FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

特性：保持功能。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。自动擦除和自动编程算法。编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复

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￥14.81
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型号：AT45DB021E-SHN-B 编号：C22365784

封装：SOIC-8-208mil

一款最低工作电压为 1.65V 的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。它还支持 RapidS 串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其 2,162,688 位的存储器被组织成 1,024 页，每页 256 字节或 264 字节

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型号：AT45DB021E-SHN-T 编号：C22365780

封装：SOIC-8-208mil

特性：单1.65 V-3.6 V电源。与串行外设接口 (SPI) 兼容。支持SPI模式0和3。支持RapidS™操作。可对整个阵列进行连续读取。最高85 MHz

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￥15.06
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￥12.78
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型号：IS25LP032D-JTLA3-TR 编号：C6280154

封装：USON-8-EP(3x4)

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型号：IS25WP064A-JKLE 编号：C1349795

封装：WSON-8-EP(5x6)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该器件通过由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和芯片使能 (CE#) 引脚组成的 4 线 SPI 接口进行访问，也可以配置为多 I/O。该器件支持双 I/O 和四 I/O 以及标准、双输出和四输出 SPI。高达 133MHz 的时钟频率允许达到高达 532MHz（133MHz x 4）的等效时钟速率，相当于 66Mbytes/s 的数据吞吐量。IS25xR 系列闪存增加了对 DTR（双传输速率）命令的支持，该命令在时钟的两个边沿传输地址和读取数据

数据手册

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型号：IS25LP064D-JKLE 编号：C6969440

封装：WSON-8(5x6)

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￥17.38
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￥16.74

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型号：MX25L6445EZNI-10G 编号：C2802795

封装：WSON-8-EP(6x8)

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￥18.43
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型号：AT45DB021E-SHN-T 编号：C17701065

封装：SOIC-8

特性：单1.65 V、3.6 V电源。与串行外设接口（SPI）兼容。支持SPI模式0和3。支持RapidS™操作。具备整个阵列的连续读取能力。最高85 MHz

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￥18.91
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￥14.38

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型号：AT45DB081E-SSHN-T 编号：C22365779

封装：SOIC-8

AT45DB081E是一款最低工作电压为1.7V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB081E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其8,650,752位的内存组织为4,096页，每页256字节或264字节

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￥19.2
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￥16.43
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￥14.79

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型号：IS25WP128F-JKLE 编号：C1351165

封装：WSON-8-EP(5x6)

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￥20.9
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￥20.09

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型号：IS25WP128-JLLE-TR 编号：C1349321

封装：WSON-8-EP(6x8)

IS25WP128 串行闪存存储器在简化引脚封装中提供了一种灵活且高性能的通用存储解决方案。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式。该器件支持双 I/O 和四 I/O 模式，以及标准、双输出和四输出 SPI 模式

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￥21.45
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型号：IS25WP128-RHLE 编号：C1349419

封装：TFBGA-24(6x8)

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型号：AT45DB161E-MHD-T 编号：C18213579

封装：UDFN-8(5x6)

特性：单2.3V、3.6V或2.5V、3.6V电源，与串行外设接口（SPI）兼容。支持SPI模式0和3。支持RapidS™操作，可在整个阵列中连续读取。最高85MHz。低功耗读取选项，最高15MHz。时钟到输出时间(t_V)最大为6ns

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￥23.59
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￥23.06
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￥22.71

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型号：MX29GL640EBTI-70G 编号：C2803147

封装：TFSOP-48-18.4mm

特性：电源操作:读取、擦除和编程操作为2.7至3.6伏。I/O电压必须与VCC一致。I/O = VCC = 2.7V~3.6V。字节/字模式可切换。8,388,608 x 8 / 4,194,304 x 16。扇区架构:MX29GL640E T/B为127 x 32K字(64KB) + 8 x 4K字(8KB)引导扇区;MX29GL640E H/L为128 x 32K字(64KB)统一扇区

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￥24.17
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型号：IS25WP128-JKLE 编号：C1349189

封装：WSON-8-EP(5x6)

