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首页 > 热门关键词 > FLASH存储器芯片
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具备133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的串行闪存
型号：IS25LP080D-JNLA3-TR 编号：C1236801
封装：SOIC-8
品牌：ISSI(美国芯成)
IS25LP080D和IS25WP080D/040D/020D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O，以及标准、双输出和四输出SPI
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    64Mb串行闪存存储器
    型号：MX25U6435FZNI-10G 编号：C2802908
    封装：WSON-8(5x6)
    品牌：MXIC(旺宏电子)
    是64Mb串行闪存，内部配置为8,388,608 x 8。
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    IS25LP064A JLLE
    型号：IS25LP064A-JLLE 编号：C1349830
    封装：WSON-8-EP(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多输入输出。该设备支持双输入输出和四输入输出以及标准、双输出和四输出SPI
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    2 Mbit数据闪存（带额外64 Kbit），最低工作电压1.65 V的SPI串行闪存
    型号：AT45DB021E-SSHN2B-T 编号：C2061410
    封装：SOIC-8
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT
    一款最低工作电压为 1.65V 的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。它还支持 RapidS 串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其 2,162,688 位的存储器被组织成 1,024 页，每页 256 字节或 264 字节
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    8 Mbit 数据闪存，最低工作电压 1.7V，SPI 串行闪存
    型号：AT45DB081E-SSHN2B-T 编号：C2065231
    封装：SOIC-8
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT
    AT45DB081E是一款最低工作电压为1.7V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB081E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其8,650,752位的内存组织为4,096页，每页256字节或264字节
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    64M位CMOS串行闪存
    型号：MX25L6406EMI-12G 编号：C2803026
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：MXIC(旺宏电子)
    特性：单电源操作。读、擦除和编程操作电压为 2.7 至 3.6 伏。支持串行外设接口。模式 0 和模式 3。67,108,864 x 1 位结构或 33,554,432 x 2 位（双输出模式）结构。2048 个相等的扇区，每个扇区 4K 字节

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    32M位CMOS串行闪存
    型号：MX25L3206EZNI-12G 编号：C152593
    封装：WSON-8-EP(5x6)
    品牌：MXIC(旺宏电子)
    该设备具有串行外设接口和软件协议，允许在简单的三线总线上运行。三条总线信号分别是时钟输入 (SCLK)、串行数据输入 (SI) 和串行数据输出 (SO)。
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    具有133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的16Mb串行闪存
    型号：IS25LP016D-JLLE 编号：C3033374
    封装：WSON-8-EP(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式，提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式
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    GD25WQ64ETIGR
    型号：GD25WQ64ETIGR 编号：C6260519
    封装：SOP-8
    品牌：GigaDevice(兆易创新)

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    GD25B64EWIGR
    型号：GD25B64EWIGR 编号：C5718243
    封装：WSON-8-EP(5x6)
    品牌：GigaDevice(兆易创新)

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    通信接口:SPI 2Mbit 2.5V
    型号：AT45DB021E-MHN-Y 编号：C1349164
    封装：UDFN-8-EP(5x6)
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT
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    SPI 串行闪存
    型号：AT25DF081A-MH-Y 编号：C1350687
    封装：UDFN-8(5x6)
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT
    一款串行接口闪存设备，专为各种高产量的消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存复制到嵌入式或外部 RAM 中执行。其灵活的擦除架构，擦除粒度小至 4KB，也使其非常适合用于数据存储，无需额外的数据存储 EEPROM 设备
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    停产 1 Mbit/2 Mbit/4 Mbit 多功能闪存
    型号：SST39VF010-70-4I-WHE 编号：C633803
    封装：TFSOP-32-12.4mm
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    SST39LF010、SST39LF020、SST39LF040 以及 SST39VF010、SST39VF020、SST39VF040 是采用专有的高性能 CMOS 超闪存技术制造的 128K x8、256K x8 和 512K x8 互补金属氧化物半导体（CMOS）多用途闪存（MPF）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39LF010/020/040 器件在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作
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    AT25PE40-SSHN-T
    型号：AT25PE40-SSHN-T 编号：C21965694
    封装：-
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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    具备133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的32Mb串行闪存
    型号：IS25LP032D-JNLA3-TR 编号：C6280152
    封装：SOIC-8
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS25LP032D 和 IS25WP032D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，它采用引脚数量精简的封装，具备高度的灵活性和出色的性能。该产品适用于对空间、引脚数量和功耗要求严苛的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 模式

