FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：S25FL064LABBHI020 编号：C2944867

封装：TBGA-24

FL-L 系列器件是采用以下技术的闪存非易失性存储产品：• 浮栅技术 • 65 纳米制程光刻技术

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型号：AT25PE80-SSHN-T 编号：C2061696

封装：SOIC-8

AT25PE80是一款最低工作电压为1.7V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT25PE80还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其8,650,752位的存储器组织为4,096页，每页256字节或264字节

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型号：MX25L3233FMI-08G 编号：C2802999

封装：SOIC-16-300mil

特性：Hold功能。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。自动擦除和自动编程算法。编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复

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￥17.52
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￥15.02
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型号：MX25L12873GM2I-08G 编号：C5158583

封装：SOIC-8

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型号：AT45DB161E-SSHF-B 编号：C1349132

封装：SOIC-8

AT45DB161E是一款最低工作电压为2.3V或2.5V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB161E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其17,301,504位的存储器组织为4096页，每页512字节或528字节

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￥17.23

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型号：AT45DB041E-SHNHA-T 编号：C5334568

封装：SOIC-8

特性：单1.65V至3.6V电源。兼容串行外设接口（SPI）。支持SPI模式0和3。支持RapidS™操作。整个阵列具有连续读取能力。最高85MHz

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￥18.68
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￥15.93
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￥14.2

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型号：AT25SL128A-SHE-T 编号：C23473971

封装：SOIC-8-208mil

特性：单电压工作范围为1.7 V-2.0 V。支持串行外设接口（SPI）。支持SPI模式0和3。支持双SPI双输出操作（1-1-2）。支持四输出操作（1-1-4）。支持四I/O/XiP操作（1-4-4，0-4-4）

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￥18.91
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￥18.22

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型号：AT25QL128A-MHE-T 编号：C2061611

封装：UDFN-8-EP(5x6)

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￥18.93
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型号：AT45DB041E-SHN2B-T 编号：C5334561

封装：SOIC-8

特性：单1.65V至3.6V电源。兼容串行外设接口（SPI）。支持SPI模式0和3。支持RapidS™操作。整个阵列具有连续读取能力。最高85MHz

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1+
￥19.47
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￥16.61
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￥14.82

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型号：AT25QF128A-MHB-T 编号：C5555629

封装：UDFN-8(5x6)

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￥19.65
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￥19.21
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￥18.92

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型号：MX25L12845GMI-08G 编号：C7009730

封装：SOIC-16-300mil

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￥17.17
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￥15.38
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￥13.54

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型号：AT45DB021E-SHN-B 编号：C5334523

封装：SOIC-8

特性：单1.65 V、3.6 V电源。与串行外设接口（SPI）兼容。支持SPI模式0和3。支持RapidS™操作。具备整个阵列的连续读取能力。最高85 MHz

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1+
￥20.2
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￥17.38
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￥15.7

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型号：AT45DB161E-SSHD2B-T 编号：C21782970

封装：-

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￥22.97
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￥22.46
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￥22.12

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型号：W25Q12PWSSIM 编号：C41473757

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

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￥24.66
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￥24.14
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￥23.8

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型号：W25Q128JVBIQ 编号：C2641218

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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￥25.67
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￥24.77

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型号：S25FL256LAGBHI023 编号：C2951932

封装：TBGA-24

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￥25.21

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型号：GD25R128ESIGR 编号：C27694018

封装：-

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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￥25.98

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型号：S25FL064LABNFI013 编号：C2952837

封装：WFDFN-8-EP

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￥21.66

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型号：AT45DB161E-SSHD-B 编号：C22365783

封装：SOIC-8

是一款2.3V或2.5V最低电压的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。还支持RapidS串行接口，适用于需要非常高速操作的应用。其17,301,504位内存组织为4,096页，每页512字节或528字节。除主内存外，还包含两个512/528字节的SRAM缓冲区，允许在对主内存中的页面进行重新编程时接收数据。两个缓冲区之间的交错可以显著提高系统写入连续数据流的能力。此外，SRAM缓冲区可用作额外的系统暂存内存，并且通过自包含的三步读-修改-写操作可以轻松处理E²PROM仿真（位或字节可更改性）

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￥27.76
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型号：S25FL256SAGNFI010 编号：C20619371

封装：WSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥29.98
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￥28.89

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型号：SST26VF032BT-104V/SM 编号：C629109

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥33.88
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￥33.09
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￥32.56

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型号：S25FL128SAGMFIG00 编号：C2944785

封装：SOIC-16-300mil

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￥35.99
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型号：SST39VF3202C-70-4I-EKE 编号：C637403

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF3201C和SST39VF3202C器件是采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的2M x 16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF3201C/SST39VF3202C在2.7V - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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￥36.19
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型号：SST26VF064BA-104I/SM 编号：C5229155

封装：SOIJ-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四路输入输出（SQI）系列闪存设备采用六线、4 位输入输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064B/064BA 还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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￥37.58
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￥36.72
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￥34.93

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型号：MX30LF2G18AC-XKI 编号：C2802757

封装：VFBGA-63

MX30LF2G18AC是一款2Gb/4Gb SLC NAND Flash存储器，支持4-bit ECC，具有硬件数据保护功能，宽温工作范围，低功耗，适用于嵌入式系统代码和数据存储。

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￥37.9
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￥32.81
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￥26.73

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型号：IS25LP256D-RHLE 编号：C1350739

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥38.06
10+
￥37.17
30+
￥36.57

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型号：S25FL128SAGNFI010 编号：C2947444

封装：WDFN-8-EP

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￥38.19
10+
￥32.86
30+
￥29.61

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型号：S25FL127SABMFV101 编号：C2954141

封装：SOIC-8