您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > FLASH存储器芯片
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共10537
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
  • 1+

    ¥276.91
  • 30+

    ¥263.96
  • 有货
  • 特性:堆叠设备(四个512Mb裸片)。SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率(STR/DTR)。所有STR协议的时钟频率最高为166 MHz
    • 1+

      ¥368.36
    • 30+

      ¥355.08
  • 有货
    • 1+

      ¥372.56
    • 30+

      ¥355.14
  • 有货
  • 特性:通用闪存存储 (UFS) 控制器和NAND闪存。VCC:2.7-3.6V。VCCQ2:1.7-1.95V。符合JEDEC/UFS规范版本2.1。先进的6信号接口。差分I/O引脚。支持2通道。高速:支持Gear 1/2/3。永久和上电写保护。引导操作(高速引导)。睡眠模式。重放保护内存块 (RPMB)。后台操作。可靠写入。丢弃/擦除。命令队列。FFU。缓存。JEDEC/UFS规范版本3.0特性。REFRESH操作。温度事件通知。保留资格:5年@55°C,PE为10%。1年@55°C,最大PE。封装合规:RoHS认证。BGA,MSL3
    • 单价:

      ¥962.76 / 个
  • 有货
  • SPI NOR FLASH,4Mbit,1.65V~2V,工作温度-40℃~+85℃,USON-8(2x3)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6835
    • 50+

      ¥0.5395
    • 150+

      ¥0.4675
    • 500+

      ¥0.4135
    • 3000+

      ¥0.3703
    • 6000+

      ¥0.3487
  • 订货
  • 8Mbit 3.3V SPI NOR Quad I/O
    • 5+

      ¥0.8651
    • 50+

      ¥0.8448
    • 200+

      ¥0.8314
    • 500+

      ¥0.8179
  • 订货
    • 1+

      ¥5.56
    • 10+

      ¥4.47
    • 30+

      ¥3.93
    • 100+

      ¥3.38
    • 500+

      ¥3.06
    • 1000+

      ¥2.89
  • 订货
  • 32Mbit,SPIFLASH
    数据手册
    • 1+

      ¥7.25
    • 10+

      ¥6.12
    • 30+

      ¥5.55
  • 有货
    • 10+

      ¥8.064
    • 20+

      ¥7.92
    • 30+

      ¥7.848
    • 1+

      ¥18.96
    • 200+

      ¥7.34
    • 480+

      ¥7.08
    • 960+

      ¥6.95
  • 订货
  • 特性:支持串行外设接口。 Mode O和Mode 3。 单电源操作。 读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6V。 268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位(双I/O模式)结构或67,108,864 x 4位(四I/O模式)结构。 协议支持:单I/O、双I/O和四I/O
    数据手册
    • 1+

      ¥9.5485
    • 50+

      ¥8.814
    • 100+

      ¥8.44675
    • 500+

      ¥8.2264
    • 1000+

      ¥8.0795
    特性:SPI兼容串行总线接口。 单和双传输速率(STR/DTR)。 时钟频率:STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。 双/四I/O命令,吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议:扩展I/O协议
    数据手册
    • 330+

      ¥6.700949
    • 500+

      ¥6.421834
    • 1000+

      ¥6.185179
    • 1500+

      ¥5.983006
    特性:支持串行外设接口。 模式0和模式3。 单电源操作。 读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。 268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位(双I/O模式)结构或67,108,864 x 4位(四I/O模式)结构。 协议支持:单I/O、双I/O和四I/O
    • 1+

      ¥24
    • 200+

      ¥9.29
    • 500+

      ¥8.97
    • 1000+

      ¥8.8
  • 订货
  • 工业级 SD NAND是一种嵌入式存储解决方案,采用WSON8封装或LGA8封装形式。SD NAND的操作与符合行业标准的SD卡类似。SD NAND由NAND闪存和高性能控制器组成
    • 1+

      ¥25.16
    • 10+

      ¥21.39
    • 30+

      ¥19.16
    • 100+

      ¥16.9
    • 480+

      ¥15.86
    • 960+

      ¥15.39
  • 订货
  • GigaDevice GD5F1GQ5UEYIGY 是一款1Gb SLC NAND Flash,支持标准、双线、四线SPI和双传输率模式。具备高级安全特性,如8K字节OTP区域、内部ECC校验等。适用于嵌入式系统,提供低功耗和高可靠性。
    数据手册
    • 1+

      ¥27.23
    • 10+

      ¥24.19
    • 30+

      ¥22.38
    • 100+

      ¥20.55
    • 480+

      ¥19.7
    • 960+

      ¥19.32
  • 订货
  • TC58NYG0S3HBAI6是一款1.8V供电的1Gbit (1,140,850,688 bits) NAND闪存存储器,适用于高密度非易失性数据存储应用,如固态文件存储、语音录音、图像文件存储等。
    数据手册
    • 1+

