FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：S25FL256SAGNFV000 编号：C6801550

封装：WSON-8(6x8)

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：S25FL128SAGBHI300 编号：C22434826

封装：BGA-24(6x8)

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型号：SST39VF802C-70-4I-EKE 编号：C637415

封装：TFSOP-48-18.4mm

SST39VF801C/802C和SST39LF801C/802C器件是采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造的512K x16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39VF801C/802C和SST39LF801C/802C在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：W25Q512JVEIQ 编号：C2986165

封装：WSON-8-EP(6x8)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。

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型号：W25Q256JWYIM TR 编号：C7150063

封装：WLCSP-32(3.2x4)

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型号：W25Q256JVBIM TR 编号：C6326906

封装：TFBGA-24(6x8)

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型号：S34ML02G100TFI000 编号：C112425

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

3.3V 2Gbit

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型号：SST26VF064BEUI-104I/SM 编号：C638563

封装：SOIC-8-208mil

串行四路输入/输出（Serial Quad I/O™，SQI™）系列闪存设备采用六线 4 位输入/输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064BEUI 还支持与传统串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）协议的全命令集兼容。采用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：SST39VF1601-70-4C-EKE-T 编号：C632275

封装：TSOPI-48

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型号：S25FL128SAGMFIR00 编号：C2959323

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：SST26VF064BT-104V/SM 编号：C629110

封装：SOIC-8-208mil

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型号：HYF1GQ4UDACAE 编号：C7426872

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：HeYangTek(扬贺扬)

该器件是一款1Gb SPI NAND Flash存储器，支持标准双线和四线SPI接口，具有硬件写保护功能，支持ECC 4位/512B，内部数据移动页面带有ECC，不良块映射管理无需手动处理，低功耗设计，最大功耗30mA，SPI最大时钟频率80MHz，工作电压范围2.7V至3.6V。

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型号：SST39VF3201-70-4I-B3KE 编号：C633389

封装：TFBGA-48(6x8)

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型号：MT25QU128ABB1ESE-0AUT 编号：C6313669

封装：SO-8

品牌：micron(镁光)

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型号：S29GL512T10TFI020 编号：C22408477

封装：TSOP-56

S29GL01GT/512T 是采用 45 纳米制程技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达 15 纳秒，相应的随机访问时间最快可达 100 纳秒。它们具备一个写缓冲区，允许在一次操作中最多对 256 字/512 字节进行编程，与标准编程算法相比，可有效缩短编程时间

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型号：S29GL256S10TFV010 编号：C2944786

封装：TFSOP-56-18.4mm

采用65纳米制程技术制造，具备快速页面访问时间，最快可达15 ns，随机访问时间最快可达90 ns。其写入缓冲区允许在一次操作中对最多256个字/512字节进行编程，有效编程时间比标准编程算法更快。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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型号：W25R256JWPIQ 编号：C7117013

封装：WSON-8(5x6)

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型号：MX29GL128EUT2I-11G 编号：C2803086

封装：TFSOP-56-18.4mm

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：电源操作：2.7-3.6V用于读取、擦除和编程操作。 MX29GL128E H/L：VI/O = VCC = 2.7V ~ 3.6V，I/O电压必须与VCC一致。 MX29GL128E U/D：VI/O = 1.65V ~ 3.6V用于输入/输出。字节/字模式可切换：16,777,216 x 8 / 8,388,608 x 16。 64KW/128KB统一扇区架构，128个相等扇区。 16字节/8字页读取缓冲区

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型号：SST39VF1601-70-4I-B3KE 编号：C633376

封装：TFBGA-48(6x8)

SST39VF160x和SST39VF320x器件分别为1M x16和2M x16的CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件，采用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x/320x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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￥63.16
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型号：SST39VF3202B-70-4I-EKE 编号：C637402

封装：TSOPI-48

SST39VF320xB 器件是采用 SST 专有的高性能 CMOS 超闪存技术制造的 2M x16 CMOS 多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39VF320xB 在 2.7 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：SST39VF3202-70-4I-EKE 编号：C637400

封装：TFSOP-48-18.4mm

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型号：HYF2GQ4UTACAE 编号：C7426874

封装：LGA8

品牌：HeYangTek(扬贺扬)

该器件是一种基于标准并行NAND Flash的SLC NAND Flash存储器，支持标准双线和四线SPI接口。每个块包含64个可编程页，每页由2048字节的数据存储区和128字节的备用区组成。提供2Gb的存储容量，适用于嵌入式系统的高密度非易失性存储解决方案。

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型号：IS29GL128-70DLET 编号：C6577449

封装：LFBGA-64(9x9)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS25LP512M-JLLE 编号：C1351993

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP512M和IS25WP512M串行闪存提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具备高灵活性和高性能。ISSI的“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O（参见引脚说明）

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型号：S29GL512T10FHI013 编号：C27136795

封装：FBGA-64(11x13)

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型号：S29GL256S10TFI010 编号：C22433359

封装：TSOP-56

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型号：S29GL01GT11FHIV20 编号：C22430855

封装：FBGA-64

S29GL01GT/512T 是采用 45 纳米制程技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达 15 纳秒，相应的随机访问时间最快可达 100 纳秒。它们具备一个写缓冲区，允许在一次操作中最多对 256 字/512 字节进行编程，与标准编程算法相比，可有效缩短编程时间

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型号：MKDV08GIL-STPA 编号：C20607686

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:pSLC，工业级宽温，广泛适配在各大MCU平台上；别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥104.92
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￥96.09
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型号：S79FS01GSFABHB210 编号：C20192437

封装：BGA-24(6x8)