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首页 > 热门关键词 > FLASH存储器芯片
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的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒,随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器,一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程,与标准编程算法相比,有效编程时间更短
数据手册
  • 1+

    ¥75.82
  • 10+

    ¥72.11
  • 30+

    ¥65.68
  • 有货
    • 1+

      ¥76.23
    • 10+

      ¥72.66
    • 30+

      ¥66.47
  • 有货
  • 特性:CMOS 3.0 V 核心,具有多功能 I/O-SPI 多 I/O 密度。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址:32 位地址。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容
    • 1+

      ¥82.98
    • 10+

      ¥80.48
  • 有货
  • Serial Flash memory offers a versatile storage solution with high flexibility and performance in a simplified pin count package. "Industry Standard Serial Interface" Flash is for systems that require limited space, a low pin count, and low power consumption. The device is accessed through a 4-wire SPI Interface consisting of a Serial Data Input (SI), Serial Data Output (SO), Serial Clock (SCK), and Chip Enable (CE#) pins, which can also be configured to serve as multi-I/O. The device supports Dual and Quad I/O as well as standard, Dual Output, and Quad Output SPI. The IS25xP series of Flash adds support for DTR (Double Transfer Rate) commands that transfer addresses and read data on both edges of the clock. These transfer rates can outperform 16-bit Parallel Flash memories allowing for efficient memory access to support XIP (execute in place) operation. Initial state of the memory array is erased (all bits are set to 1) when shipped from the factory. QPI (Quad Peripheral Interface) supports 2-cycle instruction further reducing instruction times. Pages can be erased in groups of 4Kbyte sectors, 32Kbyte blocks, 64K/256Kbyte blocks, and/or the entire chip. The uniform sector and block architecture allows for a high degree of flexibility so that the device can be utilized for a broad variety of applications requiring solid data retention.
    • 1+

      ¥83.02
    • 10+

      ¥71.82
    • 30+

      ¥65
  • 有货
  • 采用65纳米制程技术制造,具备快速页面访问时间,最快可达15 ns,随机访问时间最快可达90 ns。其写入缓冲区允许在一次操作中对最多256个字/512字节进行编程,有效编程时间比标准编程算法更快。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    • 1+

      ¥89.74
    • 10+

      ¥86.6
  • 有货
    • 1+

      ¥93.28
    • 10+

      ¥90.44
  • 有货
  • S25FL512S 器件是一款闪存非易失性存储产品,采用: - MirrorBit 技术 - 该技术可在每个存储阵列晶体管中存储两位数据。
    • 1+

      ¥95.1
    • 10+

      ¥92.29
  • 有货
  • Serial Flash memory offers a versatile storage solution with high flexibility and performance in a simplified pin count package. "Industry Standard Serial Interface" Flash is for systems that require limited space, a low pin count, and low power consumption. The device is accessed through a 4-wire SPI Interface consisting of a Serial Data Input (SI), Serial Data Output (SO), Serial Clock (SCK), and Chip Enable (CE#) pins, which can also be configured to serve as multi-I/O. The device supports Dual and Quad I/O as well as standard, Dual Output, and Quad Output SPI. Clock frequencies of up to 133MHz allow for equivalent clock rates of up to 532MHz (133MHz x 4) which equates to 66.5Mbytes/s of data throughput. The IS25xP series of Flash adds support for DTR (Double Transfer Rate) commands that transfer addresses and read data on both edges of the clock. These transfer rates can outperform 16-bit Parallel Flash memories allowing for efficient memory access to support XIP (execute in place) operation. Initial state of the memory array is erased (all bits are set to 1) when shipped from the factory. QPI (Quad Peripheral Interface) supports 2-cycle instruction further reducing instruction times. Pages can be erased in groups of 4Kbyte sectors, 32Kbyte blocks, 64K/256Kbyte blocks, and/or the entire chip. The uniform sector and block architecture allows for a high degree of flexibility so that the device can be utilized for a broad variety of applications requiring solid data retention.
    • 1+

      ¥100.17
    • 10+

      ¥97.12
  • 有货
  • MirrorBit Eclipse闪存产品采用65 nm工艺技术制造。这些器件提供最快达15 ns的快速页面访问时间,相应的随机访问时间最快达90 ns。它们具有一个写缓冲区,允许在一次操作中最多编程256字/512字节,比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    • 1+

      ¥107.59
    • 10+

      ¥98.45
    • 30+

      ¥90.04
  • 有货
  • 采用65纳米制程技术制造,具备快速页面访问时间,最快可达15 ns,随机访问时间最快可达90 ns。其写入缓冲区允许在一次操作中对最多256个字/512字节进行编程,有效编程时间比标准编程算法更快。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    • 1+

      ¥109.21
    • 10+

      ¥105.98
  • 有货
  • 特性:读、擦除和编程操作的电源电压为2.7至3.6伏。 H/L:VI/O = VCC = 2.7V至3.6V,VI/O电压必须与VCC紧密匹配。 U/D:输入/输出的VI/O = 1.65V至3.6V。 字节/字模式可切换
    • 1+

      ¥111.91
    • 10+

      ¥106.65
    • 30+

      ¥97.54
  • 有货
  • 的S29GL01GT/512T是采用45纳米制程技术制造的MirrorBit Eclipse闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达15 ns,相应的随机访问时间最快可达100 ns。它们具备一个写缓冲区,一次操作最多可对256字/512字节进行编程,与标准编程算法相比,可有效缩短编程时间
    数据手册
    • 单价:

      ¥116.54 / 个
  • 有货
  • 特性:Infineon 45-nm MIRRORBIT™技术,可在每个存储阵列单元中存储两位数据。 扇区架构选项: -统一架构:地址空间由所有256 KB扇区组成。混合配置1:地址空间由32个4 KB扇区组成,这些扇区位于顶部或底部,其余扇区均为256 KB。混合配置2:地址空间由32个4 KB扇区组成,这些扇区平均分布在顶部和底部,其余扇区均为256 KB。 256或512字节的页面编程缓冲区。 1024字节(32 × 32字节)的一次性可编程(OTP)安全硅阵列。 支持Quad SPI,支持1S-1S-4S、1S-4S-4S、1S-4D-4D、4S-4S-4S、4S-4D-4D协议,SDR选项最高运行速度为83-MBps(166 MHz时钟速度),DDR选项最高运行速度为102-MBps(102 MHz时钟速度)。 支持Dual SPI,支持1S-2S-2S协议,SDR选项最高运行速度为41.5-MBps(166 MHz时钟速度)
    • 1+

      ¥121.04
    • 10+

      ¥117.35
  • 有货
    • 1+

      ¥121.53
    • 30+

      ¥115.03
  • 有货
  • 的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒,随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器,一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程,与标准编程算法相比,有效编程时间更短
    • 1+

      ¥122.38
    • 30+

      ¥116.05
  • 有货
    • 1+

      ¥156.51
    • 30+

      ¥149.19
  • 有货
    • 1+

      ¥276.91
    • 30+

      ¥263.96
  • 有货
  • 特性:堆叠设备(四个512Mb裸片)。SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率(STR/DTR)。所有STR协议的时钟频率最高为166 MHz
    • 1+

      ¥368.36
    • 30+

      ¥355.08
  • 有货
    • 1+

      ¥372.56
    • 30+

      ¥355.14
  • 有货
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