EEPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

24AA1026/24LC1026/24FC1026（24XX1026*）是一款128K×8（1024 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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型号：AT28BV64B-20SU 编号：C1348881

封装：SOIC-28-300mil

AT28BV64B是一款64K字节（8K x 8）的非易失性存储器（EEPROM）。它采用Atmel先进的非易失性CMOS技术，提供200ns的快速读取访问时间和低功耗特性。该设备在未选中时，CMOS待机电流小于20uA。支持自动页写操作，最多可同时写入64字节数据。

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型号：AT28BV64B-20SU-T 编号：C2063878

封装：SOIC-28-300mil

AT28BV64B是一款64K字节（8K x 8）的非易失性存储器（EEPROM）。它采用Atmel先进的非易失性CMOS技术，提供200ns的快速读取访问时间和低功耗特性。该设备在未选中时，CMOS待机电流小于20uA。支持自动页写操作，最多可同时写入64字节数据。

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型号：BR24L64F-WE2 编号：C5603018

封装：SOIC-8-175mil

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型号：AT24C02-TD 编号：C42421822

封装：SOP-8

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

是电可擦除PROM，采用256/512/1024/2048/4096/8192×8-bit的组织结构以及两线串行接口。电压可允许低至1.8V，待机电流和工作电流分别为1μA和1mA。具有页写能力，每页分别为8/16/16/16/32/32字节。具有8-pin PDIP和8-pin SOP和5-pin SOT三种封装形式。

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型号：FT24C08A-ETR-T 编号：C232870

封装：TSSOP-8

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C08A是一款8192位的串行EEPROM，支持1.8V至5.5V的工作电压，适用于工业温度范围（-40°C至85°C）。它具有低功耗、16字节页写模式、自定时编程周期（最大5ms）、1MHz（2.5-5V）和400kHz（1.8V）兼容性、硬件数据保护等功能。

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型号：FT24C64A-TSR-T 编号：C7434830

封装：SOP-8

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C64A是一款64K位（8位宽）的两线串行EEPROM。该器件采用先进的CMOS工艺制造，适用于低电压和低功耗应用。支持32字节页写模式，部分页写操作允许。具有标准2线双向串行接口，内置Schmitt触发器和噪声保护输入。自定时写周期（最大5毫秒），支持1000 kHz（2.5-5.5V）和400 kHz（1.7V）兼容。自动擦除前写操作，硬件数据保护。高可靠性，通常可承受1,000,000次写周期。数据保留时间为100年。工作温度范围为-40°C至85°C。提供多种封装选项。

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型号：BL24C16A-RRRC 编号：C191945

封装：TSOT-23-5

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C02A/04A/08A/16A 提供 2048/4096/8192/16384 位的 I2C 串行 EEPROM，适用于低功耗和低电压操作，具有硬件数据保护功能。

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型号：FT24C32A-ESR-B 编号：C417363

封装：SOP-8

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C32A系列是32,768位的串行电气可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。它们组织为4096个8位字（一个字节）。该设备支持1.8V至5.5V的工作电压，具有32字节的页写模式，部分页写操作允许。内部自定时写周期最大为5毫秒，数据保留时间为100年，工业温度范围为-40°C至85°C。

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型号：BR24G16FJ-3GTE2 编号：C2061431

封装：SOIC-8

BR24G16 - 3是一款采用I²C总线接口的16Kbit串行EEPROM。

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型号：BR34E02FVT-3E2 编号：C2061263

封装：TSSOP-8-175mil

是256×8位电可擦除可编程只读存储器（基于串行存在检测）

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型号：BR24G02FJ-3GTE2 编号：C2061190

封装：SOIC-8

BR24G02-3 是一款采用 I²C 总线接口的 2Kbit 串行 EEPROM。

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型号：N24C02UVTG 编号：C730372

封装：US-8

品牌：onsemi(安森美)

N24C02 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C、US 8 引线封装器件，内部组织为 16 页，每页 16 字节。此器件支持 Standard (100 kHz)、Fast (400 kHz) 和 Fast Plus (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚可在同一总线上实现最多八个 N24C02 器件的寻址。