      ¥28.01
    • 10+

      ¥23.01
    • 30+

      ¥19.96
  • 有货
  • Spansion S29CD-J和S29CL-J器件是采用110纳米制程技术制造的浮栅产品。这些突发模式闪存器件能够利用独立的数据和地址引脚,在两个独立的存储体上同时执行读写操作,且无延迟。这些产品的工作频率最高可达75 MHz(32 Mb)或66 MHz(16 Mb),并使用单一的2 V $\mathsf{V}_{\mathsf{C C}}$电源
    • 1+

      ¥38.55
    • 10+

      ¥33.47
    • 30+

      ¥30.38
  • 有货
    • 1+

      ¥49.97
    • 10+

      ¥48.73
    • 30+

      ¥47.91
  • 有货
  • 特性:单1.7V。3.6V电源。与串行外设接口(SPI)兼容。支持SPI模式0和3。支持RapidS™操作。整个阵列具有连续读取能力
    • 1+

      ¥53.1
    • 10+

      ¥45.94
    • 30+

      ¥41.58
  • 有货
  • 适用于各种基于高容量消费类的应用,在这些应用中,程序代码从闪存复制到嵌入式或外部 RAM 中执行。灵活的擦除架构,擦除粒度小至 4KB,也适用于数据存储,无需额外的数据存储 EEPROM 设备。
    数据手册
    • 1+

      ¥53.74
    • 10+

      ¥52.53
    • 30+

      ¥51.72
  • 有货
  • IS34ML02G081-TLI 是一款2Gb SLC-1bECC 3.3V X8 NAND FLASH 内存,支持标准NAND接口。它具有灵活高效的架构,支持快速读写操作,适用于多种应用场景。
    • 1+

      ¥57.92
    • 10+

      ¥56.62
    • 30+

      ¥55.76
  • 有货
  • IS34ML02G081-TLI-TR 是一款2Gb SLC-1bECC 3.3V X8 NAND FLASH 内存,支持标准NAND接口。它具有灵活高效的架构,支持快速读写操作,适用于多种应用场景。
    • 1+

      ¥57.92
    • 10+

      ¥56.63
    • 30+

      ¥55.77
  • 有货
  • pSLC ,商业级( -25℃ to+85℃),标准SD2.0协议,8Gbit,兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。 别名贴片式TF卡;高可靠性第三代产品,SD NAND(SDNAND)
    数据手册
    • 1+

      ¥57.93
    • 10+

      ¥50.57
    • 30+

      ¥43.77
    • 100+

      ¥40
  • 订货
  • 特性:电源操作:读取、擦除和编程操作电压为2.7至3.6V。MX29GL256E H/L:VI/O = VCC = 2.7V~3.6V,VI/O电压必须与VCC一致。MX29GL256E U/D:输入/输出VI/O = 1.65V~3.6V。字节/字模式可切换。33,554,432 x 8 / 16,777,216 x 16。64KW/128KB统一扇区架构
    数据手册
    • 1+

      ¥60.3
    • 10+

      ¥58.35
  • 有货
  • 特性:- SPI兼容串行总线接口,支持单传输速率和双传输速率(STR/DTR)。 时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz,DTR中所有协议最高90 MHz。 双/四I/O命令,吞吐量最高可达90 MB/s。 支持协议:扩展、双和四I/O,STR和DTR均支持。 即插即用(XIP)。 编程/擦除暂停操作
    数据手册
    • 1+

      ¥82.96
    • 10+

      ¥78.81
    • 30+

      ¥71.61
  • 有货
  • 特性:通用特性: -读取、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。字节/字模式可切换。67,108,864 x 8 / 33,554,432 x 16。64KW/128KB统一扇区架构。512个相等扇区。16字节/8字页读取缓冲区
    • 1+

      ¥87.66
    • 10+

      ¥83.43
    • 30+

      ¥76.09
  • 有货
  • 特性:单级单元(SLC)工艺技术。 密度:256Mb。 电源电压:VCC(overline) = 2.7-3.6V(编程、擦除、读取);VCCQ(overline) = 1.65-VCC(I/O缓冲器)。 异步随机/页面读取。 页面大小:16字或32字节。 页面访问:20ns
    数据手册
    • 1+

      ¥89.03
    • 10+

      ¥85.44
    • 30+

      ¥79.23
  • 有货
  • 特性:通用特性: -读、擦除和编程操作电压范围为2.7至3.6伏。 -字节/字模式可切换。 -134,217,728 x 8 / 67,108,864 x 16。 -64KW/128KB统一扇区架构。 -1024个相等扇区。 -16字节/8字页读取缓冲区
    • 1+

      ¥94.81
    • 10+

      ¥91.77
  • 有货
    • 1+

      ¥118.74
    • 10+

      ¥113.39
    • 30+

      ¥104.13
  • 有货
  • 立创商城为您提供FLASH存储器芯片型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买FLASH存储器芯片提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content