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封装：TSOPI-48

SST39LF200A/400A/800A 和 SST39VF200A/400A/800A 器件是 128K x16 / 256K x16 / 512K x16 的 CMOS 多功能闪存（MPF），采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39LF200A/400A/800A 在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：SST39VF040704ITU 编号：C43651917

封装：TSOP-32

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：TC58BVG1S3HTAI0 编号：C17434703

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58BVG1S3HTAI0 是一款单3.3V 2Gbit (2,214,592,512 bits) NAND 电可擦除可编程只读存储器 (NAND E2PROM)，组织为 (2048+64) 字节 × 64 页 × 2048 块。设备具有 2112 字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储单元阵列之间传输数据。擦除操作以单个块单元 (128K字节 + 4K字节: 2112字节 × 64 页) 实现。

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型号：SST26VF064BT-104I/MF 编号：C629163

封装：TDFN-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四路输入输出（SQI）系列闪存设备采用六线、4 位输入输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064B/064BA 还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：MX29F800CBTI-70G 编号：C2803074

封装：TSOPI-48

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：单电源操作，读取、擦除和编程操作电压为4.5至5.5V。 1,048,576 x 8 / 524,288 x 16可切换。引导扇区架构，包括顶部引导扇区（T）和底部引导扇区（B）。扇区结构：16K字节x 1、8K字节x 2、32K字节x 1和64K字节x 15。扇区保护：硬件方法可禁用任何扇区组合的编程或擦除操作。临时扇区未受保护，允许在先前锁定的扇区中进行代码更改

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型号：SST39VF3201B-70-4I-EKE 编号：C46322

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF320xB器件是采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造的2M x 16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF320xB使用2.7 - 3.6V电源进行写入（编程或擦除）操作

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型号：SST39SF040-55-4I-NHE-T 编号：C632847

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：S25FL128SAGNFV000 编号：C2944871

封装：WDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：S25FL256LAGNFV013 编号：C2951918

封装：WDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：S34ML04G100TFI000 编号：C98940

封装：TSOPI-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

3.3V 4Gbit

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型号：AT45DB641E-SHN2B-T 编号：C2060954

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT45DB641E是一款最低工作电压为1.7V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB641E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其69,206,016位的存储器被组织为32,768页，每页256字节或264字节

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型号：S29JL032J70BHI310 编号：C2955759

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

S29JL032J是一款32 Mb、仅支持3.0 V的闪存器件，其组织形式为2,097,152个16位字，或4,194,304个8位字节。字模式数据通过DQ15 - DQ0传输；字节模式数据通过DQ7 - DQ0传输。

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型号：SST39VF040-70-4I-NHE 编号：C645939

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：S25FL128SAGMFI003 编号：C2951279

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：MX25U51245GMI00 编号：C505512

封装：SOP-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

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型号：XTSDQ02GLAIGA 编号：C29781619

封装：LGA-8(6x5)

品牌：XTX(芯天下)

XTX SD NAND是一种嵌入式存储解决方案，设计为WSON8或LGA8封装。支持1.8V供电电压，符合SD 2.0接口标准，适用于大多数嵌入式应用，具有高可靠性和低功耗。

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型号：S25FL128SAGMFV003 编号：C27618747

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：SST39VF3201-70-4C-EKE 编号：C11320

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：AT25DF321A-MH-T 编号：C18213580

封装：UDFN-8(5x6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT25DF321A是一款串行接口闪存设备，专为各种高产量的消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。AT25DF321A具有灵活的擦除架构，其擦除粒度小至4KB，这也使其非常适合用于数据存储，无需额外的数据存储EEPROM设备

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型号：MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F 编号：C7307835

封装：VFBGA-63(9x11)

品牌：micron(镁光)

Micron 1Gb x8 NAND Flash Memory是一款高性能、低引脚数的NAND闪存设备，支持异步接口，具有内部ECC功能。

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型号：S29JL032J60TFI010 编号：C23042815

封装：TSOP-48

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：S25FL128SAGMFIR13 编号：C2951607

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：S25FL512SAGMFB013 编号：C2951819

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：AT25DF041B-MAHN-T 编号：C226098

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：S29GL256S10TFV010 编号：C2944786

封装：TFSOP-56-18.4mm

品牌：Infineon(英飞凌)

采用65纳米制程技术制造，具备快速页面访问时间，最快可达15 ns，随机访问时间最快可达90 ns。其写入缓冲区允许在一次操作中对最多256个字/512字节进行编程，有效编程时间比标准编程算法更快。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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型号：AS29CF800B-55TIN 编号：C1137476

封装：TSOPI-48

品牌：Alliance Memory

AS29CF800T/B - 55TIN是一款8Mbit、仅支持5.0伏供电的闪存，其组织形式为1,048,576个8位字节或524,288个16位字。8位数据通过I/O0 - I/O7传输；16位数据通过I/O0 - I/O15传输。该器件采用48引脚TSOP封装

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型号：MX29GL128EUT2I-11G 编号：C2803086

封装：TFSOP-56-18.4mm

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：电源操作：2.7-3.6V用于读取、擦除和编程操作。 MX29GL128E H/L：VI/O = VCC = 2.7V ~ 3.6V，I/O电压必须与VCC一致。 MX29GL128E U/D：VI/O = 1.65V ~ 3.6V用于输入/输出。字节/字模式可切换：16,777,216 x 8 / 8,388,608 x 16。 64KW/128KB统一扇区架构，128个相等扇区。 16字节/8字页读取缓冲区