EEPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SFN-2(6x6)

GX2431是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，由四个存储器页组成，每页256位。数据先被写入一个8字节暂存器中，经校验无误后复制到EEPROM存储器。支持-40°C至+85°C的工作温度范围和2.8V至5.25V的工作电压。具有IEC1000-4-2 Level 4 ESD保护。

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型号：24LC08BT-E/SN 编号：C2065836

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款8K位电可擦除PROM。该设备由四个256×8位的存储块组成，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和1mA。还具备最多16字节数据的页写入能力。

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型号：93AA66CT-I/MC 编号：C612322

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93AA66CT-I/MC 是一款4-Kbit低电压串行EEPROM，支持8位或16位组织方式，适用于工业级温度范围，采用PDIP封装。

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型号：AT24C128C-MAHM-T 编号：C616838

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压、中电压运行:1级，VCC = 2.5V至5.5V。3级，VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为16,384 x 8（128K）或32,768 x 8（256K）。扩展温度范围（AEC-Q100中定义的1级和3级）:1级温度范围：-40℃至+125℃

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型号：M95320-DWDW4TP/K 编号：C2062643

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车用32 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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型号：AT25320B-SSHL-B 编号：C615491

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25320B/AT25640B 提供 32,768/65,536 位的串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，组织为 4,096/8,192 个字节。该设备适用于许多工业和商业应用，低功耗和低电压操作至关重要。支持 SPI 接口，具有块写保护和硬件写保护功能。

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型号：M95080-DRMN3TP/K 编号：C2061871

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车用8 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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型号：AT25256B-XHL-T 编号：C616790

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：与串行外设接口 (SPI) 兼容，支持SPI模式0 (0,0) 和3 (1,1)。低电压操作：1.8V (VCC = 1.8V至5.5V)。工业温度范围：-40℃至+85℃。 20 MHz时钟速率 (5V)。 64字节页模式。块写保护：可保护1/4、1/2或整个阵列。写保护 (WP) 引脚和写禁用指令，用于硬件和软件数据保护。自定时写周期，最长5 ms。 ESD保护 >4000V。高可靠性: -耐用性：100万次写循环。 -数据保留：100年。环保（无铅/无卤/符合RoHS标准）封装选项。裸片销售选项：晶圆形式和凸点晶圆

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型号：M24128-DRMN8TP/K 编号：C2061507

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

M24128-DRE是一款128Kbit的串行I2C总线EEPROM，最高工作温度可达105°C。该器件符合AEC-Q100 Grade 2的可靠性标准，支持高达1MHz的I2C总线模式，具有16K x 8位的存储阵列和一个64字节的可锁定识别页。

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型号：25LC040T-I/SN 编号：C2061461

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA040/25LC040/25C040（25XX040*）是一款 4 Kbit 串行电可擦除 PROM。可通过与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：BR24G512FVT-3AGE2 编号：C2061050

封装：TSSOP-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR24G512 - 3A是一款采用I²C总线接口方式的串行EEPROM。

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型号：24AA256UIDT-I/ST 编号：C619926

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256UID是一款256Kbit（32Kx8）的串行EEPROM，带有预编程的EUI-48和EUI-64节点地址以及唯一的32位序列号。该设备支持1.7V至5.5V的工作电压范围，并具有页写能力。

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型号：24LC64-I/SM 编号：C511297

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64（24**64*）是一款64 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用2线串行接口，组织形式为单个8K×8位存储块。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

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型号：24AA64F-I/SN 编号：C615135

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64F/24LC64F/ 24FC64F (24XX64F*) 是 64 Kbit 电可擦除 PROM。该器件被组织为一个具有 2 线串行接口的 8Kx8 位内存单块。低电压设计允许低至 1.7V 的操作，待机和读取电流分别仅为 1 μA 和 400 μAᵢ。

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型号：24LC128-I/P 编号：C613697

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC128是一款128Kbit的I2C串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压范围，具有400kHz的最大时钟频率。该器件适用于低功耗应用，具有页写能力，可写入最多64字节的数据。

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型号：AT24CM01-SHD-B 编号：C615467

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的级联功能最多允许连接四个。

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型号：24AA32AT-I/MC 编号：C2061825

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA32A/24LC32A（24×32A*）是一款32Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用2线串行接口，将4K×8位的存储器组织为单块结构。低电压设计允许其在低至1V的电压下工作

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型号：24FC512T-E/OT 编号：C5229705

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

512Kbit I2C串行EEPROM，支持1.7V到5.5V的工作电压，具有1MHz的时钟频率，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。该设备具有低功耗CMOS技术，读取电流最大400uA，待机电流最大1uA。支持页写操作，最大写周期时间为5ms。

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型号：CAT25128VP2I-GT3 编号：C890370

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT25128是一款128 Kb的串行CMOS EEPROM器件，内部组织为16Kx8位。它具有64字节的页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（CS(overline)）输入使能

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型号：M95P16-IXMCT/E 编号：C22660190

封装：UFDFN-8-EP(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

采用先进的专有NVM技术制造，提供字节灵活性、页面可更改性、高页面循环性能和超低功耗，等同于EEPROM技术。是16 Mbit的SPI页面EEPROM，由4096个可编程页面组成，每个页面512字节，通过SPI总线访问，具有高性能双SPI和四SPI输出。提供两个额外的512字节页面：第一个包含识别数据和UID；第二个可用于存储敏感应用参数，可永久锁定为只读模式。额外的状态、配置和易失性寄存器设置所需的设备配置，安全寄存器提供设备状态信息

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型号：24LC1025-E/SN 编号：C1348742

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款128K x 8（1024K bit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。该设备具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力，能够进行随机和顺序读取。读取可在地址边界0000h至FFFFh和10000h至1FFFh内顺序进行。功能地址线允许在同一数据总线上连接多达四个设备，这使得系统EEPROM总内存可达4Mbits。该设备有标准的8引脚PDIP、SOIC和SOIJ封装。

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型号：M95512-DRMN8TP/K 编号：C2061493

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟，工作温度105°C

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型号：AT25256B-MAHL-T 编号：C616878

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：R1EX24016ASAS0I#S0 编号：C5854689

封装：SOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

两线串行接口 EEPROM（电可擦可编程只读存储器）。通过采用先进的 MONOS 存储技术、CMOS 工艺和低电压电路技术，实现了高速、低功耗和高可靠性。具有 16 字节页编程功能，使写入操作更快。

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型号：24LC512T-E/SN 编号：C615717

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

512Kbit I2C串行EEPROM，支持2.5V至5.5V供电，具有低功耗特性，支持页写操作，具有硬件写保护功能，适用于工业和扩展温度范围。

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型号：DS2432P+T&R 编号：C6146619

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS2432 在单芯片中集成了 1024 位 EEPROM、一个 64 位密钥、一个 8 字节寄存器/控制页（最多包含 5 个用户读写字节）、一个 512 位 SHA - 1 引擎以及一个功能完备的 1 - Wire 接口。每个 DS2432 都有自己的 64 位 ROM 注册号，该号码由工厂激光烧录到芯片中，以确保提供唯一标识，实现绝对可追溯性。数据通过 1 - Wire 协议进行串行传输，该协议仅需一根数据线和一根接地线