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通信接口:SPI 8Mbit 2.5V

型号：AT45DB081E-MHN-Y 编号：C1349963

封装：UDFN-8-EP(5x6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT45DB081E是一款最低工作电压为1.7V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB081E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其8,650,752位的内存组织为4,096页，每页256字节或264字节

数据手册

1+
￥9.92
10+
￥9.66
30+
￥9.49

有货

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64M位[x1/x2]CMOS串行闪存

型号：MX25L6406EZNI-12GTR 编号：C2803029

封装：WSON-8(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：单电源操作。读、擦除和编程操作电压为 2.7 至 3.6V。支持串行外设接口。模式 0 和模式 3。67,108,864 x 1 位结构或 33,554,432 x 2 位（双输出模式）结构。2048 个相等的扇区，每个扇区 4K 字节

1+
￥9.99
10+
￥9.78
30+
￥9.64

有货

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AT25XE021A SSHN T

型号：AT25XE021A-SSHN-T 编号：C2061589

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

数据手册

1+
￥10.08
10+
￥9.85
30+
￥9.7

有货

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MX25V8006EM1I-13G

型号：MX25V8006EM1I-13G 编号：C2803047

封装：SOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

1+
￥10.39
10+
￥9.03
30+
￥8.28

有货

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64 Mb (8 MB) FL-L闪存

型号：S25FL064LABNFV010 编号：C2949232

封装：WFDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（XIP）和存储可重新编程的数据。

1+
￥10.57
10+
￥10.33
30+
￥10.16

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支持双路I/O和四路I/O的64 Mbit SPI串行闪存

型号：AT25SF641B-SHB-B 编号：C28668436

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：单2.7V-3.6V电源电压。串行外设接口（SPI）兼容。支持SPI模式0和3。支持双输出操作（1,1,2）。支持四输出操作（1-1-4）。支持四I/O/XiP操作（1-4-4, 0-4-4）

1+
￥10.89
10+
￥10.65
30+
￥10.49

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8 Mbit 数据闪存，最低工作电压 1.7V，SPI 串行闪存

型号：AT45DB081E-SSHN2B-T 编号：C2065231

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT45DB081E是一款最低工作电压为1.7V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB081E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其8,650,752位的内存组织为4,096页，每页256字节或264字节

数据手册

1+
￥10.96
10+
￥10.69
30+
￥10.51

有货

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通信接口:SPI 1Mbit 2.5V

型号：AT25XE011-SSHN-B 编号：C1351045

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

数据手册

1+
￥11.2
10+
￥10.94
30+
￥10.77

有货

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2 Mbit数据闪存（带额外64 Kbit），最低工作电压1.65 V的SPI串行闪存

型号：AT45DB021E-SSHN2B-T 编号：C2061410

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

一款最低工作电压为 1.65V 的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。它还支持 RapidS 串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其 2,162,688 位的存储器被组织成 1,024 页，每页 256 字节或 264 字节

数据手册

1+
￥11.24
10+
￥10.98
30+
￥10.81

有货

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AT25SL321-SHE-T

型号：AT25SL321-SHE-T 编号：C20467720

封装：SOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥12.31
10+
￥10.49
30+
￥9.36
100+
￥8.19

有货

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AT25FF321A-SHN-B

型号：AT25FF321A-SHN-B 编号：C5591126

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥12.55
10+
￥12.27
30+
￥12.09

有货

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32 Mbit 数据闪存（带额外 1 Mbit），最低工作电压 2.3V 的 SPI 串行闪存

型号：AT45DB321E-SHF2B-T 编号：C2061784

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

这是一款最低工作电压为2.3V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。它还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其34,603,008位的存储器组织为8,192页，每页512字节或528字节

数据手册

1+
￥12.66
10+
￥12.37
30+
￥12.18

有货

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具有133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的16Mb串行闪存

型号：IS25LP016D-JLLE 编号：C3033374

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式，提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式

数据手册

1+
￥12.74
10+
￥10.69
30+
￥9.42

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8 Mbit 数据闪存，最低工作电压 1.7V，SPI 串行闪存

型号：AT45DB081E-MHN-T 编号：C21012660

封装：UDFN-8(5x6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT45DB081E是一款最低工作电压为1.7V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB081E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其8,650,752位的内存组织为4,096页，每页256字节或264字节

1+
￥12.76
10+
￥12.44
30+
￥12.22

有货

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4 Mbit数据闪存（附带额外128 Kbit），最低工作电压1.65 V的SPI串行闪存

