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这是一款256 Kb的串行SRAM,内部组织为32 K x 8-Bit。采用先进的CMOS技术制造,具有高速性能和低功耗。支持单个片选(CS)输入,使用简单的SPI串行总线。包括HOLD引脚,用于暂停通信。工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于多种标准封装。
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    ¥16.03
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  • CY7C1041G和CY7C1041GE是带有嵌入式ECC的高性能CMOS快速静态随机存取存储器(SRAM)器件。这两款器件都提供单芯片使能选项和多种引脚配置。CY7C1041GE器件包含一个ERR引脚,用于在读取周期中指示错误检测和纠正事件
    • 1+

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      ¥22.02
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  • 是高速、低功耗的131,072字×8位CMOS静态随机存取存储器。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,可实现更高的性能和低功耗。当CE1为高电平或CE2为低电平时(未选中),器件进入待机模式,通过使用CMOS输入电平可以降低功耗。通过使用两个片选输入CE1和CE2,可以轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能(WE)控制存储器的读写。提供32引脚300密耳SOJ、32引脚400密耳SOJ、32引脚TSOP(I型,8x20)和32引脚sTSOP(I型,8 x 13.4)封装。
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      ¥22.92
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  • CY7C1049GN是一款高性能CMOS快速静态RAM,组织为512K字节×8-Bit。具有高速读写能力,低功耗,支持多种供电电压范围。
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      ¥25.76
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      ¥24.46
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  • 安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件,其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器,内部组织为 128 K 个词,每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造,具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行,并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中,单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下,使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行,在四路模式下,使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行,采用 8 引线 TSSOP 封装。N01S830xA 器件有两个不同的版本,HOLD 版本允许暂停与器件的通信,而电池备份 (BBU) 版本配备一个电池,用于在断电时保留数据。
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      ¥28.42
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  • 安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件,其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器,内部组织为 128 K 个词,每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造,具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行,并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中,单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下,使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行,在四路模式下,使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行,采用 8 引线 TSSOP 封装。N01S830xA 器件有两个不同的版本,HOLD 版本允许暂停与器件的通信,而电池备份 (BBU) 版本配备一个电池,用于在断电时保留数据。
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  • 安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件,其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器,内部组织为 128 K 个词,每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造,具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行,并使用简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中,单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下,使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行,在四路模式下,使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行,采用 8 引线 TSSOP 封装。
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      ¥33.21
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      ¥28.42
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      ¥20.77
  • 订货
  • 安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件,其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器,内部组织为 128 K 个词,每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造,具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行,并使用简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中,单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下,使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行,在四路模式下,使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行,采用 8 引线 TSSOP 封装。
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      ¥27.43
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      ¥25.01
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  • 安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件,其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器,内部组织为 128 K 个词,每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造,具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行,并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中,单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下,使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行,在四路模式下,使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行,采用 8 引线 TSSOP 封装。N01S830xA 器件有两个不同的版本,HOLD 版本允许暂停与器件的通信,而电池备份 (BBU) 版本配备一个电池,用于在断电时保留数据。
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      ¥35.18
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      ¥67.143759
    • 500+

      ¥61.823215
    安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件,其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器,内部组织为 128 K 个词,每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造,具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行,并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中,单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下,使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行,在四路模式下,使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行,采用 8 引线 TSSOP 封装。N01S830xA 器件有两个不同的版本,HOLD 版本允许暂停与器件的通信,而电池备份 (BBU) 版本配备一个电池,用于在断电时保留数据。
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    • 1+

      ¥36.31
    • 10+

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    • 1000+

      ¥23.13
  • 订货
  • CY7C1041GN 是高性能CMOS快速静态RAM,组织为256K字×16-Bit。支持高写入速度,低功耗,宽工作电压范围。
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    • 30+

      ¥57.509408
    • 100+

      ¥53.159957
    • 1000+

      ¥48.931323
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      ¥81.816928
    • 50+

      ¥71.870555
    • 500+

      ¥66.175456
    256-Kbit(32K × 8bit),并行接口,工作电压:3.3V
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    • 1+

      ¥41.23
    • 10+

      ¥40.3
    • 30+

      ¥39.69
    • 100+

      ¥39.08
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  • 23LCV512 是一款 512 Kbit 的 SPI 兼容串行 SRAM,支持外部电池备份和 SDI 接口。该设备支持无限次读写操作,并具有低功耗特性。
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    • 1+

      ¥43.84
    • 10+

      ¥38.99
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      ¥36.03
    • 120+

      ¥33.55
  • 订货
  • CY7C1049G是一款高性能CMOS静态RAM,具有嵌入式ECC功能,支持单比特错误检测和纠正。提供单个和双芯片使能选项,多种引脚配置。工作电压范围为1.65V到5.5V,适用于工业环境。
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    • 1+

      ¥45.34
    • 10+

      ¥39.5
    • 30+

      ¥35.94
    • 135+

      ¥32.96
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  • CY62167EV30是一款高性能CMOS静态RAM,组织为1M字节×16-Bit或2M字节×8-Bit。该设备具有先进的电路设计,提供超低功耗和高速度,适用于汽车应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥32.89
    • 50+

      ¥29.095
    • 100+

      ¥27.83
    • 1000+

      ¥27.071
    M48Z02是一款2K x 8的非易失性静态RAM,具有电池备份功能,能够在断电情况下保持数据长达10年。它与DS1220兼容,支持无限次写入,读写周期时间相同,具有自动电源失效保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥131.29
    • 10+

      ¥121.1
  • 订货
  • 是高速、16M 位静态随机存取存储器,组织为 1024K 字 x 16 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,可生产出高性能、低功耗的器件。当 CS# 为高电平(未选中)时,器件进入待机模式,此时可通过 CMOS 输入电平降低功耗。通过使用片选和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE#) 控制存储器的读写。数据字节允许访问上字节 (UB#) 和下字节 (LB#)。器件采用 JEDEC 标准 48 引脚 TSOP(I 型)、48 引脚微型 BGA(6mm x 8mm)和 54 引脚 TSOP(II 型)封装。
    • 1+

      ¥145.41
    • 10+

      ¥140.98
  • 订货
  • M48Z02是一款2K x 8的非易失性静态RAM,具有电池备份功能,能够在断电情况下保持数据长达10年。它与DS1220兼容,支持无限次写入,读写周期时间相同,具有自动电源失效保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥148.78
    • 10+

      ¥136.85
    • 28+

      ¥125.86
    • 98+

      ¥116.28
  • 订货
    • 15+

      ¥133.893701
    • 50+

      ¥117.616426
    • 500+

      ¥108.296375
    • 1+

      ¥170.39496
    • 10+

      ¥167.6016
    • 50+

      ¥160.6182
    • 100+

      ¥153.6348
    • 200+

      ¥150.84144
    • 10+

      ¥69.84
    • 100+

      ¥63.701
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