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型号：M34E02-FMC6TG 编号：C2061374

封装：UFDFPN-8(2x3)

DRAM模块的2 Kbit I2C总线串行EEPROM和SPD（DDR2/DDR3）

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型号：M24C32-RMN6P 编号：C2971392

封装：SOIC-8

M24C32是一款32Kbit I2C兼容EEPROM，组织为4Kx8位。支持所有I2C总线模式，包括1MHz、400kHz和100kHz。单电源电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。具有超过400万次写周期寿命和超过200年的数据保留时间。

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型号：BRCF016GWZ-3E2 编号：C2061977

封装：XFBGA-4

BRCF016GWZ - 3是一款采用I²C总线接口方式的串行EEPROM。

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型号：FM24C512D-TS-T-G 编号：C192125

封装：TSSOP-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C512D提供524,288位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为65,536个8位字，带有128位UID和128字节安全区。该器件的可级联特性允许最多8个器件共享一个公共两线总线。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压操作至关重要。

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型号：M24C04-DRDW8TP/K 编号：C2061653

封装：TSSOP-8

4 Kbit串行I2C总线EEPROM，105°C工作温度

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型号：M95640-DFMN6TP 编号：C2971296

封装：SOIC-8

M95640-DFMN6TP 是一款64Kbit (8192x8) 的SPI串行访问EEPROM，具有高时钟速度（20MHz）和宽工作电压范围（1.7V至5.5V）。该设备支持页写操作，并具有超过4百万次的写周期寿命和超过200年的数据保留时间。

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型号：AT24CS02-XHM-T 编号：C616774

封装：TSSOP-8

AT24CS01/AT24CS02 是 I2C 兼容的串行 EEPROM，具有 128 位唯一工厂编程的序列号。存储容量分别为 1Kbit 和 2Kbit。支持 1.7V 至 5.5V 的低电压操作，工业温度范围为 -40°C 至 +85°C。

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型号：CAT34C02VP2IGT4A 编号：C894815

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT34C02 是一款用于 DDR2 DIMM 的 EEPROM 串行 2-Kb SPD，内部组织为 16 页，每页 16 个字节，总共 256x8 位。它具有 16 字节页写入缓存，支持 Standard (100 kHz) 和 Fast (400 kHz) I2C 协议。写入操作可以通过将 WP 引脚置于高电平（保护整个内存）或通过软件命令设置内部写保护标志（保护内存的下半区）来禁止。除了永久性软件写保护之外，CAT34C02 还具有兼容 JEDEC 的可逆向软件写保护，用于基于 1.7 V 至 3.6 V 电源电压范围运行的 DDR2 顺序内存指示位检测 (SPD) 应用。CAT34C02 完全向后兼容之前基于 1.7 V 至 5.5 V 电源电压范围运行的 DDR1 SPD 应用。

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型号：AT24HC02C-XHM-T 编号：C2062003

封装：TSSOP-8

AT24HC02C是一款2K位的I2C兼容串行EEPROM，具有256个8位字的内部组织结构。它支持工业温度范围（-40°C至+85°C），工作电压范围为1.7V至5.5V。该设备具有多种读写模式，包括随机读取、顺序读取和部分页面写入。

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￥2.7
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型号：M95020-WDW6TP 编号：C2061259

封装：TSSOP-8

2 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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型号：24AA025E48T-E/OT 编号：C2066000

封装：SOT-23-6

24AA025E48是一款2Kbit I2C串行EEPROM，具有EUI-48节点身份，工作电压为1.7V至5.5V，支持400kHz的时钟频率，适用于工业和汽车级温度范围。该器件支持8字节页写操作，具有低功耗CMOS技术，最大读电流为1mA，最大待机电流为1uA。封装选项包括8引脚SOIC和6引脚SOT-23。

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型号：M24C16-DRDW8TP/K 编号：C5267650

封装：TSSOP-8