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  • RMLV0408E系列是一组4 Mbit静态随机存取存储器(SRAM),采用高性能先进低功耗静态随机存取存储器(LPSRAM)技术制造,组织形式为524,288字×8位。RMLV0408E系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。该系列具有低功耗待机功耗,因此适用于电池备份系统
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  • 是一款高性能CMOS静态RAM,组织为512k字×8位。该器件采用先进的电路设计,可提供超低工作电流,非常适合在便携式应用中提供更长的电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能,可显著降低功耗。当未选中该器件时(CE为高电平),将其置于待机模式可使功耗降低99%以上。当未选中该器件(CE为高电平)、输出禁用(OE为高电平)或进行写操作(CE为低电平且WE为低电平)时,八个输入和输出引脚(I/O₀至I/O₇)处于高阻抗状态。该器件适合与具有TTL输入/输出电平的处理器接口,不适合需要CMOS输入/输出电平的处理器。
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  • CY62128E是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM),组织形式为128K字×8位。该器件采用先进的电路设计,可实现超低工作电流。非常适合用于便携式应用,以延长电池续航时间(More Battery Life™,MoBL)
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  • RMLV0816BGSA 是一款高性能的高级低功耗SRAM技术。该器件实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。RMLV0816BGSA 具有低功耗待机电流,适用于电池备份系统。它采用48引脚TSOP(I)封装。
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