FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：W25N01GVZEIR 编号：C17598312

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：MX29F040CQI-70GTR 编号：C2803060

封装：-

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：单电源操作，读写和擦除操作电压为4.5至5.5伏。 524288 x 8。扇区结构：64K字节x 8。闩锁保护，从-1V到Vcc + 1V可达100mA

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型号：S29JL032J60TFI010 编号：C23042815

封装：TSOP-48

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：MKDV4GCL-ABA 编号：C6152618

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:SLC,商业级，SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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型号：S25FL128SAGMFIR13 编号：C2951607

封装：SOIC-16

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：SST39LF400A-55-4C-EKE 编号：C637379

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39LF200A/400A/800A 和 SST39VF200A/400A/800A 器件是 128K x16 / 256K x16 / 512K x16 的 CMOS 多功能闪存（MPF），采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39LF200A/400A/800A 在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：S25FL512SAGMFB013 编号：C2951819

封装：SOIC-16

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型号：S29GL256S10DHIV10 编号：C22780715

封装：FBGA-64(9x9)

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IS34ML02G081-TLI 编号：C17270026

封装：TFSOP-48-18.4mm

IS34ML02G081-TLI 是一款2Gb SLC-1bECC 3.3V X8 NAND FLASH 内存，支持标准NAND接口。它具有灵活高效的架构，支持快速读写操作，适用于多种应用场景。

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型号：S25FS256SDSNFI000 编号：C2944585

封装：WDFN-8-EP

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型号：S25FL064LABBHB030 编号：C2944868

封装：TBGA-24

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型号：MT25QL256ABA8E12-0AUT 编号：C6232078

封装：TPBGA-24(6x8)

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型号：S25FL512SAGMFAR10 编号：C2944639

封装：SOIC-16

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有多功能 I/O-SPI 与多 I/O 密度。 512 Mb (64 MB) SPI。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。 DDR 选项。扩展寻址：32 位地址。串行命令集和封装与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：S25FL512SAGMFVG11 编号：C2954897

封装：SOIC-16

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有多功能 I/O-SPI 多 I/O 密度。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：32 位地址。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：S29GL512S11TFI010 编号：C2944775

封装：TFSOP-56

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型号：IS25LP512MG-RMLE-TR 编号：C5772382

封装：SOIC-16-300mil

Serial Flash memory offers a versatile storage solution with high flexibility and performance in a simplified pin count package. "Industry Standard Serial Interface" Flash is for systems that require limited space, a low pin count, and low power consumption. The device is accessed through a 4-wire SPI Interface consisting of a Serial Data Input (SI), Serial Data Output (SO), Serial Clock (SCK), and Chip Enable (CE#) pins, which can also be configured to serve as multi-I/O. The device supports Dual and Quad I/O as well as standard, Dual Output, and Quad Output SPI. The IS25xP series of Flash adds support for DTR (Double Transfer Rate) commands that transfer addresses and read data on both edges of the clock. These transfer rates can outperform 16-bit Parallel Flash memories allowing for efficient memory access to support XIP (execute in place) operation. Initial state of the memory array is erased (all bits are set to 1) when shipped from the factory. QPI (Quad Peripheral Interface) supports 2-cycle instruction further reducing instruction times. Pages can be erased in groups of 4Kbyte sectors, 32Kbyte blocks, 64K/256Kbyte blocks, and/or the entire chip. The uniform sector and block architecture allows for a high degree of flexibility so that the device can be utilized for a broad variety of applications requiring solid data retention.

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型号：S25FL512SAGMFV010 编号：C2948626

封装：SOIC-16-300mil

特性：CMOS 3.0 V 核心,具有多功能 I/O SPI 与多 I/O 密度。512 Mb (64 MB) SPI。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址:32 位地址。串行命令集和封装与 S25FL A、S25FL K 和 S25FL P SPI 系列兼容

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型号：S29GL01GS11TFI010 编号：C2959388

封装：TFSOP-56

采用65纳米制程技术制造，具备快速页面访问时间，最快可达15 ns，随机访问时间最快可达90 ns。其写入缓冲区允许在一次操作中对最多256个字/512字节进行编程，有效编程时间比标准编程算法更快。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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型号：S28HS512TGABHM010 编号：C6801624

封装：FBGA-24(6x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

高速CMOS、MirrorBit NOR闪存设备，符合JEDEC JESD251扩展SPI (xSPI)规范。专为功能安全设计，按照ISO 26262标准开发，以实现ASIL-B合规性和ASIL-D就绪性。支持八进制外设接口 (OPI) 和传统x1串行外设接口 (SPI)，两个接口都串行传输事务，减少接口连接信号数量。SPI支持SDR，而OPI支持SDR和DDR。读取操作是突发式的，读取事务可以配置为使用环绕或线性突发。环绕突发从单个页面读取，而线性突发可以读取整个内存阵列

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型号：S70GL02GS11FHI010 编号：C117896

封装：BGA-64

3.3V 2Gbit

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型号：MT28EW512ABA1LPC-0SIT 编号：C598814

封装：LBGA-64

特性：单级单元（SLC）技术。密度：512Mb。电源电压：VCC(overline) = 2.7–3.6V（编程、擦除、读取）；VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O缓冲器）。异步随机/页读取。页大小：16字或32字节。页访问时间：20ns

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型号：MT25QU256ABA8E12-0AAT 编号：C1351315

封装：TPBGA-24(6x8)

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型号：MTFC256GBCAVHF-WT 编号：C27864528

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型号：25Q64-TD 编号：C47108717

封装：SOP-8-208mil

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

64M 位，即 8M 字节（8,388,608 字节），由 32,768 个编程页组成，每个编程页 256 字节。

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型号：P25Q64SH-SSH-IR 编号：C18185312

封装：SOP-8-150mil

品牌：PUYA(普冉)

是串行接口闪存设备，适用于各种基于消费者的高容量应用，其中程序代码从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。其灵活的擦除架构，以页面擦除粒度，也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备。设备的擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小，可以更有效地使用内存空间

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型号：IS25WP080D-JNLE 编号：C411810

封装：SOIC-8

IS25LP080D和IS25WP080D/040D/020D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在引脚数量简化的封装中具备高度的灵活性和出色的性能。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式

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型号：IS25LP020E-JNLE-TR 编号：C7211260

封装：SOIC-8

提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O。支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS25LQ040B-JNLA3-TR 编号：C2940540

封装：-