EEPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：24LC512-I/ST 编号：C511288

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA512/24LC512/24FC512（24xxx12）是一款64K×8（512 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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1+
￥26.59
10+
￥22.83
30+
￥20.6

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型号：BR25A1MFJ-3MGE2 编号：C2062532

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

是一款具有SPI总线接口的1Mbit串行EEPROM。

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1+
￥26.6071 ￥27.43
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￥23.3334 ￥26.82
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￥20.02 ￥26

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型号：24LC512-E/SN 编号：C1348990

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA512/24LC512/24FC512（24xxx12*）是一款64K×8（512 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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1+
￥27.15
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￥23.01
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型号：M95M04-DRDW6TP 编号：C1852766

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

4-Mbit 串行 SPI 总线 EEPROM

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1+
￥34.85
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￥30.02
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￥27.07

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型号：BR24L64F-WE2 编号：C5603018

封装：SOIC-8-175mil

品牌：ROHM(罗姆)

20+
￥0.2258
200+
￥0.1781
600+
￥0.1516
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型号：AT24C02S(TP) 编号：C51939533

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

10+
￥0.3169
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￥0.2483
300+
￥0.214
3000+
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￥0.1676
9000+
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型号：FT24C02A-KTR-T 编号：C232864

封装：TSSOP-8

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C02A-KxX是一款2K位的串行EEPROM，支持I2C接口。它具有低电压和低功耗操作，工作电压范围为1.8V至5.5V，工业温度范围为-40°C至85°C。该设备具有16字节页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256 x 8 (2K)。标准2线双向串行接口，自定时编程周期（最大5ms），1MHz (2.5-5V)，400 kHz (1.8V) 兼容，自动擦除前写操作，硬件数据保护，高可靠性（通常1,000,000次耐久性），100年数据保留。

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10+
￥0.4428
100+
￥0.3504
300+
￥0.3041
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￥0.2532
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10000+
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型号：FT24C32A-ESR-B 编号：C417363

封装：SOP-8

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C32A系列是32,768位的串行电气可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。它们组织为4096个8位字（一个字节）。该设备支持1.8V至5.5V的工作电压，具有32字节的页写模式，部分页写操作允许。内部自定时写周期最大为5毫秒，数据保留时间为100年，工业温度范围为-40°C至85°C。

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5+
￥0.7027
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型号：LR24C08D 编号：C411181

封装：SOP-8

品牌：LRC(乐山无线电)

LR24C08 提供 8192 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 1024 个 8 位字。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。

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5+
￥0.7184
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￥0.5878
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型号：BR24G16FJ-3GTE2 编号：C2061431

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR24G16 - 3是一款采用I²C总线接口的16Kbit串行EEPROM。

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50+
￥11.580454
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￥9.717286
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￥8.070289
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型号：BR34E02FVT-3E2 编号：C2061263

封装：TSSOP-8-175mil

品牌：ROHM(罗姆)

是256×8位电可擦除可编程只读存储器（基于串行存在检测）

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1+
￥0.871
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￥0.852
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型号：BR24G02FJ-3GTE2 编号：C2061190

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR24G02-3 是一款采用 I²C 总线接口的 2Kbit 串行 EEPROM。

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￥0.9033
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￥0.7072
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型号：FT93C66A-USR-B 编号：C5263795

封装：SOP-8

品牌：FMD(辉芒微)

FT93C66A系列是4096位串行电气可擦除可编程存储器，支持1.8V至5.5V的工作电压，具有自定时擦除/写入功能，典型1百万次擦除/写入周期寿命，100年数据保留时间，工业温度范围（-40°C至85°C），标准8引脚DIP/SOP/TSSOP/DFN无铅封装。

5+
￥1.107
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￥0.8752
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型号：BR24T64FVT-WE2 编号：C123060

封装：TSSOP-8

品牌：ROHM(罗姆)

是 I²C BUS 接口方式的串行 EEPROM

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￥1.37
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型号：M34E02-FMC6TG 编号：C2061374

封装：UFDFPN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

DRAM模块的2 Kbit I2C总线串行EEPROM和SPD（DDR2/DDR3）

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1+
￥1.61
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￥1.57
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型号：M93C86-WMN6TP 编号：C111883

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

16 Kbit（8位或16位宽）MICROWIRE串行访问EEPROM

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50+
￥0.9153
500+
￥0.8475
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型号：CAT24C04C4ATR 编号：C895341

封装：WLCSP-4(0.8x0.9)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C04C4是一款4Kb I2C接口的串行EEPROM，支持标准和快速I2C协议，工作电压范围为1.7V至5.5V，具有16字节的页写缓冲区，硬件写保护，低功耗CMOS技术，超过1,000,000次擦写周期，100年的数据保留时间，工业和扩展温度范围。

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1+
￥1.7
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￥1.66
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型号：M24C32-RMN6P 编号：C2971392

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

M24C32是一款32Kbit I2C兼容EEPROM，组织为4Kx8位。支持所有I2C总线模式，包括1MHz、400kHz和100kHz。单电源电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。具有超过400万次写周期寿命和超过200年的数据保留时间。

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￥2
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型号：M24C08-RMC6TG 编号：C2061327

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

8 Kbit串行I2C总线EEPROM

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1+
￥2.33
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￥2.27
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￥2.23

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型号：M95640-DFMN6TP 编号：C2971296

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

M95640-DFMN6TP 是一款64Kbit (8192x8) 的SPI串行访问EEPROM，具有高时钟速度（20MHz）和宽工作电压范围（1.7V至5.5V）。该设备支持页写操作，并具有超过4百万次的写周期寿命和超过200年的数据保留时间。

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1+
￥2.34
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￥2.28
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￥2.24
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￥2.2

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型号：BR24G32FVT-3AGE2 编号：C2902976

封装：TSSOP-8-175mil

品牌：ROHM(罗姆)

1+
￥2.5
10+
￥1.95
30+
￥1.71

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型号：24FC08T-I/OT 编号：C1870703

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 24XX08(1) 是一款8Kbit I2C串行EEPROM。该设备分为四个256x8位的内存块，具有低功耗CMOS技术，支持1.7V至5.5V的工作电压范围，具有100 kHz、400 kHz和1 MHz的兼容性。

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￥2.52
10+
￥2.46
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￥2.42

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型号：CAT34C02VP2IGT4A 编号：C894815

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT34C02 是一款用于 DDR2 DIMM 的 EEPROM 串行 2-Kb SPD，内部组织为 16 页，每页 16 个字节，总共 256x8 位。它具有 16 字节页写入缓存，支持 Standard (100 kHz) 和 Fast (400 kHz) I2C 协议。写入操作可以通过将 WP 引脚置于高电平（保护整个内存）或通过软件命令设置内部写保护标志（保护内存的下半区）来禁止。除了永久性软件写保护之外，CAT34C02 还具有兼容 JEDEC 的可逆向软件写保护，用于基于 1.7 V 至 3.6 V 电源电压范围运行的 DDR2 顺序内存指示位检测 (SPD) 应用。CAT34C02 完全向后兼容之前基于 1.7 V 至 5.5 V 电源电压范围运行的 DDR1 SPD 应用。

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