FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

特性：8,388,608 x 8 / 4,194,304 x 16 可切换扇区结构。8KB(4KW) x 8 和 64KB(32KW) x 127。额外 128 字扇区用于安全。具有工厂锁定、可识别和客户可锁定的扇区组保护/芯片解锁功能。提供扇区组保护功能，防止在受保护扇区组中进行编程或擦除操作。提供芯片解锁功能，允许更改代码

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型号：S25FL064LABMFV010 编号：C2944845

封装：SOIC-8

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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型号：AT45DB641E-SHN-B 编号：C7543860

封装：SOIC-8-208mil

特性：单1.7V。3.6V电源。与串行外设接口（SPI）兼容。支持SPI模式0和3。支持RapidS™操作。整个阵列具有连续读取能力

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型号：IS25LP256D-RHLE 编号：C1350739

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：XTSDG04GWSIGA 编号：C7429714

封装：WSON-8(8x6)

品牌：XTX(芯天下)

工业级 SD NAND是一种嵌入式存储解决方案，采用WSON8封装或LGA8封装形式。SD NAND的操作与符合行业标准的SD卡类似。SD NAND由NAND闪存和高性能控制器组成

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型号：AT45DB641E-MHN-Y 编号：C21670966

封装：-

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型号：AT45DB641E-MWHN-Y 编号：C17701314

封装：VDFN-8(6x8)

特性：单1.7V。3.6V电源。与串行外设接口（SPI）兼容。支持SPI模式0和3。支持RapidS™操作。整个阵列具有连续读取能力

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型号：MX29F040CQI-70GTR 编号：C2803060

封装：-

特性：单电源操作，读写和擦除操作电压为4.5至5.5伏。 524288 x 8。扇区结构：64K字节x 8。闩锁保护，从-1V到Vcc + 1V可达100mA

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型号：AT45DB641E-MWHN2B-T 编号：C20644916

封装：VDFN-8(6x8)

AT45DB641E是一款最低工作电压为1.7V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB641E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其69,206,016位内存组织为32,768页，每页256字节或264字节

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型号：HYN4G08UHTCC1 编号：C7426975

封装：TSOP-48

品牌：HeYangTek(扬贺扬)

HYN4G08UHTCC1是一款4Gb SLC NAND Flash，采用TSOP封装，支持ONFI 1.0标准，工作电压为2.7V至3.6V，工作温度范围为-40°C至85°C。

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型号：S25FL128SAGNFI011 编号：C2953712

封装：WDFN-8-EP

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型号：AT25DF641A-SH-B 编号：C5334524

封装：UDFN-8

AT25DF641A 是一款最低工作电压为 2.7V 的串行接口闪存，非常适合各种大批量消费类应用。在这些应用中，程序代码会从闪存映射到嵌入式或外部 RAM 中执行。AT25DF641A 具有灵活的擦除架构，擦除粒度小至 4KB，这使其也非常适合数据存储，无需额外的数据存储 EEPROM 器件

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型号：MT29F4G08ABBFAH4-IT:F 编号：C19753219

封装：VFBGA-63(9x11)

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型号：MX29GL320EHT2I-70G 编号：C2803119

封装：TFSOP-56-18.4mm

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型号：MT29F2G08ABAEAH4:E 编号：C2909811

封装：FBGA-63

特性：符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8：2112字节 (2048 + 64 字节)。页面大小x16：1056字 (1024 + 32 字)。块大小：64页 (128K + 4K 字节)。平面大小：2个平面，每个平面1024个块

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型号：IS25WX256-JHLE 编号：C20945254

封装：-

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：S25FL256SAGNFV000 编号：C22423224

封装：WSON-8(6x8)

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：S29GL512T11TFIV20 编号：C2947546

封装：TFSOP-56-18.4mm

S29GL01GT/512T 是采用 45 纳米制程技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达 15 纳秒，相应的随机访问时间最快可达 100 纳秒。它们具备一个写缓冲区，允许在一次操作中最多对 256 字/512 字节进行编程，与标准编程算法相比，可有效缩短编程时间

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型号：MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E 编号：C598840

封装：TSOPI-48

Micron 2Gb x8/x16 SLC NAND Flash Memory是一款高性能的NAND闪存，支持异步接口，具有2112字节（2048 + 64字节）的页面大小，64个页面的块大小，以及128K + 4K字节的数据容量。该设备支持1.8V和3.3V供电，具有10年的数据保留时间和100,000次编程/擦除周期。

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型号：IS29GL256-70SLEB 编号：C1236816

封装：TSOP-56-18.5mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS29GL256/128 提供 20ns 的快速页访问时间，相应的随机访问时间最快可达 70ns。它具备一个写缓冲区，允许在一次操作中最多对 32 个字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短。这使得该器件非常适合当今需要更高密度、更优性能和更低功耗的嵌入式应用

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型号：MX29LV320ETXEI-70G 编号：C2802714

封装：LFBGA-48,CSP(6x8)

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型号：MT25QU256ABA8E12-0AAT 编号：C1351315

封装：TPBGA-24(6x8)

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型号：S25FL256SAGMFVR00 编号：C2947438

封装：SOIC-16

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：MX29F400CTTI-70G 编号：C2803071

封装：TFSOP-48-18.4mm

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型号：S25FL512SAGBHIA13 编号：C1512160

封装：BGA-24(8x6)