SRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

是高速、低功耗的131,072字×8位CMOS静态随机存取存储器。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现更高的性能和低功耗。当CE1为高电平或CE2为低电平时（未选中），器件进入待机模式，通过使用CMOS输入电平可以降低功耗。通过使用两个片选输入CE1和CE2，可以轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写。提供32引脚300密耳SOJ、32引脚400密耳SOJ、32引脚TSOP（I型，8x20）和32引脚sTSOP（I型，8 x 13.4）封装。

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型号：IS61C3216AL-12TLI 编号：C443415

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS62WV51216HBLL-45TLI-TR 编号：C6211137

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：RMLV0408EGSA-4S2#KA1 编号：C2061180

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：IS61LV12816L-10TL 编号：C367392

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61LV12816L是一款高速2,097,152位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为131,072字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗且最快达8 ns的存取时间

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型号：IS61WV25616EFBLL-10TLI 编号：C6280218

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV25616EFALL/EFBLL是高速、低功耗的4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为256K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造，并集成了ECC功能以提高可靠性。这种高可靠性工艺结合创新的电路设计技术，包括ECC（SEC - DED：单错误纠正 - 双错误检测），造就了高性能、高可靠性的器件

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型号：CY62256NLL-70SNXC 编号：C2953692

封装：SOIC-28

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：IS66WV51216EBLL-70TLI 编号：C1351837

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS61WV12816DBLL-10TLI 编号：C11313

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

2-Mbit(128K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.4V to 3.6V

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型号：IS62WV25616BLL-55TLI 编号：C11314

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V

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型号：IS61LV25616AL-10TLI-TR 编号：C2063046

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61LV25616AL是一款高速4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为262,144字×16位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：IS62WV51216EFBLL-45TLI 编号：C1351749

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS62WV51216EBLL-45TLI-TR 编号：C2064010

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS61WV5128BLL-10TLI 编号：C412830

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：CY62136EV30LL-45ZSXI 编号：C2944839

封装：TSOP-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：IS62WV51216EBLL-45BLI 编号：C3039626

封装：VFBGA-48

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：CY62147EV30LL-55ZSXE 编号：C2956575

封装：TSOP-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：IS66WV51216EBLL-55TLI 编号：C1348810

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS66WV51216EALL和IS66/67WV51216EBLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它们采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：CY62148ESL-55ZAXI 编号：C466893

封装：TSOP-32-12.5mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是一款高性能CMOS静态RAM，组织为512k字×8位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用中提供更长的电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能，可显著降低功耗。当未选中该器件时（CE为高电平），将其置于待机模式可使功耗降低99%以上。当未选中该器件（CE为高电平）、输出禁用（OE为高电平）或进行写操作（CE为低电平且WE为低电平）时，八个输入和输出引脚（I/O₀至I/O₇）处于高阻抗状态。该器件适合与具有TTL输入/输出电平的处理器接口，不适合需要CMOS输入/输出电平的处理器。

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型号：IS62WV51216BLL-55BLI 编号：C1349053

封装：MBGA-48(7.2x8.7)

品牌：ISSI(美国芯成)

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