FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

具有四线SPI兼容接口，允许使用低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低了系统总成本。采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更好的可靠性和可制造性。该串行闪存显著提高了性能和可靠性，同时降低了功耗。设备使用2.3V-3.6V的单电源进行写入（编程或擦除）。

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型号：S29AL008J55TFIR20 编号：C2948805

封装：TFSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

该产品是一款8 Mbit、3.0伏的闪存，组织形式为1,048,576字节或524,288字。该设备提供48球细间距BGA（0.8毫米间距）和48引脚TSOP封装。该设备可在系统中使用标准系统3.0伏VCC电源进行编程，写入或擦除操作不需要12.0伏VPP或5.0伏VCC。该设备也可在标准EPROM编程器中编程。该设备的访问时间可达55 ns，允许高速微处理器无等待状态运行。为消除总线争用，该设备具有独立的芯片使能（CE#）、写使能（WE#）和输出使能（OE#）控制

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型号：SST26VF064BAT-104I/SM 编号：C5229160

封装：SOIJ-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：AT25QL128A-MHE-T 编号：C2061611

封装：UDFN-8-EP(5x6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：SST25VF040B-50-4I-QAF 编号：C637018

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25系列串行闪存产品采用四线SPI兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。SST25VF040B器件在工作频率上有所提升，功耗更低。SST25VF040B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造

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型号：AT45DB081E-SSHN-B 编号：C1523858

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT45DB081E是一款最低工作电压为1.7V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB081E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其8,650,752位的内存组织为4,096页，每页256字节或264字节

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型号：AT25XE041B-MAHN-T 编号：C5334510

封装：UDFN-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款串行接口闪存存储设备，适用于各种大批量消费类应用，其中程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行。灵活的擦除架构，具有页面擦除粒度，也适用于数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求，可更有效地利用内存空间，减少浪费和未使用的内存空间。包含一个专用的一次性可编程 (OTP) 安全寄存器，可用于唯一设备序列化、系统级电子序列号 (ESN) 存储、锁定密钥存储等用途。支持在1.65V至3.6V的宽电源电压范围内进行读取、编程和擦除操作，编程和擦除无需单独的电压。

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型号：IS25WP128-JLLE 编号：C2063153

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：SST39SF010A-55-4I-NHE-T 编号：C632839

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：SST39VF010-70-4I-NHE 编号：C220683

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39LF010、SST39LF020、SST39LF040 以及 SST39VF010、SST39VF020、SST39VF040 是采用专有高性能 CMOS SuperFlash 技术制造的 128K x8、256K x8 和 512K x8 CMOS 多功能闪存（MPF）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39LF010/020/040 器件在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：SST39VF800A-70-4C-B3KE 编号：C633403

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39LF200A/400A/800A 和 SST39VF200A/400A/800A 器件是 128K x16 / 256K x16 / 512K x16 的 CMOS 多功能闪存（MPF），采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39LF200A/400A/800A 在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：HYF4GQ4UAACBE 编号：C7426877

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：HeYangTek(扬贺扬)

4Gb SPI NAND Flash是一种基于标准并行NAND Flash的低引脚数解决方案，适用于高密度非易失性存储系统。支持标准双线和四线SPI，具有硬件写保护、ECC纠错等功能。

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型号：SST39LF010-55-4C-NHE 编号：C645925

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39LF010、SST39LF020、SST39LF040 以及 SST39VF010、SST39VF020、SST39VF040 是采用专有高性能 CMOS SuperFlash 技术制造的 128K x8、256K x8 和 512K x8 CMOS 多功能闪存（MPF）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39LF010/020/040 器件在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：SST39VF3201C-70-4I-EKE 编号：C637398

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF3201C和SST39VF3202C器件是采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的2M x 16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF3201C/SST39VF3202C在2.7V - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：SST39SF010A-70-4C-NHE-T 编号：C632840

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的CMOS多功能闪存。与其他方法相比，裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。使用4.5-5.5V电源进行写入（编程或擦除）操作，符合JEDEC标准x8内存引脚排列。具有高性能字节编程功能，最大字节编程时间为20μs。使用Toggle Bit或Data# Polling指示编程操作完成。具备片上硬件和软件数据保护方案，防止意外写入

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型号：SST26VF016BT-104I/MF 编号：C629157

封装：WDFN-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四线I/O（SQI）系列闪存设备采用六线、4位I/O接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF016B还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。采用SQI闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：SST25WF080B-40I/SN 编号：C631789

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST25WF080B是串行闪存25系列的一员，具备四线SPI兼容接口，可采用低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性

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型号：SST39VF020-70-4I-NHE 编号：C153254

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是128K x8、256K x8和5124K x8的CMOS多功能闪存（MPF），采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器比其他方法具有更好的可靠性和可制造性。SST39LF010/020/040器件使用3.0-3.6V电源进行写入（编程或擦除），SST39VF010/020/040器件使用2.7-3.6V电源进行写入。这些器件符合x8存储器的JEDEC标准引脚排列。具有高性能字节编程功能，SST39LF010/020/040和SST39VF010/020/040器件的最大字节编程时间为20 μs。这些器件使用Toggle Bit或Data# Polling来指示编程操作完成

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型号：S25FL128SAGNFV003 编号：C2955827

封装：WDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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