EEPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：93LC56BT-E/SN 编号：C615921

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93LC56A/B/C 是2-Kbit低电压串行EEPROM，支持Microwire兼容接口。这些器件采用先进的CMOS技术，适用于低功耗、非易失性存储应用。提供多种封装选项，包括PDIP、SOIC、TSSOP、MSOP、SOT-23等。

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型号：NV34C02MUW3VTBG 编号：C894150

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

NV34C02WF是一款2-kb EEPROM，支持标准和快速I2C协议，具有16字节页写缓冲区，支持硬件和软件写保护，适用于DDR2 SPD应用。

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型号：M24C04-DRMN8TP/K 编号：C2061089

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

4 Kbit串行I2C总线EEPROM，105°C工作温度

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型号：NV25080DWHFT3G 编号：C604513

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NV25080是一款8Kb SPI EEPROM，适用于汽车级0应用，支持32字节页写缓冲区，具备硬件和软件写保护功能，包括部分和全阵列保护。内置错误校正码（ECC）技术，适合高可靠性应用。工作电压范围为2.5V至5.5V，支持10MHz SPI协议。

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型号：M24C04-DRMN3TP/K 编号：C2062119

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车级4 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：24LC16BT-E/SN 编号：C2061158

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xx16是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由八个256×8位的存储块组成，采用两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：M24C16-DFCU6TP/K 编号：C2061118

封装：WLCSP-4

品牌：ST(意法半导体)

16 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：24AA025-I/SN 编号：C615109

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA024/24LC024/24AA025/24LC025是一款2 Kbit串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由一个256×8位的存储块组成。其低电压设计允许在低至1的电压下工作

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型号：AT24CSW010-STUM-T 编号：C5224830

封装：TSOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CSW01X/AT24CSW02X 提供 1024/2048 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 128/256 个 8 位字。该器件经过优化……

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型号：93LC46A-I/SN 编号：C185647

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93LC46A是一款1Kbit低电压串行EEPROM，支持8位组织结构，工作电压范围为2.5V至5.5V。该器件具有100万次擦写周期寿命，数据保留时间超过200年。支持行业标准的3线串行I/O接口，适用于工业温度范围。

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型号：24CS256T-I/OT 编号：C5497946

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

提供256 Kbits的串行EEPROM，采用具有3.4 MHz高速模式能力的I²C（两线）串行接口。该设备组织为32,768个8位字节（32 Kbyte），针对需要可靠和稳定的非易失性存储器存储的消费、工业和汽车应用进行了优化。允许最多八个设备共享一个公共的I²C（两线）总线，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内运行。具有一个1 Kbit的安全寄存器，与256 Kbit的存储阵列分开。安全寄存器的前半部分为只读，包含一个工厂编程的、全局唯一的128位序列号。128位序列号在整个CS系列串行EEPROM产品中是唯一的，消除了在生产线上对产品进行序列化的耗时步骤

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型号：AT24C02D-PUM 编号：C1349153

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压运行：VCC = 1.7V至3.6V。内部组织为128 × 8（1K）或256 × 8（2K）。工业温度范围：-40℃至+85℃。I²C兼容（两线）串行接口:100kHz标准模式，1.7V至3.6V

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型号：24LC02B-I/P 编号：C613680

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx02是一款2 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：M95040-RDW6TP 编号：C2970958

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

M95040-RDW6TP是一款4 Kbit（512字节）的SPI接口EEPROM，具有高速时钟，支持1.8V至5.5V的工作电压，工作温度范围为-40°C至85°C。

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型号：AT93C56B-XHM-T 编号：C2061316

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT93C56B是一款2Kbit的三线串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的低电压操作，具有工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件具有自定时写周期，最大写周期时间为5ms，可承受1,000,000次写周期，并且数据保留时间为100年。

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型号：AT24CS01-STUM-T 编号：C616257

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压工作：VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为128 × 8（1K）或256 × 8（2K）。128位唯一工厂编程序列号。永久只读值

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型号：24LC01BT-E/SN 编号：C615670

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款1 Kbit电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。该设备由一个128×8位的存储块组成，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和1mA。还具备高达8字节数据的页写入能力。

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型号：24LC04BT-I/MS 编号：C2061230

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX04是一款4 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由两个256×8位的存储块组成。其低压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：AT21CS01-STUM11-T 编号：C5229258

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT21CS01/AT21CS11 是一款两针存储器（SI/O 和地），从 SI/O 引脚获取能量来供电。它提供 1,024 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为 128 个 8 位字。

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型号：24AA64T-E/MNY 编号：C616452

封装：TDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24Xx64是一款64 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个8K×8位的单块存储器。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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型号：24LC024T-I/SN 编号：C2061308

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA024/24LC024/24AA025/24LC025是一个2 Kbit串行电可擦除PROM，电压范围为1.7V至5.5V。该设备被组织为一个由256x8位存储器组成的单块，具有2线串行接口。低电流设计允许典型待机和活动电流分别仅为1 μA和1 mA。

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型号：24LC256T-I/SM 编号：C616159

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx256 是一款 32K×8（256 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V 至 5.5V）内工作。

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型号：24LC64T-E/ST 编号：C2061456

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64（24xx64*）是一款64 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用2线串行接口，组织为一个8K×8位的单块存储器。低电压设计允许其在低至1（此处原文未完整给出电压值）的电压下工作

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型号：24AA02T-I/LT 编号：C614818

封装：SC-70-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款2-Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由一个256 x 8位内存块组成，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和1mA。还具备最多8字节数据的页面写入能力。

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型号：24LC02BT-I/LT 编号：C614826

封装：SC-70-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx02是一款2 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：24AA08T-I/SN 编号：C2060935

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

该产品是一个8K位电可擦除PROM。该设备由四个256×8位的存储块组成，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和1mA。该产品还具有高达16字节数据的页面写入能力。

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型号：93LC66C-I/MS 编号：C1350907

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93LC66C-I/MS是一款4Kbit低电压串行EEPROM，支持512x8位或256x16位组织。工作电压范围为2.5V至5.5V，适用于工业温度范围。

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型号：93LC56BT-E/ST 编号：C2061320

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

2Kbit低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如93AA56C、93LC56C或93C56C）依赖于驱动ORG引脚的外部逻辑电平来设置字大小。对于专用8位通信，可使用相关设备，而某些设备提供专用16位通信。先进的CMOS技术使这些设备适用于低功耗、非易失性存储应用。整个系列有标准封装和先进封装，所有封装均为无铅（雾锡）表面处理。

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型号：24LC08B/SN 编号：C615192

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 24LC08B/SN 是一款8Kbit I2C兼容的串行EEPROM。该设备具有低功耗CMOS技术，支持2.5V至5.5V的工作电压，最大时钟频率为400kHz，工作温度范围为-40°C至+125°C。具有100万次擦写周期寿命和超过200年的数据保留时间。

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型号：GX2431GA 编号：C2926930

封装：SFN-2(3.5x6.5)

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431GA是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

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