FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

特性：对称128 KB块。初始访问速度：75 ns。25 ns 8字异步页面模式读取。x16模式下256字写缓冲区，x8模式下256字节写缓冲区；每字节有效编程时间1.41 μs

数据手册

1+
￥40.21
10+
￥35.25
30+
￥32.22

有货

立即购买

型号：SST25VF016B-50-4C-QAF 编号：C5127753

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25系列串行闪存系列具有四线SPI兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的电路板空间并最终降低总系统成本。SST25VF016B器件在原SST25VFxxxA器件的基础上，提高了工作频率，降低了功耗。SST25VF016B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。

数据手册

1+
￥43.21
10+
￥38.1
30+
￥33.91

有货

立即购买

型号：AT45DB321E-MHF-T 编号：C5334562

封装：UDFN-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款最小工作电压为2.3V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。还支持RapidS串行接口，适用于需要非常高速操作的应用。其34,603,008位内存被组织为8,192页，每页512字节或528字节。除主内存外，还包含两个512/528字节的SRAM缓冲区。缓冲区允许在对主内存中的页面进行重新编程时接收数据。两个缓冲区之间的交错可以显著提高系统写入连续数据流的能力

数据手册

1+
￥48.78
10+
￥42.01
30+
￥37.88

有货

立即购买

型号：SST39VF3202B-70-4I-EKE 编号：C637402

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF320xB 器件是采用 SST 专有的高性能 CMOS 超闪存技术制造的 2M x16 CMOS 多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39VF320xB 在 2.7 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

数据手册

1+
￥63.39
10+
￥62.31
30+
￥61.59

有货

立即购买

型号：S29GL128P11TFI010 编号：C2953861

封装：TFSOP-56-18.4mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒，随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器，一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短

1+
￥66.06
10+
￥56.81
30+
￥51.17

有货

立即购买

型号：MT25QU512ABB8ESF-0AAT 编号：C1351422

封装：SO-16-300mil

1+
￥79.98
10+
￥76.55
30+
￥70.62

有货

立即购买

型号：S29GL256S10TFI010 编号：C22433359

封装：TSOP-56

1+
￥90.68
10+
￥87.99

有货

立即购买

型号：S29GL01GT11FHIV20 编号：C22430855

封装：FBGA-64

S29GL01GT/512T 是采用 45 纳米制程技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达 15 纳秒，相应的随机访问时间最快可达 100 纳秒。它们具备一个写缓冲区，允许在一次操作中最多对 256 字/512 字节进行编程，与标准编程算法相比，可有效缩短编程时间

1+
￥104.13
10+
￥100.79

有货

立即购买

型号：MT35XU512ABA1G12-0AAT 编号：C6105763

封装：TPBGA-24(6x8)

1+
￥119.07
10+
￥113.71
30+
￥104.42

有货

立即购买

型号：MT25QL512ABB8ESF-0AAT 编号：C6847457

封装：SOIC-16-300mil

1+
￥122.01
10+
￥116.52
30+
￥107.01

有货

立即购买

型号：S79FS01GSFABHB210 编号：C20192437

封装：BGA-24(6x8)

1+
￥129.56
10+
￥125.62

有货

立即购买

型号：S70FL01GSAGBHMC10 编号：C22420272

封装：-

1+
￥131.96
10+
￥127.94

有货

立即购买

型号：MT28EW256ABA1LPC-0SIT 编号：C6847446

封装：LBGA-64

1+
￥138.63
10+
￥132.39
30+
￥121.58

有货

立即购买

型号：ZDSD16GLGEAG 编号：C5188570

封装：LGA-8(6.2x8)

品牌：Zetta(澜智)

pSLC ，商业级（ -25℃ to+85℃），标准SD2.0协议，16Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第三代产品,SD NAND(SDNAND)

数据手册

1+
￥147.78
30+
￥134.1

有货

立即购买

型号：PY25Q40HB-UXH-IR 编号：C48927665

封装：USON-8(2x3)

品牌：PUYA(普冉)

是一款串行接口闪存设备，适用于各种高容量消费类应用。在这些应用中，程序代码从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。该设备灵活的擦除架构及其扇区擦除粒度，也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备。其擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求

5+
￥0.5757
50+
￥0.5627
150+
￥0.5541
500+
￥0.5454

订货

我要订货

型号：BY25Q40ALUIG(R) 编号：C2829468

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：BOYAMICRO(博雅)

BY25Q40AL是一款4M位串行外设接口（SPI）闪存，专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。该器件具有灵活的擦除架构，其页擦除粒度使其也非常适合用于数据存储，无需额外的数据存储设备

