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  • 9 Meg “NLP/NVP” 产品系列具备高速、低功耗同步静态随机存取存储器(SRAM),旨在为网络和通信应用提供可突发、高性能、“无等待”状态的器件。它们的组织形式为 256K 字×36 位和 512K 字×18 位,采用 ISSI 的先进 CMOS 技术制造。该系列产品具备 “无等待” 状态特性,当总线从读操作切换到写操作,或从写操作切换到读操作时,可消除等待周期
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  • 是高速、16M 位静态随机存取存储器,组织为 1024K 字 x 16 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,可生产出高性能、低功耗的器件。当 CS# 为高电平(未选中)时,器件进入待机模式,此时可通过 CMOS 输入电平降低功耗。通过使用片选和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE#) 控制存储器的读写。数据字节允许访问上字节 (UB#) 和下字节 (LB#)。器件采用 JEDEC 标准 48 引脚 TSOP(I 型)、48 引脚微型 BGA(6mm x 8mm)和 54 引脚 TSOP(II 型)封装。
    数据手册
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