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32Mb Advanced LPSRAM

型号：RMLV3216AGSD-5S2#AA0 编号：C5884703

封装：TSOPII-52

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RMLV3216A系列是一组32 Mbit的静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为2,097,152字×16位，采用高性能的先进低功耗静态随机存取存储器（LPSRAM）技术制造。RMLV3216A系列实现了更高的密度、更高的性能和低功耗。该系列具有低功耗待机功耗，因此适用于电池备份系统

1+
￥117.78
10+
￥113.75

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CY62167DV30LL-55ZXI

型号：CY62167DV30LL-55ZXI 编号：C2959206

封装：TFSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥150.19
30+
￥143.37

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16-Mbit静态随机存取存储器（SRAM），带纠错码（ECC）

型号：CY7C1062G30-10BGXI 编号：C2944699

封装：BGA-119

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1062G和CY7C1062GE是高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件，内置纠错码（ECC）功能。两者均具备三个片选信号，便于进行内存扩展。CY7C1062GE器件设有一个错误指示引脚，在检测到单比特错误并完成纠错时，该引脚会向主处理器发出信号

1+
￥417.42
30+
￥395.84

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IS63WV1024BLL 12HLI

型号：IS63WV1024BLL-12HLI 编号：C1351050

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥4.04
10+
￥3.26
30+
￥2.87
100+
￥2.49
500+
￥2.25
1000+
￥2.14

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IS61LV256AL 10JLI

型号：IS61LV256AL-10JLI 编号：C1499718

封装：SOJ-28

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥4.59
10+
￥3.71
30+
￥3.26
100+
￥2.83
500+
￥2.56
1000+
￥2.43

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CY62128BLL-70ZAE

型号：CY62128BLL-70ZAE 编号：C2958052

封装：TFSOP-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥6.35
200+
￥2.46
500+
￥2.37
1000+
￥2.33

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4K/16K I²C串行EERAM

型号：47L04T-I/SN 编号：C2062810

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是 4/16 Kbit SRAM 并带有 EEPROM 备份。该设备组织为 512 × 8 位或 2,048 × 8 位的内存，并采用 I²C 串行接口。SRAM 可进行无限次读写循环，而 EEPROM 单元可提供高耐久性的数据非易失性存储。通过外部电容器，SRAM 数据在掉电时会自动传输到 EEPROM。也可以通过硬件存储引脚或软件控制手动传输数据。上电时，EEPROM 数据会自动恢复到 SRAM，也可以通过软件控制启动恢复操作。提供 8 引脚 PDIP、SOIC 和 TSSOP 封装。

数据手册

1+
￥7.93
10+
￥7.75
30+
￥7.62

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23A512-I/ST

型号：23A512-I/ST 编号：C619575

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥8.85
10+
￥7.34
30+
￥6.51
100+
￥5.57
500+
￥5.15
1000+
￥4.96

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23A512T-I/ST

型号：23A512T-I/ST 编号：C2062461

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥9.04
10+
￥7.49
30+
￥6.64
100+
￥5.68
500+
￥5.26
1000+
￥5.07

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23LC512-E/ST

型号：23LC512-E/ST 编号：C619582

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥9.28
10+
￥7.69
30+
￥6.82
100+
￥5.84
500+
￥5.4
1000+
￥5.2

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23A512-E/ST

型号：23A512-E/ST 编号：C1351223

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥9.36
10+
￥7.76
30+
￥6.88
100+
￥5.89
500+
￥5.45
1000+
￥5.25

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23A512T-E/ST

型号：23A512T-E/ST 编号：C2063111

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥9.48
10+
￥7.85
30+
￥6.96
100+
￥5.96
500+
￥5.51
1000+
￥5.31

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23LC1024 E/SN

型号：23LC1024-E/SN 编号：C1349136

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

100+
￥23.2064
200+
￥22.792
500+
￥22.3776

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23K640T-E/ST

型号：23K640T-E/ST 编号：C619896

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23K640是64-Kbit低功耗CMOS技术的SPI串行SRAM，支持最高20MHz时钟频率，具有32字节页模式和灵活的操作模式。支持工业温度范围（-40°C至+85°C）和扩展温度范围（-40°C至+125°C）。符合AEC-Q100汽车标准，封装形式包括PDIP、SOIC和TSSOP。

数据手册

1+
￥10.71
10+
￥9.08
30+
￥8.06
100+
￥7.02
500+
￥6.55
1000+
￥6.34

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23K640-I/P

型号：23K640-I/P 编号：C613590

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23K640是一款64 Kbit低功耗SPI串行SRAM，支持32字节页模式，工作电压为2.7-3.6V，工作温度范围为-40°C至+85°C，采用8引脚PDIP、SOIC和TSSOP封装。