数据手册

1+
￥1.8261
10+
￥1.438
30+
￥1.2717
100+
￥1.0642

有货

立即购买

型号：XT25Q16DDTIGT 编号：C2759956

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：XTX(芯天下)

XT25Q16D（16M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）、双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#/RESET#）。双I/O数据传输速度最高可达216Mbit/s，四路I/O和四路输出数据传输速度最高可达432Mbit/s。

数据手册

1+
￥3.24
10+
￥2.58
30+
￥2.3
100+
￥1.94
500+
￥1.61
1000+
￥1.52

订货

我要订货

型号：AT25SF081B-SSHB-T 编号：C1870746

封装：SOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

Adesto AT25SF081B是一款串行接口闪存设备，专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。AT25SF081B灵活的擦除架构也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备

数据手册

单价：
￥2.184724 / 个

我要订货

型号：XT25F128FSSIGU-W 编号：C5187911

封装：SOP-8

品牌：XTX(芯天下)

支持标准串行外设接口 (SPI)、双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#) 和I/O3 (HOLD#/RESET#)。

数据手册

1+
￥4.19
10+
￥3.43
30+
￥3.05
90+
￥2.57
540+
￥2.35
990+
￥2.23

订货

我要订货

型号：FM25Q128AI3 编号：C2928936

封装：SOP-8-208mil

品牌：FM(复旦微)

FM25Q128AI3是一款128M位（16,384K字节）的串行闪存，可在宽电压范围内工作。FM25Q128AI3支持标准串行外设接口（SPI）、双/四I/O以及双时钟指令周期的四方外设接口（QPI）。使用页编程指令，FM25Q128AI3每次可对1至256字节进行编程

数据手册

1+
￥4.38
10+
￥3.54
30+
￥3.13
95+
￥2.61
475+
￥2.36
1045+
￥2.24

订货

我要订货

型号：MX25L3233FM1I-08Q 编号：C7316568

封装：SOP-8

1+
￥6.85
10+
￥6.7
30+
￥6.6

有货

立即购买

型号：MX25L6406EZNI-12GTR 编号：C2803029

封装：WSON-8(6x8)

特性：单电源操作。读、擦除和编程操作电压为 2.7 至 3.6V。支持串行外设接口。模式 0 和模式 3。67,108,864 x 1 位结构或 33,554,432 x 2 位（双输出模式）结构。2048 个相等的扇区，每个扇区 4K 字节

1+
￥8.23
10+
￥8.02
30+
￥7.88

有货

立即购买

型号：IS25LP016D-JKLE-TR 编号：C5656608

封装：WSON-8(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥8.72
10+
￥8.52
30+
￥8.39

有货

立即购买

型号：MX25R6435FM2IH0 编号：C2802842

封装：SOIC-8-208mil

64Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 8,388,608 x 8。

1+
￥9.24
10+
￥9
30+
￥8.85

有货

立即购买

型号：AT25DF081A-SSH-B 编号：C21141409

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT25DF081A 是一款串行接口闪存存储器器件，专为各类大批量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存存储器映射到嵌入式或外部 RAM 中执行。AT25DF081A 具有灵活的擦除架构，擦除粒度小至 4KB，这使其也非常适合用于数据存储，无需额外的数据存储 EEPROM 器件

1+
￥9.34
10+
￥9.11
30+
￥8.96

有货

立即购买

型号：IS25LP016D-JNLA3-TR 编号：C6969439

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥10.45
10+
￥10.21
30+
￥10.06

有货

立即购买

型号：W25Q32JWSSIQ 编号：C2641183

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q32JW（32M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI（XIP）直接执行代码以及存储语音、文本和数据

数据手册

1+
￥11.37
10+
￥9.77
30+
￥8.89
90+
￥7.89
540+
￥7.45

有货

立即购买

型号：MX25U3232FM2Q02 编号：C27793236

封装：SOP-8-200mil

特性：支持串行外设接口-模式0和模式3。单电源操作-读取、擦除和编程操作电压为1.65至2.0伏。 33,554,432 x 1位结构或16,777,216 x 2位（双I/O模式）结构或8,388,608 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持-单I/O、双I/O和四I/O。从-1V到Vcc +1V的闩锁保护至100mA。 SPI模式快速读取-所有协议支持高达133MHz的时钟频率

1+
￥12.95
10+
￥12.65
30+
￥12.45

有货

立即购买

型号：MX25L3206EMI-12G 编号：C2802990

封装：SOIC-16-300mil