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首页 > 热门关键词 > SRAM存储器芯片
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CY7C1041GN-10ZSXI
型号：CY7C1041GN-10ZSXI 编号：C2953851
封装：TSOPII-44
品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
CY7C1041GN 是高性能CMOS快速静态RAM，组织为256K字×16-Bit。支持高写入速度，低功耗，宽工作电压范围。

  • 1+

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    IS61WV5128BLL 10TLI TR
    型号：IS61WV5128BLL-10TLI-TR 编号：C2064977
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS61WV5128Axx和IS61/64WV5128Bxx是高速、低功耗的524,288字×8位CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。IS61WV5128Axx和IS61/64WV5128Bxx采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件
    数据手册

    • 1+

      ￥20.9

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    IS62WV25616EBLL 45TLI
    型号：IS62WV25616EBLL-45TLI 编号：C1349209
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    高速、低功耗，4M位静态随机存取存储器，组织为256K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当CS1#为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中）或CS1#为低电平、CS2为高电平且LB#和UB#均为高电平时，器件进入待机模式，此时可通过CMOS输入电平降低功耗。通过使用片选使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE#）控制存储器的读写操作。数据字节允许进行高字节（UB#）和低字节（LB#）访问。采用JEDEC标准的48引脚微型BGA（6mm x 8mm）和44引脚TSOP（II型）封装。
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    • 70+

      ￥25.140511

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      ￥23.239128

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      ￥21.390561
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    128KX16高速CMOS静态RAM，3.3V供电
    型号：IS61LV12816L-10TL 编号：C367392
    封装：TSOPII-44
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS61LV12816L是一款高速2,097,152位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为131,072字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗且最快达8 ns的存取时间

    • 1+

      ￥25.79

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      ￥24.83

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    1Mbit SPI串行SRAM，具备SDI和SQI接口
    型号：23LC1024T-I/ST 编号：C2655472
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23LC1024是一款1 Mbit SPI兼容的串行SRAM，支持SDI和SQI接口。工作电压范围为2.5V至5.5V，支持无限次读写操作，零写入时间，128K x 8-Bit组织结构。
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    • 2500+

      ￥23.518

    • 2500+

      ￥23.0904
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    IS61LV25616AL 10TLI TR
    型号：IS61LV25616AL-10TLI-TR 编号：C2063046
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS61LV25616AL是一款高速4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为262,144字×16位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件
    数据手册

    • 1+

      ￥30.19

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    32Mb串行RAM，1.8V/3.0V，104MHz，SPI和QPI协议
    型号：IS66WVS4M8BLL-104NLI-TR 编号：C17334768
    封装：SOIC-8
    品牌：ISSI(美国芯成)
    是集成内存设备，包含32Mb伪静态随机存取存储器，使用自刷新DRAM阵列，组织为4M字x 8位。该设备支持SPI（串行外设接口）和QPI（四路外设接口）协议，信号数量极少（6个信号引脚：CLK、CE#和4个SIO），具有隐藏刷新操作，适用于工业温度和汽车A2级温度范围。支持带内复位，而非专用的RESET#引脚，最小传输数据大小为8位。

    • 1+

      ￥34.84

    • 10+

      ￥34.06

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    IS61WV102416FBLL 10BLI
    型号：IS61WV102416FBLL-10BLI 编号：C1352207
    封装：TFBGA-48(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    是高速、16M 位静态随机存取存储器，组织为 1024K 字 x 16 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当 CS# 为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时可通过 CMOS 输入电平降低功耗。通过使用片选和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE#) 控制存储器的读写。数据字节允许访问上字节 (UB#) 和下字节 (LB#)。器件采用 JEDEC 标准 48 引脚 TSOP（I 型）、48 引脚微型 BGA（6mm x 8mm）和 54 引脚 TSOP（II 型）封装。
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    • 1+

      ￥88.62

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      ￥85.79
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    IS61WV51216EEBLL 10BLI
    型号：IS61WV51216EEBLL-10BLI 编号：C1351916
    封装：TFBGA-48(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    • 1+

      ￥86.376

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    IS63WV1024BLL 12HLI
    型号：IS63WV1024BLL-12HLI 编号：C1351050
    封装：STSOP-32-11.8mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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      ￥4.04

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      ￥2.14
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    IS61LV256AL 10JLI
    型号：IS61LV256AL-10JLI 编号：C1499718
    封装：SOJ-28
    品牌：ISSI(美国芯成)
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      ￥4.59

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      ￥2.43
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    CY62126EV30LL-45BVXI
    型号：CY62126EV30LL-45BVXI 编号：C2948537
    封装：VFBGA-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