数据手册

1+
￥10.96
10+
￥9.37
60+
￥8.05
120+
￥7.03
480+
￥6.57
1200+
￥6.37

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23A1024-I/SN

型号：23A1024-I/SN 编号：C1349317

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23A1024 是 1 Mbit SPI 兼容的串行 SRAM 设备，支持 SDI 和 SQI 接口。工作电压范围为 1.7-2.2V，支持工业温度范围（-40°C 至 +85°C）。

数据手册

1+
￥11.02
10+
￥9.39
30+
￥8.32
100+
￥7.28
500+
￥6.81
1000+
￥6.6

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23A1024T-I/ST

型号：23A1024T-I/ST 编号：C619889

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥11.69
10+
￥9.92
30+
￥8.8
100+
￥7.66
500+
￥7.15
1000+
￥6.93

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23LC1024-E/ST

型号：23LC1024-E/ST 编号：C1349421

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

100+
￥23.5872
200+
￥23.166
500+
￥22.7448

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IS61WV5128EDBLL 10TLI

型号：IS61WV5128EDBLL-10TLI 编号：C1349067

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV5128EDBLL是高速4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为524,288字×8位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥11.88
10+
￥10.13
30+
￥9.03
100+
￥7.91
500+
￥7.4
1000+
￥7.18

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23A1024T-E/ST

型号：23A1024T-E/ST 编号：C619888

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥11.96
10+
￥10.14
30+
￥9.01
100+
￥7.84
500+
￥7.31
1000+
￥7.09

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23LC1024T-E/ST

型号：23LC1024T-E/ST 编号：C2063158

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥12.21
10+
￥10.36
30+
￥9.2
100+
￥8.01
500+
￥7.47
1000+
￥7.24

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64 kb低功耗串行SRAM

型号：N64S830HAS22I 编号：C897839

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 64 K 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N64S830HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

数据手册

1+
￥13.81
10+
￥11.71
30+
￥10.4
100+
￥9.05
500+
￥8.44
1000+
￥8.18

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47L64 I/SN

型号：47L64-I/SN 编号：C1019376

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥14.31
10+
￥12.31
30+
￥11.06
100+
￥9.37
500+
￥8.8
1000+
￥8.54

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47L16-E/SN

型号：47L16-E/SN 编号：C95795

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥15.43
10+
￥13.16
30+
￥11.73
100+
￥10.12
500+
￥9.46
1000+
￥9.17

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N25S830HAT22I

型号：N25S830HAT22I 编号：C223618

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

这是一款256 Kb的串行SRAM，内部组织为32 K x 8-Bit。采用先进的CMOS技术制造，具有高速性能和低功耗。支持单个片选（CS）输入，使用简单的SPI串行总线。包括HOLD引脚，用于暂停通信。工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于多种标准封装。

数据手册

1+
￥16.03
10+
￥13.67
30+
￥12.19
100+
￥10.67
500+
￥9.99
1000+
￥9.69

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47C16-I/P

型号：47C16-I/P 编号：C610315

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

100+
￥8.8816
200+
￥8.723
500+
￥8.5644

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IS62WV25616EBLL 45TLI

型号：IS62WV25616EBLL-45TLI 编号：C1349209

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

高速、低功耗，4M位静态随机存取存储器，组织为256K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当CS1#为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中）或CS1#为低电平、CS2为高电平且LB#和UB#均为高电平时，器件进入待机模式，此时可通过CMOS输入电平降低功耗。通过使用片选使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE#）控制存储器的读写操作。数据字节允许进行高字节（UB#）和低字节（LB#）访问。采用JEDEC标准的48引脚微型BGA（6mm x 8mm）和44引脚TSOP（II型）封装。

数据手册

1+
￥24.97
10+
￥24.35
30+
￥23.94
100+
￥23.53

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CY7C1049GN30-10ZSXIT

型号：CY7C1049GN30-10ZSXIT 编号：C914897

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1049GN是一款高性能CMOS快速静态RAM，组织为512K字节×8-Bit。具有高速读写能力，低功耗，支持多种供电电压范围。

数据手册

1+
￥25.76
10+
￥25.2
30+
￥24.83
100+
￥24.46

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23LC512 I/P

型号：23LC512-I/P 编号：C1350850

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

100+
￥16.6208
200+
￥16.324
500+
￥16.0272

我要订货

1Mbit SPI串行SRAM，具备SDI和SQI接口

型号：23LC1024T-I/ST 编号：C2655472

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC1024是一款1 Mbit SPI兼容的串行SRAM，支持SDI和SQI接口。工作电压范围为2.5V至5.5V，支持无限次读写操作，零写入时间，128K x 8-Bit组织结构。

数据手册

100+
￥21.472
500+
￥20.944
1000+
￥20.0448
3000+
￥19.5264

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