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  • IS62/65LV256AL是一款超高速、低功耗的32768字×8位静态随机存取存储器(SRAM)。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,使得最大存取时间最快可达15 ns
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  • IS61C1024AL/IS64C1024AL是一款高速、低功耗的131,072字×8位CMOS静态随机存取存储器(SRAM)。它们采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,造就了高性能、低功耗的器件
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  • IS62/65WVS2568FALLFBLL是2M位的串行静态随机存取存储器(SRAM),组织形式为256K字节×8位。它采用高性能CMOS技术制造。该器件通过一个与串行外设接口(SPI)兼容的简单串行总线进行访问
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  • IS61/64WV12816EDBLL是高速2,097,152位静态随机存取存储器(SRAM),组织形式为131,072字×16位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这一高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合,造就了高性能、低功耗的器件
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  • CY62128E是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM),组织形式为128K字×8位。该器件采用先进的电路设计,可实现超低工作电流。非常适合用于便携式应用,以延长电池续航时间(More Battery Life™,MoBL)
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  • 23LCV512 是一款 512 Kbit 的 SPI 兼容串行 SRAM,支持外部电池备份和 SDI 接口。该设备支持无限次读写操作,并具有低功耗特性。
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  • IS62WV1288ALL / IS62/65WV1288BLL是高速1M位静态随机存取存储器(SRAM),组织形式为128K字×8位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,造就了高性能、低功耗的器件
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  • IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL是高速4M位静态随机存取存储器(SRAM),组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,造就了高性能、低功耗的器件
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