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    23A512-I/ST
    型号：23A512-I/ST 编号：C619575
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    • 单价：

      ￥16.6104 / 个
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    23A512T-I/ST
    型号：23A512T-I/ST 编号：C2062461
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    • 1+

      ￥9.04

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      ￥5.07
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    23LC512-E/ST
    型号：23LC512-E/ST 编号：C619582
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥9.28

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      ￥5.2
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    23A512-E/ST
    型号：23A512-E/ST 编号：C1351223
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥9.36

    • 10+

      ￥7.76

    • 30+

      ￥6.88

    • 100+

      ￥5.89

    • 500+

      ￥5.45

    • 1000+

      ￥5.25
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    23A512T-E/ST
    型号：23A512T-E/ST 编号：C2063111
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥9.48

    • 10+

      ￥7.85

    • 30+

      ￥6.96

    • 100+

      ￥5.96

    • 500+

      ￥5.51

    • 1000+

      ￥5.31
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    23LC1024 E/SN
    型号：23LC1024-E/SN 编号：C1349136
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 200+

      ￥23.815

    • 500+

      ￥23.382
    我要订货
    CY7C09179V-12AC
    型号：CY7C09179V-12AC 编号：C2956110
    封装：LQFP-100(14x14)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥10.43

    • 200+

      ￥4.04

    • 500+

      ￥3.9

    • 1000+

      ￥3.83
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    23K640T-E/ST
    型号：23K640T-E/ST 编号：C619896
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23K640是64-Kbit低功耗CMOS技术的SPI串行SRAM，支持最高20MHz时钟频率，具有32字节页模式和灵活的操作模式。支持工业温度范围（-40°C至+85°C）和扩展温度范围（-40°C至+125°C）。符合AEC-Q100汽车标准，封装形式包括PDIP、SOIC和TSSOP。
    数据手册

    • 1+

      ￥10.71

    • 10+

      ￥9.08

    • 30+

      ￥8.06

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      ￥7.02

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    • 1000+

      ￥6.34
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    23K640-I/P
    型号：23K640-I/P 编号：C613590
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23K640是一款64 Kbit低功耗SPI串行SRAM，支持32字节页模式，工作电压为2.7-3.6V，工作温度范围为-40°C至+85°C，采用8引脚PDIP、SOIC和TSSOP封装。
    数据手册

    • 1+

      ￥10.96

    • 10+

      ￥9.37

    • 60+

      ￥8.05

    • 120+

      ￥7.03

    • 480+

      ￥6.57

    • 1200+

      ￥6.37
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    23A1024-I/SN
    型号：23A1024-I/SN 编号：C1349317
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23A1024 是 1 Mbit SPI 兼容的串行 SRAM 设备，支持 SDI 和 SQI 接口。工作电压范围为 1.7-2.2V，支持工业温度范围（-40°C 至 +85°C）。
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    • 1+

      ￥11.02

    • 10+

      ￥9.39

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      ￥8.32

    • 100+

      ￥7.28

    • 500+

      ￥6.81

    • 1000+

      ￥6.6
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    23A1024T-I/ST
    型号：23A1024T-I/ST 编号：C619889
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥11.69

    • 10+

      ￥9.92

    • 30+

      ￥8.8

    • 100+

      ￥7.66

    • 500+

      ￥7.15

    • 1000+

      ￥6.93
  • 订货
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    23LC1024-E/ST
    型号：23LC1024-E/ST 编号：C1349421
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 200+

      ￥24.2

    • 500+

      ￥23.76
    我要订货
    23A1024T-E/ST
    型号：23A1024T-E/ST 编号：C619888
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥11.96

    • 10+

      ￥10.14

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      ￥9.01

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      ￥7.31

    • 1000+

      ￥7.09
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    23LC1024T-E/ST
    型号：23LC1024T-E/ST 编号：C2063158
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥12.21

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      ￥10.36

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      ￥9.2

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    N64S830HAS22I
    型号：N64S830HAS22I 编号：C897839
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 64 K 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N64S830HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。
    数据手册

    • 1+

      ￥13.81

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    47L64 I/SN
    型号：47L64-I/SN 编号：C1019376
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

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    1-Mbit (128K × 8) 静态随机存取存储器
    型号：CY62128EV30LL-45ZAXI 编号：C2944685
    封装：TFSOP-32
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY62128EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM）模块，组织形式为128K字×8位。该器件采用先进的电路设计，可实现超低工作电流。这使其非常适合在诸如移动电话等便携式应用中延长电池续航时间（MoBL@）

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      ￥56.522044

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    47L16-E/SN
    型号：47L16-E/SN 编号：C95795
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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