型号：AT45DB041E-SHN-B 编号：C1348793

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT45DB041E是一款最低工作电压为1.65V的串行接口顺序访问闪存，非常适合用于各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB041E还支持RapidS串行接口，适用于需要超高速运行的应用。其4,194,304位的存储器组织为2,048页，每页256字节或264字节

数据手册

1+
￥12.84
10+
￥12.55
30+
￥12.36

有货

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SPI 串行闪存

型号：AT25DF081A-MH-Y 编号：C1350687

封装：UDFN-8(5x6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

一款串行接口闪存设备，专为各种高产量的消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存复制到嵌入式或外部 RAM 中执行。其灵活的擦除架构，擦除粒度小至 4KB，也使其非常适合用于数据存储，无需额外的数据存储 EEPROM 设备

数据手册

1+
￥13.02
10+
￥12.71
30+
￥12.51

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GD25WQ64ETIGR

型号：GD25WQ64ETIGR 编号：C6260519

封装：SOP-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

1+
￥13.09
10+
￥12.79
30+
￥12.59

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停产 1 Mbit/2 Mbit/4 Mbit 多功能闪存

型号：SST39VF010-70-4I-WHE 编号：C633803

封装：TFSOP-32-12.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39LF010、SST39LF020、SST39LF040 以及 SST39VF010、SST39VF020、SST39VF040 是采用专有的高性能 CMOS 超闪存技术制造的 128K x8、256K x8 和 512K x8 互补金属氧化物半导体（CMOS）多用途闪存（MPF）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39LF010/020/040 器件在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

数据手册

1+
￥13.21
10+
￥12.89
30+
￥12.68

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通信接口:SPI 2Mbit 2.5V

型号：AT45DB021E-MHN-Y 编号：C1349164

封装：UDFN-8-EP(5x6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

数据手册

1+
￥13.46
10+
￥13.16
30+
￥12.96

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AT45DB041E MHN T

型号：AT45DB041E-MHN-T 编号：C2061634

封装：UDFN-8-EP(5x6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

数据手册

1+
￥13.79
10+
￥13.48
30+
￥13.27

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128 Mb（16 MB）/ 256 Mb（32 MB）FL-L闪存，SPI多输入/输出接口，3.0V

型号：S25FL128LAGMFI003 编号：C2952017

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

1+
￥14.07
10+
￥13.72
30+
￥13.48

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4-Mbit DataFlash-L 页擦除串行闪存存储器

型号：AT25PE40-SSHN-T 编号：C21965694

封装：-

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥14.19
10+
￥13.88
30+
￥13.66

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通信接口:SPI 4Mbit 2.5V

型号：AT45DB041E-MHN-Y 编号：C1349975

封装：UDFN-8-EP(5x6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

数据手册

1+
￥14.22
10+
￥13.91
30+
￥13.69

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单电源供电，SPI接口，多擦除模式闪存

型号：AT25DF021A-MAHNHR-T 编号：C21638863

封装：-

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥14.45
10+
￥14.13
30+
￥13.91

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支持双路/四路SPI接口的1.8V、256Mbit 串行闪存

型号：W25Q256JWFIQ 编号：C2940196

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

1+
￥14.54
10+
￥14.27
30+
￥14.09
100+
￥12.33

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AT25XE321D-SHN-T

型号：AT25XE321D-SHN-T 编号：C7455379

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥14.63
10+
￥12.5
30+
￥11.16

有货

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2.5V和3.8V 8M位串行闪存存储器，支持双路和四路SPI

型号：W25Q80DLUXIE 编号：C19531913

封装：USON-8(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥14.86
10+
￥14.52
30+
￥14.3

有货

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串行闪存

型号：LE25S81AMDTWG 编号：C603108

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LE25S81A 是一款采用 SPI 总线的闪存器件，配置为 8M 位（1024K × 8 位）。它采用单电源供电。LE25S81A 在充分发挥串行闪存器件固有特性的同时，采用了 8 引脚超小型封装

数据手册

1+
￥14.86
10+
￥12.79
30+
￥11.49

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16 Mbit DataFlash，最小电压2.3V或2.5V，SPI串行闪存

型号：AT45DB161E-SHF-B 编号：C1348837

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT45DB161E是一款最低工作电压为2.3V或2.5V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB161E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其17,301,504位的存储器组织为4096页，每页512字节或528字节

数据手册

1+
￥15.36
10+
￥14.97
30+
￥14.71

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W25Q32JVTCIQ

型号：W25Q32JVTCIQ 编号：C2641181

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

1+
￥15.37
10+
￥15.05
30+
￥14.83

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