-45TLI 编号：C1350125

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS61WV51232BLL-10BLI 编号：C1352600

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥38.75
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型号：IS66WVS4M8BLL-104NLI 编号：C6370562

封装：SOIC-8-150mil

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥37.89

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型号：HY62WT081ED70C 编号：C35984063

封装：-

品牌：HYNIX(海力士)

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￥40.32
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￥15.29

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型号：IS61C5128AS-25TLI 编号：C5803546

封装：SOIC-32-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥40.38
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￥31
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型号：RMLV0816BGSB-4S2#HA0 编号：C6982161

封装：TSOPII-44

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RMLV0816BGSB是一款8-Mbit静态RAM，组织为524,288字×16-Bit，采用Renesas的高性能Advanced LPSRAM技术制造。该器件实现了更高的密度、性能和低功耗。RMLV0816BGSB具有低功耗待机电流，因此适用于电池备份系统。它提供44针TSOP (II)封装。

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￥41.18
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￥40.11
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￥39.4
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￥38.69

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型号：IS62WV2568BLL-55TLI-TR 编号：C2063160

封装：TSOPI-32-8.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥41.28
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￥35.52
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￥32
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￥29.05

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型号：IS61C5128AS-25TLI-TR 编号：C2064016

封装：TSOPII-32-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61C5128AL/AS和IS64C5128AL/AS是高速的4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为524,288字×8位。它们采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗下最快达12 ns的访问时间

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￥43.22
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￥16.73
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￥15.85

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型号：IS61C1024AL-12HLI-TR 编号：C2063259

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61C1024AL/IS64C1024AL是一款高速、低功耗的131,072字×8位CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。它们采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥46.24
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￥39.78
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型号：CY62146EV30LL-45ZSXIT 编号：C466900

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62146EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为256K words by 16 bits。该设备具有超低活动电流和宽电压范围，适用于便携式应用如手机等。自动断电功能可在未选中时节省超过99%的功耗。

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￥29.964604
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￥25.851815
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￥23.795421

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型号：IS62WV102416EBLL-45BLI 编号：C1350446

封装：VFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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单价：
￥80.117342 / 个

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型号：IS61LV25616AL-10BLI 编号：C427061

封装：TFBGA-48

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥47.31
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￥40.93
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￥37.05
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￥33.79

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型号：CY7C1059DV33-10ZSXIT 编号：C466896

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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1+
￥49.02
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￥47.92
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￥47.19
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￥46.46

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型号：IS62C51216AL-55TLI 编号：C441486

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥49.43
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￥42.36
30+
￥35.72
100+
￥32.1

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型号：IS61C5128AS-25QLI 编号：C443416

封装：SOP-32-11.3mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥49.62
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￥48.52
30+
￥45.13
100+
￥44.4

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型号：CY7C1041GN30-10BVXI 编号：C2950240

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥49.97
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￥48.77
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￥47.98
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￥47.18

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型号：RMLV0808BGSB-4S2#AA0 编号：C1348822

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥55.44
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￥54.15
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￥53.28
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￥52.41

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型号：AS7C34098A-10TCN 编号：C6125864

封装：TSOP2-44-400mil

品牌：Alliance Memory

AS7C34098A是一款高性能CMOS 4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM）器件，其结构为262,144字×16位。该器件专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的内存应用而设计。10/12/15/20 ns的等地址访问时间和周期时间（tAA、tRC、tWC），以及4/5/6/7 ns的输出使能访问时间（tOE），非常适合高性能应用

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￥58.38
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￥50.94
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￥46.41
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￥42.61

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型号：IS62WV102416DBLL-55TLI-TR 编号：C2065930

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WV102416DALL、IS62/65WV102416DBLL 是超低功耗CMOS 16Mbit静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1M字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥59.66
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￥51.32
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￥46.24
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￥41.99

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型号：AS6C8016-55ZIN 编号：C1349348

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Alliance Memory

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￥60.57
10+
￥55.05

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型号：CY62167EV30LL-45BVXI 编号：C2959311

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62167EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字节×16-Bit或2M字节×8-Bit。该设备具有先进的电路设计，提供超低功耗和高速度，适用于汽车应用。

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￥63.684
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￥62.64
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