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首页 > 热门关键词 > EEPROM存储器芯片
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24LC16BT-I/ST
型号：24LC16BT-I/ST 编号：C620001
封装：TSSOP-8
品牌：MICROCHIP(美国微芯)
24LC16BT是一款16Kbit I2C串行EEPROM，具有低功耗CMOS技术，支持2.5V至5.5V供电，工作温度范围为-40°C至+85°C。该器件支持页写操作，可写入最多16字节的数据，具有超过1百万次擦写寿命和超过200年的数据保留时间。
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    2Kbit Microwire兼容串行EEPROM
    型号：93LC56CT-I/SN 编号：C2061204
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    93LC56CT-I/SN是一款2K位低电压串行EEPROM，支持8位或16位组织结构，适用于各种低功耗、非易失性存储应用。该器件具有自定时擦除/写入周期、自动擦除所有数据功能，并提供多种封装选项。
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    4K位微线兼容串行EEPROM
    型号：93AA66CT-I/SN 编号：C615851
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    93AA66CT-I/SN 是一款4Kbit 1.8V Microwire兼容串行EEPROM，支持512x8或256x16组织，适用于工业温度范围。
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    1K位微线兼容串行EEPROM
    型号：93LC46CT-I/SN 编号：C2061137
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    是1Kbit低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如93AA46C、93LC46C或93C46C）依赖于驱动ORG引脚的外部逻辑电平来设置字大小。对于专用8位通信，有93AA46A、93LC46A或93C46A设备；对于专用16位通信，有93AA46B、93LC46B和93C46B设备。先进的CMOS技术使其适用于低功耗、非易失性存储器应用。整个93XX系列有标准封装（如8引脚PDIP和SOIC）和先进封装（如8引脚MSOP、6引脚SOT-23、8引脚2x3 DFN/TDFN和8引脚TSSOP），所有封装均为无铅（哑光锡）表面处理。
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    带高速时钟的8K位串行SPI总线EEPROM
    型号：M95080-WDW6TP 编号：C2061017
    封装：TSSOP-8
    品牌：ST(意法半导体)
    8 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟
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    93LC56BT-E/MNY
    型号：93LC56BT-E/MNY 编号：C616589
    封装：TDFN-8-EP(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    93LC56BT-E/MNY是一款2-Kbit低电压串行EEPROM，支持Microwire协议，工作电压范围为2.5V至5.5V，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。
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    16K I2C串行EEPROM，支持半阵列写保护
    型号：24LC16BHT-I/MNY 编号：C616493
    封装：TDFN-8-EP(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC16BH是一款16K位I2C串行EEPROM，具有半阵列写保护功能。该设备分为八个256字节的内存块，支持2.5V至5.5V的单电源供电，最大时钟频率为400kHz。
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    32Kbit I²C兼容串行EEPROM
    型号：AT24C32D-MAHM-E 编号：C2061262
    封装：DFN-8-EP(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT24C32D是一款32K位（4096 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的低电压和标准电压操作，工作温度范围为-40°C至+85°C。该器件具有100kHz至1MHz的I2C兼容串行接口，支持32字节页写模式，具有1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留能力。
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    24LC08B-E/SN
    型号：24LC08B-E/SN 编号：C615189
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC08B-E/SN是一款8Kbit I2C串行EEPROM，具有400kHz的最大时钟频率，适用于扩展温度范围（-40°C至+125°C）。该器件支持页写功能，最大写周期时间为5ms，具有超过1百万次擦写寿命和超过200年的数据保留能力。
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    4-Kbit 2.5V低电压串行EEPROM，带可选组织功能，工业级温度范围
    型号：93LC66CT-I/MC 编号：C612344
    封装：DFN-8-EP(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    93LC66CT-I/MC 是一款4-Kbit 2.5V低电压串行EEPROM，支持8位或16位组织方式，适用于工业级温度范围，采用MSOP封装。
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    32 Kbit I²C串行EEPROM
    型号：24LC32A-E/SN 编号：C615212
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24XX32A是一款32 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，将存储单元组织为一个4K×8位的单块存储器。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作
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    24C02C-E/MS
    型号：24C02C-E/MS 编号：C613091
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    Microchip Technology Inc. 24C02C 是一款2K位的串行EEPROM，工作电压范围为4.5V至5.5V。该设备组织为一个256x8位的存储块，具有I2C兼容的2线串行接口。支持高达100万次擦写，数据保留时间超过200年。
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    4 Kbit SPI接口EEPROM
    型号：M95020-RMN6TP 编号：C222216
    封装：SOIC-8
    品牌：ST(意法半导体)
    M95020-RMN6TP是一款4 Kbit（512字节）的SPI接口EEPROM，具有高速时钟，支持1.8V至5.5V的工作电压，工作温度范围为-40°C至85°C。
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    128Kbit SPI接口EEPROM
    型号：M95128-DFMN6TP 编号：C5221748
    封装：SO-8
    品牌：ST(意法半导体)
    M95128-DFMN6TP是一款128Kbit SPI接口的EEPROM，具有高时钟速度，适用于多种应用场景。

