FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：S25FL064LABMFV010 编号：C2944845

封装：SOIC-8

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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型号：S25FL127SABMFI101 编号：C2961581

封装：SOIC-8-208mil

特性：CMOS 3.0 V 核心。密度：128 Mb (16 MB)。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。扩展寻址：24 或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容，多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：AT45DB641E-MHN-Y 编号：C21670966

封装：-

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型号：IS25LP128-JLLE 编号：C47521266

封装：WSON-8(6x8)

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型号：AT45DB641E-MWHN2B-T 编号：C20644916

封装：VDFN-8(6x8)

AT45DB641E是一款最低工作电压为1.7V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB641E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其69,206,016位内存组织为32,768页，每页256字节或264字节

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型号：MX29LV640ETXEI-70G 编号：C2802731

封装：LFBGA-48,CSP(6x8)

特性：8,388,608 x 8 / 4,194,304 x 16 可切换扇区结构。8KB(4KW) x 8 和 64KB(32KW) x 127。额外 128 字扇区用于安全。具有工厂锁定、可识别和客户可锁定的扇区组保护/芯片解锁功能。提供扇区组保护功能，防止在受保护扇区组中进行编程或擦除操作。提供芯片解锁功能，允许更改代码

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型号：AT45DB641E-MWHN-Y 编号：C17701314

封装：VDFN-8(6x8)

特性：单1.7V。3.6V电源。与串行外设接口（SPI）兼容。支持SPI模式0和3。支持RapidS™操作。整个阵列具有连续读取能力

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型号：MX25U25643GM2I00 编号：C20099923

封装：SOP-8

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型号：IS25LP128F-RHLA3 编号：C5741396

封装：TFBGA-24(6x8)

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型号：S25FL128SAGNFI011 编号：C2953712

封装：WDFN-8-EP

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型号：AT25DF641A-SH-B 编号：C5334524

封装：UDFN-8

AT25DF641A 是一款最低工作电压为 2.7V 的串行接口闪存，非常适合各种大批量消费类应用。在这些应用中，程序代码会从闪存映射到嵌入式或外部 RAM 中执行。AT25DF641A 具有灵活的擦除架构，擦除粒度小至 4KB，这使其也非常适合数据存储，无需额外的数据存储 EEPROM 器件

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型号：AT25DF321A-MH-T 编号：C18213580

封装：UDFN-8(5x6)

AT25DF321A是一款串行接口闪存设备，专为各种高产量的消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。AT25DF321A具有灵活的擦除架构，其擦除粒度小至4KB，这也使其非常适合用于数据存储，无需额外的数据存储EEPROM设备

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型号：IS25WP128F-RHLA3 编号：C6644034

封装：TFBGA-24(6x8)

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型号：S25FL128SAGNFV000 编号：C2944871

封装：WDFN-8-EP

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：MX29GL128FHXFI-70G 编号：C2803091

封装：LFBGA-64,CSP(11x13)

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型号：MT29F2G08ABAEAH4:E 编号：C2909811

封装：FBGA-63

品牌：micron(镁光)

特性：符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8：2112字节 (2048 + 64 字节)。页面大小x16：1056字 (1024 + 32 字)。块大小：64页 (128K + 4K 字节)。平面大小：2个平面，每个平面1024个块

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型号：TC58NYG2S0HBAI4 编号：C17631295

封装：TFBGA-63(9x11)

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58NYG2S0HBAI4是一款1.8V 4 Gbit NAND E2PROM，组织结构为(4096 + 256)字节 x 64 页 x 2048 块。每个页面大小为4352字节，每个块大小为(256K + 16K)字节。

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型号：AT45DB321E-MHF-T 编号：C5334562

封装：UDFN-8

是一款最小工作电压为2.3V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。还支持RapidS串行接口，适用于需要非常高速操作的应用。其34,603,008位内存被组织为8,192页，每页512字节或528字节。除主内存外，还包含两个512/528字节的SRAM缓冲区。缓冲区允许在对主内存中的页面进行重新编程时接收数据。两个缓冲区之间的交错可以显著提高系统写入连续数据流的能力

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型号：MX29GL320EHT2I-70G 编号：C2803119

封装：TFSOP-56-18.4mm

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型号：S29GL512T11TFIV20 编号：C2947546

封装：TFSOP-56-18.4mm

S29GL01GT/512T 是采用 45 纳米制程技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达 15 纳秒，相应的随机访问时间最快可达 100 纳秒。它们具备一个写缓冲区，允许在一次操作中最多对 256 字/512 字节进行编程，与标准编程算法相比，可有效缩短编程时间

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型号：IS25LP256D-JHLE 编号：C6280158

封装：TFBGA-24(6x8)

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型号：IS29GL256-70SLEB 编号：C1236816

封装：TSOP-56-18.5mm

IS29GL256/128 提供 20ns 的快速页访问时间，相应的随机访问时间最快可达 70ns。它具备一个写缓冲区，允许在一次操作中最多对 32 个字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短。这使得该器件非常适合当今需要更高密度、更优性能和更低功耗的嵌入式应用

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型号：M29F800FT55N3E2 编号：C32453164

封装：TFSOP-48

品牌：micron(镁光)

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型号：AT25DF041B-MAHN-T 编号：C226098

封装：UDFN-8-EP(2x3)

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型号：S25FL256SAGMFVR00 编号：C2947438

封装：SOIC-16

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：MX29LV320ETXEI-70G 编号：C2802714

封装：LFBGA-48,CSP(6x8)

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型号：S25FL512SAGBHIA13 编号：C1512160

封装：BGA-24(8x6)