FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：TFSOP-48-18.4mm

SST39VF3201C和SST39VF3202C器件是采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的2M x 16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF3201C/SST39VF3202C在2.7V - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：SST25VF080B-50-4C-PAE 编号：C640669

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25系列串行闪存产品家族采用四线SPI兼容接口，支持低引脚数封装，可减少电路板占用空间，最终降低系统总体成本。SST25VF080B器件在工作频率和功耗方面均有提升。SST25VF080B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造

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型号：SST39VF020-70-4I-NHE 编号：C153254

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是128K x8、256K x8和5124K x8的CMOS多功能闪存（MPF），采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器比其他方法具有更好的可靠性和可制造性。SST39LF010/020/040器件使用3.0-3.6V电源进行写入（编程或擦除），SST39VF010/020/040器件使用2.7-3.6V电源进行写入。这些器件符合x8存储器的JEDEC标准引脚排列。具有高性能字节编程功能，SST39LF010/020/040和SST39VF010/020/040器件的最大字节编程时间为20 μs。这些器件使用Toggle Bit或Data# Polling来指示编程操作完成

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型号：SST26VF016BT-104V/SN 编号：C624767

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：SST26VF016BT-80E/SN 编号：C624768

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：SST39VF1681-70-4C-EKE 编号：C7679

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF168x 系列器件是采用 SST 专有的高性能 CMOS 超闪存技术制造的 2M x 8 CMOS 多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39VF168x 可在 2.7 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：GD25Q256DFIGR 编号：C395496

封装：SOP-16-300mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：SST39VF200A-70-4I-EKE 编号：C637393

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39LF200A/400A/800A 和 SST39VF200A/400A/800A 器件是 128K x16 / 256K x16 / 512K x16 的 CMOS 多功能闪存（MPF），采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39LF200A/400A/800A 在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：SST39VF801C-70-4I-EKE 编号：C637413

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF801C/802C和SST39LF801C/802C器件是采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造的512K x16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39VF801C/802C和SST39LF801C/802C在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：SST39VF400A-70-4I-MAQE 编号：C632893

封装：WFBGA-48(4x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：SST39VF040-70-4C-NHE-T 编号：C632853

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39LF010、SST39LF020、SST39LF040 以及 SST39VF010、SST39VF020、SST39VF040 是采用专有高性能 CMOS SuperFlash 技术制造的 128K x8、256K x8 和 512K x8 CMOS 多功能闪存（MPF）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39LF010/020/040 器件在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：S25FS128SAGMFI100 编号：C2944788

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：密度：128 Mbits (16 MB)、256 Mbits (32 MB)。串行外设接口 (SPI)。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址：24 或 32 位地址选项。串行命令子集和封装尺寸与 S25FL-A、S25FL-K、S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列兼容。多 I/O 命令子集和封装尺寸与 S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列兼容。读取命令：普通、快速、双 I/O、四 I/O、DDR 四 I/O

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型号：SST26VF064BT-104I/MF 编号：C629163

封装：TDFN-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四路输入输出（SQI）系列闪存设备采用六线、4 位输入输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064B/064BA 还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：SST39VF800A-70-4C-EKE-T 编号：C632298

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：S34ML02G100BHI003 编号：C2759941

封装：BGA-63

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

Spansion S34ML02G1系列是用于嵌入式的SLC NAND闪存，提供1Gb, 2Gb, 4Gb密度。支持1位ECC，8位和16位I/O接口，3V Vcc供电。每个平面包含1024个块，支持多平面编程和擦除。

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型号：SST39LF800A-55-4C-B3KE 编号：C633372

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：S25FL064LABMFI013 编号：C16197181

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Infineon(英飞凌)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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型号：SST39VF3201B-70-4I-EKE 编号：C46322

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF320xB器件是采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造的2M x 16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF320xB使用2.7 - 3.6V电源进行写入（编程或擦除）操作

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型号：SST39VF1602C-70-4I-EKE 编号：C637388

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF1601C和SST39VF1602C器件是采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的1M×16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：S25FL256SAGMFIR03 编号：C2951924

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 伏核心，具备通用 I/O。 SPI 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3，具备 DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：AT45DB161E-SSHD-B 编号：C7495008

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：单2.3V、3.6V或2.5V、3.6V电源，与串行外设接口（SPI）兼容。支持SPI模式0和3。支持RapidS™操作，可在整个阵列中连续读取。最高85MHz。低功耗读取选项，最高15MHz。时钟到输出时间(t_V)最大为6ns

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型号：W25Q64FWZPIGT 编号：C571263

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备，适用于将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。该器件在1.65V至1.95V的单电源下工作，工作电流低至4mA，掉电电流为1μA。所有器件均采用节省空间的封装。阵列由32,768个可编程页面组成，每个页面256字节。一次最多可编程256字节。页面可以16个为一组进行擦除（4KB扇区擦除）

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型号：AT45DB641E-MHN-T 编号：C5334504

封装：UDFN-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：S25FL256LAGNFI013 编号：C2951920

封装：WDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：S25FL128SAGMFI003 编号：C2951279

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：MX35LF2G24AD-Z4I 编号：C22676116

封装：WSON-8(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

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型号：S25FL064LABNFA010 编号：C2948885

封装：WFDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。