FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：S25FL256SAGNFV003 编号：C2951865

封装：WDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥39.34
10+
￥38.42
30+
￥37.8

有货

立即购买

型号：AT25QF128A-MHB-T 编号：C5555629

封装：UDFN-8(5x6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥19.65
10+
￥19.21
30+
￥18.92

有货

立即购买

型号：AT45DB021E-SHN-B 编号：C5334523

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：单1.65 V、3.6 V电源。与串行外设接口（SPI）兼容。支持SPI模式0和3。支持RapidS™操作。具备整个阵列的连续读取能力。最高85 MHz

数据手册

1+
￥20.2
10+
￥17.38
30+
￥15.7

有货

立即购买

型号：HYF4GQ4UTACAE 编号：C7426876

封装：LGA8

品牌：HeYangTek(扬贺扬)

该器件是一种基于标准并行NAND Flash的SLC NAND Flash存储器，支持标准双线和四线SPI接口。每个块包含64个可编程页，每页由2048字节的数据存储区和128字节的备用区组成。提供4Gb的存储容量，适用于嵌入式系统的高密度非易失性存储解决方案。

1+
￥21.424 ￥26.78
10+
￥18.32 ￥22.9
30+
￥16.472 ￥20.59
100+
￥14.6 ￥18.25
500+
￥13.736 ￥17.17
1000+
￥13.352 ￥16.69

有货

立即购买

型号：S25FL128LAGNFI010 编号：C2944489

封装：WDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

1+
￥22.86
10+
￥22.35
30+
￥20.95

有货

立即购买

型号：AT45DB161E-SSHD2B-T 编号：C21782970

封装：-

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥22.97
10+
￥22.46
30+
￥22.12

有货

立即购买

型号：AT45DB161E-MHF2B-T 编号：C2061901

封装：UDFN-8-EP(5x6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT45DB161E是一款最低工作电压为2.3V或2.5V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB161E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其17,301,504位的存储器组织为4096页，每页512字节或528字节

数据手册

1+
￥23.91
10+
￥23.37
30+
￥23.02

有货

立即购买

型号：W25Q256JWEIQ 编号：C2940048

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

1+
￥24.43
10+
￥21.25
30+
￥19.36

有货

立即购买

型号：ZD25Q512AYIGY 编号：C39840904

封装：DFN-8L(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,512Mbit,2.7~3.6V,DFN-8L(6x8),WSON-8-EP(6x8),Tube

1+
￥24.88
10+
￥21.35
30+
￥19.26
100+
￥16.41
480+
￥15.44
960+
￥15

订货

我要订货

型号：AT45DB161E-SSHFHA-T 编号：C21708082

封装：-

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥25.84
10+
￥25.26
30+
￥24.88

有货

立即购买

型号：SST39VF801C-70-4I-EKE 编号：C637413

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF801C/802C和SST39LF801C/802C器件是采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造的512K x16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39VF801C/802C和SST39LF801C/802C在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

数据手册

1+
￥25.97
10+
￥25.41
30+
￥25.04

有货

立即购买

型号：S25FS128SAGMFI100 编号：C2944788

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：密度：128 Mbits (16 MB)、256 Mbits (32 MB)。串行外设接口 (SPI)。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址：24 或 32 位地址选项。串行命令子集和封装尺寸与 S25FL-A、S25FL-K、S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列兼容。多 I/O 命令子集和封装尺寸与 S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列兼容。读取命令：普通、快速、双 I/O、四 I/O、DDR 四 I/O

1+
￥26.4
10+
￥25.72
30+
￥25.27

有货

立即购买

型号：S25FL128SAGBHI200 编号：C2959378

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥26.78
10+
￥26.15
30+
￥25.73

有货

立即购买

型号：MX29GL256FLT2I-90Q 编号：C504713

封装：TFSOP-56-18.4mm

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：通用特性：电源操作：读取、擦除和编程操作为2.7至3.6伏。MX29GL256F H/L：VI/O = VCC = 2.7V~3.6V，VI/O电压必须与VCC紧密匹配。MX29GL256F U/D：输入/输出的VI/O = 1.65V~3.6V。字节/字模式可切换。33,554,432 x 8或16,777,216 x 16。64KW/128KB统一扇区架构。256个相等的扇区。16字节/8字页读取缓冲区

1+
￥26.95
10+
￥26.31
30+
￥25.89

有货

立即购买

型号：GD25R128ESIGR 编号：C27694018

封装：-

品牌：GigaDevice(兆易创新)

1+
￥26.99
10+
￥26.38
30+
￥25.98

有货

立即购买

型号：S25FL256SAGNFI010 编号：C20619371

封装：WSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥29.98
10+
￥29.33
30+
￥28.89

有货

立即购买

型号：S25FL064LABMFI013 编号：C16197181

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Infineon(英飞凌)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

1+
￥30.13
10+
￥25.92
30+
￥23.42

有货

立即购买

型号：S25FL064LABMFB010 编号：C1351556

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥31.05
10+
￥26.58
30+
￥23.91

有货

立即购买

型号：AT45DB161E-SSHD-B 编号：C7495008

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：单2.3V、3.6V或2.5V、3.6V电源，与串行外设接口（SPI）兼容。支持SPI模式0和3。支持RapidS™操作，可在整个阵列中连续读取。最高85MHz。低功耗读取选项，最高15MHz。时钟到输出时间(t_V)最大为6ns

1+
￥31.98
10+
￥27.51
30+
￥24.86

有货

立即购买

型号：S25FL128SAGMFB000 编号：C2950746

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

1+
￥32.67
10+
￥31.86
30+
￥31.32

有货

立即购买

型号：AT45DB641E-MHN-T 编号：C5334504

封装：UDFN-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

数据手册

1+
￥34.37
10+
￥33.57
30+
￥33.03

有货

立即购买

型号：IS29GL032-70TLED 编号：C6280178

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS29GL064/032 提供 25ns 的快速页访问时间，相应的随机访问时间最快可达 70ns。它具备一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程 256 个字/512 字节，与标准编程算法相比，可实现更快的有效编程时间。这使得该器件非常适合当今需要更高密度、更优性能和更低功耗的嵌入式应用

1+
￥34.81
10+
￥34.04
30+
￥33.52

有货

立即购买

型号：XT26G12DWSIGA 编号：C42162953

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：XTX(芯天下)

XT26G12D是一款2G-bit (256M-byte) SPI NAND Flash存储器，支持标准SPI接口和双/四线I/O选项。具备高级写保护机制，单电源电压2.7V~3.6V，支持120MHz高速读取，具备8位ECC校验功能。

1+
￥35.75
10+
￥30.72
30+
￥27.66
100+
￥25.09

订货

我要订货

型号：SST39VF3202C-70-4I-EKE 编号：C637403

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF3201C和SST39VF3202C器件是采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的2M x 16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF3201C/SST39VF3202C在2.7V - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

数据手册

1+
￥36.19
10+
￥31.47
30+
￥28.59

有货

立即购买

型号：S25FL256LAGNFI013 编号：C2951920

封装：WDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥36.32
10+
￥31.23
30+
￥28.13

有货

立即购买

型号：SST39SF020A-55-4C-NHE 编号：C645932

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39SF010A/020A/040 是采用 SST 专有的高性能 CMOS 超闪存技术制造的 CMOS 多用途闪存（MPF）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39SF010A/020A/040 器件在 4.5 - 5.5V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

数据手册