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    通信接口:SPI 4Mbit 2.5V
    型号：AT45DB041E-MHN-Y 编号：C1349975
    封装：UDFN-8-EP(5x6)
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT
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    128 Mb（16 MB）/ 256 Mb（32 MB）FL-L闪存，SPI多输入/输出接口，3.0V
    型号：S25FL128LAGMFI003 编号：C2952017
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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    AT25DF021A-MAHNHR-T
    型号：AT25DF021A-MAHNHR-T 编号：C21638863
    封装：-
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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    AT25XE321D-SHN-T
    型号：AT25XE321D-SHN-T 编号：C7455379
    封装：SOIC-8-208mil
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

    • 1+

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    串行闪存
    型号：LE25S81AMDTWG 编号：C603108
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    LE25S81A 是一款采用 SPI 总线的闪存器件，配置为 8M 位（1024K × 8 位）。它采用单电源供电。LE25S81A 在充分发挥串行闪存器件固有特性的同时，采用了 8 引脚超小型封装
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    16 Mbit DataFlash，最小电压2.3V或2.5V，SPI串行闪存
    型号：AT45DB161E-SHF-B 编号：C1348837
    封装：SOIC-8-208mil
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT
    AT45DB161E是一款最低工作电压为2.3V或2.5V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB161E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其17,301,504位的存储器组织为4096页，每页512字节或528字节
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    AT25SL641 MHE T
    型号：AT25SL641-MHE-T 编号：C2061432
    封装：UDFN-8-EP(5x6)
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT
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    64 Mb（8 MB）FL-L闪存，SPI多I/O接口，3.0V
    型号：S25FL064LABBHI020 编号：C2944867
    封装：TBGA-24
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FL-L 系列器件是采用以下技术的闪存非易失性存储产品：• 浮栅技术 • 65 纳米制程光刻技术

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    8 Mbit DataFlash-L 页擦除串行闪存
    型号：AT25PE80-SSHN-T 编号：C2061696
    封装：SOIC-8
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT
    AT25PE80是一款最低工作电压为1.7V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT25PE80还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其8,650,752位的存储器组织为4,096页，每页256字节或264字节
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    1/2/4 Gb, 3 V, 4-bit ECC, SLC嵌入式NAND闪存
    型号：S34ML01G200BHI000 编号：C117901
    封装：BGA-63
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    S34ML01G200BHI000 是一款 1 Gb 3 V 4-bit ECC SLC NAND Flash 存储器，适用于嵌入式系统。它支持 x8 和 x16 接口，具有 3.3 V 供电电压，支持 4-bit ECC。该存储器具有高可靠性和长寿命，适用于需要高数据完整性的应用。
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    16 Mbit DataFlash，最小电压2.3V或2.5V，SPI串行闪存
    型号：AT45DB161E-SSHF-T 编号：C2653515
    封装：SOIC-8
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT
    AT45DB161E是一款最低工作电压为2.3V或2.5V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB161E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其17,301,504位的存储器组织为4096页，每页512字节或528字节
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    通信接口:SPI 16Mbit 3V
    型号：AT45DB161E-SSHF-B 编号：C1349132
    封装：SOIC-8
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT
    AT45DB161E是一款最低工作电压为2.3V或2.5V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB161E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其17,301,504位的存储器组织为4096页，每页512字节或528字节
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    单电源供电串行接口闪存存储器
    型号：AT45DB041E-SHNHA-T 编号：C5334568
    封装：SOIC-8
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT
    特性：单1.65V至3.6V电源。兼容串行外设接口（SPI）。支持SPI模式0和3。支持RapidS™操作。整个阵列具有连续读取能力。最高85MHz
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    AT25SL128A-SHE-T
    型号：AT25SL128A-SHE-T 编号：C23473971
    封装：SOIC-8-208mil
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT
    特性：单电压工作范围为1.7 V-2.0 V。支持串行外设接口（SPI）。支持SPI模式0和3。支持双SPI双输出操作（1-1-2）。支持四输出操作（1-1-4）。支持四I/O/XiP操作（1-4-4，0-4-4）

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    单电源供电串行接口闪存存储器
    型号：AT45DB041E-SHN2B-T 编号：C5334561
    封装：SOIC-8
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT
    特性：单1.65V至3.6V电源。兼容串行外设接口（SPI）。支持SPI模式0和3。支持RapidS™操作。整个阵列具有连续读取能力。最高85MHz
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