FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：MX29LV160DBTI-70G 编号：C504714

封装：TSOP-48-18.4mm

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型号：IS25WJ064F-JNLE 编号：C24853453

封装：SOIC-8

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型号：MX25L6445EZNI-10G 编号：C2802795

封装：WSON-8-EP(6x8)

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型号：MX30LF1GE8AB-TI 编号：C6121823

封装：TFSOP-48-18.4mm

MX30LF1G18AC是一款1G-bit的SLC NAND Flash存储器，适用于嵌入式系统代码和数据存储。它支持4-bit ECC，具有快速读取访问、缓存读取支持、块擦除操作等功能。

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型号：MX25L6433FMI-08G 编号：C2803031

封装：SOP-16-300mil

特性：保持功能。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。自动擦除和自动编程算法。编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复

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型号：IS25WP128-RHLE 编号：C1349419

封装：TFBGA-24(6x8)

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型号：S25FL128LAGMFI001 编号：C2954242

封装：SOIC-16

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型号：AT45DB161E-MHD-T 编号：C18213579

封装：UDFN-8(5x6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：单2.3V、3.6V或2.5V、3.6V电源，与串行外设接口（SPI）兼容。支持SPI模式0和3。支持RapidS™操作，可在整个阵列中连续读取。最高85MHz。低功耗读取选项，最高15MHz。时钟到输出时间(t_V)最大为6ns

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型号：AT45DB161E-MHF2B-T 编号：C2061901

封装：UDFN-8-EP(5x6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT45DB161E是一款最低工作电压为2.3V或2.5V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB161E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其17,301,504位的存储器组织为4096页，每页512字节或528字节

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型号：S29GL128S10GHIV20 编号：C2950870

封装：VFBGA-56

采用65nm工艺技术制造，具有快速的页面访问时间，最快可达15ns，相应的随机访问时间最快可达90ns。具备写入缓冲区，允许在一次操作中最多编程256字/512字节，有效编程时间比标准编程算法更快，适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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型号：AT45DB161E-SSHFHA-T 编号：C21708082

封装：-

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：MX29GL640EBTI-70G 编号：C2803147

封装：TFSOP-48-18.4mm

特性：电源操作:读取、擦除和编程操作为2.7至3.6伏。I/O电压必须与VCC一致。I/O = VCC = 2.7V~3.6V。字节/字模式可切换。8,388,608 x 8 / 4,194,304 x 16。扇区架构:MX29GL640E T/B为127 x 32K字(64KB) + 8 x 4K字(8KB)引导扇区;MX29GL640E H/L为128 x 32K字(64KB)统一扇区

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型号：IS25WP128-JKLE 编号：C1349189

封装：WSON-8-EP(5x6)

串行闪存存储器提供了一种多功能的存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能，适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI。高达133MHz的时钟频率允许等效时钟速率高达532MHz（133MHz x 4），相当于66MB/s的数据吞吐量

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型号：IS25LP128F-RHLE-TR 编号：C5656631

封装：TFBGA-24(6x8)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：TC58NYG0S3HBAI6 编号：C481875

封装：VFBGA-67

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58NYG0S3HBAI6是一款1.8V供电的1Gbit (1,140,850,688 bits) NAND闪存存储器，适用于高密度非易失性数据存储应用，如固态文件存储、语音录音、图像文件存储等。

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型号：S29GL128S90DHI010 编号：C6998506

封装：FBGA-64(9x9)

MirrorBit Eclipse闪存产品采用65 nm工艺技术制造。这些器件提供最快达15 ns的快速页面访问时间，相应的随机访问时间最快达90 ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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型号：MX29GL256FLT2I-90Q 编号：C504713

封装：TFSOP-56-18.4mm

特性：通用特性：电源操作：读取、擦除和编程操作为2.7至3.6伏。MX29GL256F H/L：VI/O = VCC = 2.7V~3.6V，VI/O电压必须与VCC紧密匹配。MX29GL256F U/D：输入/输出的VI/O = 1.65V~3.6V。字节/字模式可切换。33,554,432 x 8或16,777,216 x 16。64KW/128KB统一扇区架构。256个相等的扇区。16字节/8字页读取缓冲区

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型号：S25FL128SAGBHI300 编号：C2950171

封装：TBGA-24

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：S25FL128SAGNFV010 编号：C2947548

封装：WSON-8(6x8)

特性：密度:128 Mbits (16 Mbytes)。256 Mbits (32 Mbytes)。串行外设接口 (SPI):SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址：24 或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：MX29GL256FDT2I-11G 编号：C2803109

封装：TFSOP-56-18.4mm

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型号：MX25L25645GXDI-08G 编号：C2913617

封装：TBGA-24

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6V。268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。支持单I/O、双I/O和四I/O。从 -1V到Vcc +1V的闩锁保护高达100mA

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型号：S25FL128SAGMFB000 编号：C2950746

封装：SOIC-16

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：IS25WP128F-RHLA3-TR 编号：C7211289

封装：TFBGA-24(6x8)