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    2Kbit I²C兼容串行存在检测EEPROM，带永久和可逆软件写保护
    型号：AT34C02D-XHM-B 编号：C1349398
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT34C02D 设计用于支持 JEDEC EE1002 和 EE1002A 串行存在检测 (SPD) 功能，适用于 DDR、DDR2 和 DDR3 双列直插式内存模块 (DIMM)。它提供 2,048 位的串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，组织为 256 个 8 位字。该设备还集成了永久性和可逆软件写保护功能，用于 EEPROM 的较低 128 字节。
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    32-Kb串行EEPROM I2C接口
    型号：CAV24C32YE-GT3 编号：C605353
    封装：TSSOP-8
    品牌：onsemi(安森美)
    CAV24C32是一款32Kb I2C EEPROM，支持标准和快速I2C协议，具有32字节页写缓冲区，支持硬件写保护，适用于汽车和其他需要现场控制和变更控制的应用。
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    24C02C-E/P
    型号：24C02C-E/P 编号：C613643
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24C02C是一款2K位的串行EEPROM，工作电压为4.5V至5.5V，支持I2C接口，具有低功耗CMOS技术，可进行页写操作，具有硬件写保护功能。
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    64KbitI²C串行EEPROM，具有1.7V至5.5V工作电压和400kHz时钟频率
    型号：24AA64-I/ST 编号：C619613
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA64-I/ST是一款64K位I2C串行EEPROM，具有1.7V至5.5V的工作电压范围，400kHz的时钟频率，支持工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件具有低功耗特性，支持页写操作，具有硬件写保护功能。
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    带高速时钟的8K位串行SPI总线EEPROM
    型号：M95080-RMC6TG 编号：C2061732
    封装：UFDFPN-8(2x3)
    品牌：ST(意法半导体)
    8 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟
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    32 Kbit，兼容I²C（两线制）的串行EEPROM
    型号：AT24C32D-XHM-B 编号：C1353500
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    特性：低电压和标准电压操作：VCC = 1.7V至5.5V。 内部组织为4,096 x 8（32K）。 工业温度范围：-40°C至+85°C。 I²C兼容（2线）串行接口: 100 kHz标准模式，1.7V至5.5V
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    支持高速时钟的汽车级32 Kbit串行SPI总线EEPROM
    型号：M95320-DRDW3TP/K 编号：C2061930
    封装：TSSOP-8
    品牌：ST(意法半导体)
    汽车用32 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟
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    64Kbit I2C兼容串行EEPROM，带唯一128bit 序列号
    型号：AT24CS64-MAHM-T 编号：C2061553
    封装：UDFN-8-EP(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT24CS64提供64Kbit（8,192 x 8）的串行EEPROM，具有128位唯一工厂编程的序列号。支持I2C兼容的两线数字串行接口，适用于低功耗和低电压操作。
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    • 1+

      ￥5.79

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    24LC32AF-E/SN
    型号：24LC32AF-E/SN 编号：C615213
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC32AF 是一款32Kbit I2C EEPROM，具有半阵列写保护功能，支持2.5V至5.5V的工作电压，采用8-pin SOIC封装。

    • 1+

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    16K位微线兼容串行EEPROM
    型号：93LC86C-I/P 编号：C1350520
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    16K 位低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如 93XX86C）依赖于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。93XX86A 设备提供专用的 8 位存储器结构，而 93XX86B 设备提供专用的 16 位存储器结构。程序使能（PE）引脚允许用户对整个存储器阵列进行写保护
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    4K SPI总线串行EEPROM
    型号：25AA040A-I/MS 编号：C1350517
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25XX040A是一款4 Kbit串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该存储器通过一个简单的兼容串行外设接口（SPI）的串行总线进行访问。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线
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    8-Kb CMOS串行EEPROM，支持I2C协议，低电压，汽车级1级，工作温度-40°C至+125°C，
    型号：NV24C08SNVLT3G 编号：C5207942
    封装：TSOP-5
    品牌：onsemi(安森美)
    NV24C08LV 是8-Kb CMOS串行EEPROM设备，支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。支持硬件写保护，具有100年的数据保留时间和超过1,000,000次的擦写周期。
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    16Kbit I2C串行EEPROM，低功耗CMOS技术，支持100万次擦写，200年数据保持
    型号：24LC16B-E/MC 编号：C612231
    封装：TDFN-8-EP(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC16B-E/MC是一款16Kbit I2C串行EEPROM，支持100万次擦写，200年数据保持。工作电压范围为2.5V至5.5V，支持400kHz时钟频率。具有低功耗CMOS技术，适用于各种低功耗应用。
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    256 Kbit串行I2C总线EEPROM 105℃工作温度
    型号：M24256-DRDW8TP/K 编号：C2061704
    封装：TSSOP-8
    品牌：ST(意法半导体)
    M24256-DRDW8TP/K 是一款256-Kbit的串行I2C总线EEPROM，支持最高105°C的工作温度。该器件符合AEC-Q100 Grade 2可靠性标准，通过I2C兼容接口运行，最高时钟频率可达1MHz。存储阵列基于先进的真正EEPROM技术，具备嵌入式错误校正码逻辑。此外，还提供一个可锁定的识别页（64字节）。
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    带两线串行接口的32Kbit电可擦除可编程只读存储器
    型号：24AA32AF-I/MS 编号：C1348996
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA32AF/24LC32AF（24XX32AF）是一款32Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件被组织为一个带有两线串行接口的4K×8位单块存储器。低电压设计允许其在低至1V的电压下工作
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    64 Kbit I²C串行EEPROM
    型号：24AA64T-I/MS 编号：C613297
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    64Kbit I2C串行EEPROM，具有32字节页写缓冲区，支持硬件写保护，ESD保护超过4000V，数据保留超过200年。
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