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AS6C8008是一款8388608位的低功耗CMOS静态随机存取存储器,其组织形式为1048576字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定
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  • AS7C34098A是一款高性能CMOS 4,194,304位静态随机存取存储器(SRAM)器件,其结构为262,144字×16位。该器件专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的内存应用而设计。10/12/15/20 ns的等地址访问时间和周期时间(tAA、tRC、tWC),以及4/5/6/7 ns的输出使能访问时间(tOE),非常适合高性能应用
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    AS7C4098A 是一款高性能的 CMOS 4,194,304 位静态随机存取存储器(SRAM)器件,组织形式为 262,144 字×16 位。它专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的内存应用而设计。10/12/15/20 ns 的等地址访问时间和周期时间(t_AA、t_RC、t_WC)以及 5/6 ns 的输出使能访问时间(t_OE)非常适合高性能应用
    数据手册
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  • AS6C6416 是一款 67,108,864 位的低功耗 CMOS 静态随机存取存储器,其组织形式为 4,194,304 字×16 位或 8,388,608 字×8 位。它采用高性能、高可靠性的 CMOS 技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定
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  • IS61C256AL是一款超高速、低功耗的32,768字×8位静态随机存取存储器(SRAM)。它采用高性能CMOS技术制造。这种高可靠性的工艺与创新的电路设计技术相结合,使得最大访问时间最快可达10 ns
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      ¥84.08556
    这是一款256 Kb的串行SRAM,内部组织为32 K x 8-Bit。采用先进的CMOS技术制造,具有高速性能和低功耗。支持单个片选(CS)输入,使用简单的SPI串行总线。包括HOLD引脚,用于暂停通信。工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于多种标准封装。
    数据手册
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  • 这是一款256 Kb的串行SRAM,内部组织为32 K x 8-Bit。采用先进的CMOS技术制造,具有高速性能和低功耗。支持单个片选(CS)输入,使用简单的SPI串行总线。包括HOLD引脚,用于暂停通信。工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于多种标准封装。
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  • 是非常高速、低功耗的131,072字×8位CMOS静态RAM。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,可生产出高性能、低功耗的器件。当CE1为高电平或CE2为低电平(未选中)时,器件进入待机模式,通过使用CMOS输入电平可降低功耗。通过使用两个芯片使能输入CE1和CE2,可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能(WE)控制存储器的读写操作。有32引脚300密耳SOJ、32引脚400密耳SOJ、32引脚TSOP(I型,8x20)和32引脚sTSOP(I型,8x13.4)封装。
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  • LY6264是一款65,536位的低功耗CMOS静态随机存取存储器,组织形式为8,192字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定
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  • LY621024 是一款 1,048,576 位的低功耗 CMOS 静态随机存取存储器,组织形式为 131,072 字×8 位。它采用高性能、高可靠性的 CMOS 技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定
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