SRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

AS7C513B 是一款高性能 CMOS 524,288 位静态随机存取存储器（SRAM）器件，其结构为 32,768 字×16 位。它们专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的内存应用而设计。10/12/15/20 ns 的等地址访问时间和周期时间（tA、tRC、tWC），以及 5、6、7、8 ns 的输出使能访问时间（tOE），非常适合高性能应用

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型号：AS7C4096A-12JIN 编号：C6507053

封装：SOJ-36

品牌：Alliance Memory

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型号：AS6C4016-55ZIN 编号：C6862091

封装：TSOPII-44

品牌：Alliance Memory

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型号：AS6C62256-55SINTR 编号：C1858331

封装：SOP-28-8.4mm

品牌：Alliance Memory

AS6C62256是一款262,144位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为32,768字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

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型号：AS7C34096A-12JIN 编号：C1351773

封装：SOJ-36

品牌：Alliance Memory

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型号：AS7C34096A-12JCN 编号：C1350516

封装：SOJ-36

品牌：Alliance Memory

AS7C34096A是一款高性能CMOS 4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM）器件，组织形式为524,288字×8位。它专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的内存应用而设计。10/12/15/20 ns的等地址访问时间和周期时间（tAA、tRC、tWC），以及4/5/6/7 ns的输出使能访问时间（tOE），非常适合高性能应用

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型号：AS7C38098A-10TIN 编号：C1353235

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Alliance Memory

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型号：AS6C8008-55ZIN 编号：C1349342

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Alliance Memory

AS6C8008是一款8388608位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，其组织形式为1048576字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

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型号：AS7C34098A-10TINTR 编号：C2064157

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：Alliance Memory

AS7C34098A是一款高性能CMOS 4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM）器件，其结构为262,144字×16位。该器件专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的内存应用而设计。10/12/15/20 ns的等地址访问时间和周期时间（tAA、tRC、tWC），以及4/5/6/7 ns的输出使能访问时间（tOE），非常适合高性能应用

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型号：AS7C4098A-12JIN 编号：C1348906

封装：SOJ-44

品牌：Alliance Memory

AS7C4098A 是一款高性能的 CMOS 4,194,304 位静态随机存取存储器（SRAM）器件，组织形式为 262,144 字×16 位。它专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的内存应用而设计。10/12/15/20 ns 的等地址访问时间和周期时间（t_AA、t_RC、t_WC）以及 5/6 ns 的输出使能访问时间（t_OE）非常适合高性能应用

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型号：AS6C8016-55BIN 编号：C5554703

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：Alliance Memory

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型号：CY7C1041DV33-10VXI 编号：C2953978

封装：SOJ-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：N25S830HAT22IT 编号：C891866

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

这是一款256 Kb的串行SRAM，内部组织为32 K x 8-Bit。采用先进的CMOS技术制造，具有高速性能和低功耗。支持单个片选（CS）输入，使用简单的SPI串行总线。包括HOLD引脚，用于暂停通信。工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于多种标准封装。

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型号：N25S830HAS22IT 编号：C891865

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

这是一款256 Kb的串行SRAM，内部组织为32 K x 8-Bit。采用先进的CMOS技术制造，具有高速性能和低功耗。支持单个片选（CS）输入，使用简单的SPI串行总线。包括HOLD引脚，用于暂停通信。工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于多种标准封装。

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型号：71V256SA15PZGI 编号：C1350111

封装：TSOP-28

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：71V124SA10PH 编号：C6827742

封装：TSOPII-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：IS61C1024AL-12JLI 编号：C412832

封装：SOJ-32

品牌：ISSI(美国芯成)

是非常高速、低功耗的131,072字×8位CMOS静态RAM。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当CE1为高电平或CE2为低电平（未选中）时，器件进入待机模式，通过使用CMOS输入电平可降低功耗。通过使用两个芯片使能输入CE1和CE2，可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写操作。有32引脚300密耳SOJ、32引脚400密耳SOJ、32引脚TSOP（I型，8x20）和32引脚sTSOP（I型，8x13.4）封装。

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