串行闪存存储器提供了一种多功能的存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能，适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI。高达133MHz的时钟频率允许等效时钟速率高达532MHz（133MHz x 4），相当于66MB/s的数据吞吐量

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￥26.04
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￥25.46
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￥25.07

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型号：S25FL256LAGBHI023 编号：C2951932

封装：TBGA-24

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型号：AT25DF321A-SH-B 编号：C20645244

封装：SOIC-8-208mil

AT25DF321A是一款串行接口闪存设备，专为各种高产量的消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。AT25DF321A具有灵活的擦除架构，其擦除粒度小至4KB，这也使其非常适合用于数据存储，无需额外的数据存储EEPROM设备

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￥26.56
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型号：S29GL128S10GHIV20 编号：C2950870

封装：VFBGA-56

采用65nm工艺技术制造，具有快速的页面访问时间，最快可达15ns，相应的随机访问时间最快可达90ns。具备写入缓冲区，允许在一次操作中最多编程256字/512字节，有效编程时间比标准编程算法更快，适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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￥26.72
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￥26.1
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￥25.68

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型号：IS25LP128F-RHLE 编号：C5656625

封装：TFBGA-24(6x8)

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￥27.12
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￥26.11

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型号：IS25LP128F-RHLE-TR 编号：C5656631

封装：TFBGA-24(6x8)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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￥27.39
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￥26.78
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￥26.37

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型号：S25FL064LABNFI013 编号：C2952837

封装：WFDFN-8-EP

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￥23.91
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￥21.66

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型号：AT45DB161E-SSHD-B 编号：C22365783

封装：SOIC-8

是一款2.3V或2.5V最低电压的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。还支持RapidS串行接口，适用于需要非常高速操作的应用。其17,301,504位内存组织为4,096页，每页512字节或528字节。除主内存外，还包含两个512/528字节的SRAM缓冲区，允许在对主内存中的页面进行重新编程时接收数据。两个缓冲区之间的交错可以显著提高系统写入连续数据流的能力。此外，SRAM缓冲区可用作额外的系统暂存内存，并且通过自包含的三步读-修改-写操作可以轻松处理E²PROM仿真（位或字节可更改性）

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￥27.76
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￥23.76
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￥21.38

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型号：IS25LP128F-JLLA3 编号：C1236846

封装：WSON-8-EP(6x8)

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￥29.58
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￥28.83
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￥28.32

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型号：S29GL128S90DHI010 编号：C6998506

封装：FBGA-64(9x9)

MirrorBit Eclipse闪存产品采用65 nm工艺技术制造。这些器件提供最快达15 ns的快速页面访问时间，相应的随机访问时间最快达90 ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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￥29.88
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￥29.21
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￥28.76

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型号：S25FL128SAGNFV010 编号：C2947548

封装：WSON-8(6x8)

特性：密度:128 Mbits (16 Mbytes)。256 Mbits (32 Mbytes)。串行外设接口 (SPI):SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址：24 或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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￥30.46
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￥29.74
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￥29.27

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型号：IS34ML01G081-BLI 编号：C1348840

封装：VFBGA-63(9x11)

1Gb x8 3.3V NAND FLASH MEMORY with 1b ECC，具有高效读写模式、命令/地址/数据复用I/O、灵活的内存架构和高级安全保护功能。

数据手册

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￥30.47
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￥26.21
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￥23.68

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型号：MX25U12835FZNI-10G 编号：C2802865

封装：WSON-8-EP(5x6)

特性：读、擦除和编程操作电压为 1.65 至 2.0 伏。支持多 I/O。单 I/O、双 I/O 和四 I/O。四外围接口 (QPI) 读/编程模式。编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复。 23 球 WLCSP（球直径 0.30mm）

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￥32.26
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￥27.35
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￥24.43

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型号：S25FL128SAGBHI300 编号：C2950171

封装：TBGA-24

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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￥33.38
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￥32.64
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￥32.14

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型号：IS25LP256E-JLLE-TR 编号：C6280160

封装：WSON-8-EP(6x8)

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￥34.04
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￥33.52

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型号：IS25WP128F-RHLA3-TR 编号：C7211289

封装：TFBGA-24(6x8)