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封装：PDIP-8

93C56B 是一款 2-Kbit 低电压串行 EEPROM，适用于工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）。该设备具有 128x16 位的组织结构，采用 PDIP、SOIC、TSSOP、MSOP、SOT-23、DFN 和 TDFN 封装。

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型号：24AA64T-I/ST 编号：C2061526

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64T-I/ST 是一款64Kbit I2C串行EEPROM，支持2线串行接口，工作电压范围为1.7V至5.5V，最高时钟频率为400kHz。该器件具有低功耗特性，适用于个人通信和数据采集等应用。它支持页写模式，可写入最多32字节的数据。24AA64T-I/ST 支持工业温度范围（-40°C至+85°C）。

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型号：93LC56AT-I/SN 编号：C2061173

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 93LC56A/B/C 是2K位低电压串行EEPROM。这些设备采用先进的CMOS技术，适用于低功耗、非易失性存储应用。支持128x16位和256x8位组织结构，具有自定时擦除/写入周期和自动擦除所有功能。

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型号：CAT25010YI-GT3 编号：C890359

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25010是一款串行SPI EEPROM，支持1/2/4 Kb存储容量，具有16字节页写缓冲区，支持硬件和软件写保护。

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型号：24LC04BT-I/ST 编号：C619989

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC04BT-I/ST是一款4Kbit I2C串行EEPROM，工作电压范围为2.5V至5.5V，支持高达400kHz的时钟频率，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。该设备具有低功耗、高可靠性以及超过1百万次擦写周期的特性。

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型号：24LC16BHT-I/OT 编号：C616241

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC16BHT-I/OT是一款16Kbit的I2C串行EEPROM，具有半阵列写保护功能，最高时钟频率为400kHz。

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型号：24LC02BT-I/ST 编号：C2061280

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC02B是一款2K位I2C串行EEPROM，工作电压范围为2.5V至5.5V，支持400kHz和1MHz的时钟频率，具有超过1百万次的擦写寿命和超过200年的数据保留时间。

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型号：AT24C32E-XHM-T 编号：C2060942

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C32E是一款32Kbit（4,096 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V至3.6V低电压操作，具有工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件具有多种封装选项，包括8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8垫UDFN、8引脚PDIP、5引脚SOT23、8球VFBGA和4球WLCSP。

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型号：P24CM01B-TSH-MIR 编号：C5263816

封装：-

品牌：PUYA(普冉)

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型号：BR24G128FVT-5E2 编号：C5602983

封装：TSSOP-8-175mil

品牌：ROHM(罗姆)

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型号：24AA02T-I/MS 编号：C2061377

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02是一款2-Kbit I2C串行EEPROM，具有低功耗CMOS技术，支持1.7V至5.5V的单电源供电。它具有256字节的存储容量，支持页写操作，最大写周期寿命超过1百万次，数据保留时间超过200年。

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型号：24LC16BH-I/P 编号：C613700

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC16BH是一款16Kbit I2C串行EEPROM，具有半阵列写保护功能。它支持1.7V到5.5V的工作电压，最大时钟频率为400kHz，适用于工业温度范围（-40°C到+85°C）。该器件具有低功耗CMOS技术，读电流最大1mA，待机电流最大1uA。

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型号：M95320-RDW6TP 编号：C2062237

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

32 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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型号：AT34C02D-XHM-T 编号：C514083

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT34C02D 设计用于支持 JEDEC EE1002 和 EE1002A 串行存在检测 (SPD) 功能，适用于 DDR、DDR2 和 DDR3 双列直插式内存模块 (DIMM)。它提供 2,048 位的串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，组织为 256 个 8 位字。该设备还集成了永久性和可逆软件写保护功能，用于 EEPROM 的较低 128 字节。

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型号：M95040-DRMN8TP/K 编号：C2062129

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

4 Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟，工作温度105°C

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型号：FT24C1024A-TTR-T 编号：C5263789

封装：TSSOP-8

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C1024A是一款1024K位（8位宽）的I2C串行EEPROM，具有低电压和低功耗操作，支持256字节页写模式，部分页写操作，自定时编程周期（最大5ms），自动擦除前写操作，高可靠性（通常1,000,000次耐久性），40年数据保留，工业温度范围（-40°C至85°C），标准8引脚DIP/SOP/TSSOP/UDFN无铅封装。

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型号：GX2431G 编号：C2979159

封装：SFN-2(6x6)

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431G是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

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型号：M24C32-DFDW6TP 编号：C2971426

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

32 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：M95640-WDW6TP 编号：C155627

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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型号：M95040-RMC6TG 编号：C2061371

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

4 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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型号：24LC025T-I/ST 编号：C2065811

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：24LC02BT-E/LT 编号：C2065814

封装：SC-70-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC02B是一款2K位I2C串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压，具有低功耗CMOS技术，工作温度范围为-40°C至+85°C，具有100万次擦写寿命和超过200年的数据保持能力。

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型号：M95160-DRDW8TP/K 编号：C2062144

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

M95160-DRE是一款16Kbit串行SPI EEPROM设备，最高工作温度可达105°C。该设备符合AEC-Q100 Grade 2可靠性标准。它通过简单的SPI兼容接口运行，最高时钟频率可达20MHz。

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型号：24FC64F-I/SN 编号：C615160

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的 24FC64F 是一个 64K 位的串行 EEPROM，具有四分之一阵列写保护功能。该设备组织为一个单一的 8K x 8 位存储块，支持 2 线串行接口。低电压设计允许其在 1.7V 至 5.5V 的供电范围内工作，具有低待机电流和读电流。

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型号：24AA00T/OT 编号：C2062268

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA00/24LC00/24C00 是 128 位 I2C 总线串行 EEPROM，支持低至 1.8V 的单电源供电。适用于需要少量 EEPROM 存储校准值、ID 编号或制造信息等的应用。提供多种封装选项，包括 8 引脚 PDIP、SOIC、TSSOP、DFN、TDFN 和 5 引脚 SOT-23。

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