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首页 > 热门关键词 > FLASH存储器芯片
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  • 1+

    ¥56.51
  • 10+

    ¥55.25
  • 30+

    ¥54.41
  • 有货
    • 1+

      ¥56.73
    • 10+

      ¥55.54
    • 30+

      ¥54.74
  • 有货
    • 1+

      ¥59.88
    • 10+

      ¥52.16
    • 30+

      ¥47.46
  • 有货
  • 采用90nm工艺技术制造。这些器件提供25ns的快速页面访问时间,相应的随机访问时间最快可达90ns。它们具有一个写缓冲区,允许在一次操作中编程最多32字/64字节,比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    • 1+

      ¥72.86
    • 10+

      ¥70.32
  • 有货
    • 1+

      ¥72.98
    • 10+

      ¥62.18
    • 30+

      ¥55.6
  • 有货
  • 特性:CMOS 3.0 V 核心,具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址:24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容
    • 1+

      ¥76.12
    • 10+

      ¥65.46
    • 30+

      ¥58.96
  • 有货
  • 特性:单级单元(SLC)技术。 密度:512Mb。 电源电压:VCC(overline) = 2.7–3.6V(编程、擦除、读取);VCCQ(overline) = 1.65-VCC(I/O缓冲器)。 异步随机/页读取。 页大小:16字或32字节。 页访问时间:20ns
    • 1+

      ¥76.12
    • 10+

      ¥74.16
  • 有货
    • 1+

      ¥76.23
    • 10+

      ¥72.66
    • 30+

      ¥66.47
  • 有货
    • 1+

      ¥79.01
    • 10+

      ¥67.97
    • 30+

      ¥61.25
  • 有货
  • 的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒,随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器,一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程,与标准编程算法相比,有效编程时间更短
    数据手册
    • 1+

      ¥79.01
    • 10+

      ¥75.3
    • 30+

      ¥68.86
  • 有货
  • 特性:CMOS 3.0 V 核心,具有多功能 I/O-SPI 多 I/O 密度。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址:32 位地址。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容
    • 1+

      ¥79.74
    • 10+

      ¥68.6
    • 30+

      ¥61.81
  • 有货
  • S25FL512S 器件是一款闪存非易失性存储产品,采用: - MirrorBit 技术 - 该技术可在每个存储阵列晶体管中存储两位数据。
    • 1+

      ¥80.32
    • 10+

      ¥77.51
  • 有货
    • 1+

      ¥86.14
    • 10+

      ¥82.27
    • 30+

      ¥75.55
  • 有货
  • 采用65纳米制程技术制造,具备快速页面访问时间,最快可达15 ns,随机访问时间最快可达90 ns。其写入缓冲区允许在一次操作中对最多256个字/512字节进行编程,有效编程时间比标准编程算法更快。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    • 1+

      ¥89.74
    • 10+

      ¥86.6
  • 有货
    • 1+

      ¥93.28
    • 10+

      ¥90.44
  • 有货
    • 1+

      ¥95.32
    • 10+

      ¥91.24
    • 44+

      ¥84.17
  • 有货
  • 4Gb SPI NAND Flash是一种基于标准并行NAND Flash的低引脚数解决方案,适用于高密度非易失性存储系统。支持标准双线和四线SPI,具有硬件写保护、ECC纠错等功能。
    • 1+

      ¥96.43
    • 10+

      ¥91.87
    • 30+

      ¥83.98
    • 100+

      ¥77.1
  • 有货
    • 1+

      ¥96.91
    • 10+

      ¥92.76
    • 30+

      ¥85.57
  • 有货
  • 特性:电源操作:读取、擦除和编程操作电压为2.7至3.6V。MX29GL256E H/L:VI/O = VCC = 2.7V~3.6V,VI/O电压必须与VCC一致。MX29GL256E U/D:输入/输出VI/O = 1.65V~3.6V。字节/字模式可切换。33,554,432 x 8 / 16,777,216 x 16。64KW/128KB统一扇区架构
    数据手册
    • 1+

      ¥98.35
    • 10+

      ¥96.4
  • 有货
  • 特性:通用特性: -读取、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。字节/字模式可切换。67,108,864 x 8 / 33,554,432 x 16。64KW/128KB统一扇区架构。512个相等扇区。16字节/8字页读取缓冲区
    • 1+

      ¥99
    • 10+

      ¥94.77
    • 30+

      ¥87.43
  • 有货
    • 1+

      ¥99.62
    • 10+

      ¥95.13
    • 30+

      ¥87.37
  • 有货
  • Serial Flash memory offers a versatile storage solution with high flexibility and performance in a simplified pin count package. "Industry Standard Serial Interface" Flash is for systems that require limited space, a low pin count, and low power consumption. The device is accessed through a 4-wire SPI Interface consisting of a Serial Data Input (SI), Serial Data Output (SO), Serial Clock (SCK), and Chip Enable (CE#) pins, which can also be configured to serve as multi-I/O. The device supports Dual and Quad I/O as well as standard, Dual Output, and Quad Output SPI. Clock frequencies of up to 133MHz allow for equivalent clock rates of up to 532MHz (133MHz x 4) which equates to 66.5Mbytes/s of data throughput. The IS25xP series of Flash adds support for DTR (Double Transfer Rate) commands that transfer addresses and read data on both edges of the clock. These transfer rates can outperform 16-bit Parallel Flash memories allowing for efficient memory access to support XIP (execute in place) operation. Initial state of the memory array is erased (all bits are set to 1) when shipped from the factory. QPI (Quad Peripheral Interface) supports 2-cycle instruction further reducing instruction times. Pages can be erased in groups of 4Kbyte sectors, 32Kbyte blocks, 64K/256Kbyte blocks, and/or the entire chip. The uniform sector and block architecture allows for a high degree of flexibility so that the device can be utilized for a broad variety of applications requiring solid data retention.
    • 1+

      ¥100.17
    • 10+

      ¥97.12
  • 有货
    • 1+

      ¥100.77
    • 10+

      ¥96.24
    • 30+

      ¥88.38
  • 有货
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