FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：PC28F128P33BF60A 编号：C7325112

封装：EASYBGA-64(8x10)

特性：高性能: -Easy BGA初始访问时间为60ns。TSOP初始访问时间为70ns。8字异步页读模式为25ns。零等待状态下52MHz，17ns时钟到数据输出同步突发读模式。突发模式有4、8、16和连续字选项。使用256字缓冲区，3.0V缓冲编程速度为1.8MB/s（典型值）

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型号：S25FS512SDSBHB213 编号：C2951735

封装：TBGA-24

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型号：MT28EW256ABA1HJS-0SIT 编号：C6847445

封装：TFSOP-56-18.4mm

特性：单级单元（SLC）处理技术。密度：256Mb。电源电压：VCC(overline) = 2.7-3.6V（编程、擦除、读取），VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O缓冲器）。异步随机/页读取。页大小：16字或32字节。页访问：20ns

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型号：S25FL256SAGMFNG00 编号：C2944684

封装：SOIC-16-300mil

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：MT25QU128ABB1ESE-0AUT TR 编号：C6232090

封装：SO-8

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型号：IS29GL128-70SLET 编号：C1236808

封装：TSOPI-56-18.4mm

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型号：SST39VF3201-70-4I-EKE 编号：C637395

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF160x和SST39VF320x器件分别为1M x16和2M x16的CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件，采用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x/320x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：S29GL01GT11FHIV10 编号：C2947466

封装：BGA-64(11x13)

S29GL01GT/512T 是基于45 nm 工艺技术的MirrorBit Eclipse 闪存产品。这些设备提供15 ns 的快速页面读取时间，相应的随机访问时间可达100 ns。它们配备写入缓冲器，在一个操作中最多可编程256 字/512 字节，与标准编程算法相比，有效编程时间更短。因此，对于当今需要更高容量、更好性能和更低功耗的嵌入式应用程序来说，这些设备是理想的选择。

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型号：MT25QL512ABB8E12-0AAT 编号：C1352294

封装：TPBGA-24(6x8)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

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型号：MT28EW512ABA1HJS-0SIT 编号：C598858

封装：TSOP-56-18.5mm

特性：单级单元（SLC）技术。密度：512Mb。电源电压：VCC(overline) = 2.7–3.6V（编程、擦除、读取）；VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O缓冲器）。异步随机/页读取。页大小：16字或32字节。页访问时间：20ns

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型号：MKDN128GCL-ZA 编号：C2987691

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一种嵌入式存储解决方案，采用LGA封装形式。其操作类似于SD卡，适用于商业级应用。Nano SD NAND 包含NAND闪存和高性能控制器，支持SD3.0接口，工作电压为3.3V。

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型号：MX66L1G45GXDI-08G 编号：C2931209

封装：TBGA-24

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。Mode 0和Mode 3。单电源操作。读写和擦除操作电压为2.7至3.6伏。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O。从-1V到Vcc +1V的闩锁保护至100mA

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型号：S25FL512SDSMFM010 编号：C2944622

封装：SOIC-16

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有多功能 I/O-SPI 多 I/O 密度。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：32 位地址。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：IS25LX256-JHLA3 编号：C22128311

封装：-

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型号：S29GL01GT11TFIV10 编号：C2944450

封装：TFSOP-56

S29GL01GT/512T 是采用 45 纳米制程技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达 15 纳秒，相应的随机访问时间最快可达 100 纳秒。它们具备一个写缓冲区，允许在一次操作中最多对 256 字/512 字节进行编程，与标准编程算法相比，可有效缩短编程时间

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型号：S29GL512T10FHI013 编号：C27136795

封装：FBGA-64(11x13)

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：MT28FW01GABA1LPC-0AAT 编号：C5128468

封装：LBGA-64

特性：单级单元 (SLC) 工艺技术。电源电压：VCC(overline) = 2.7–3.6V（编程、擦除、读取），VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O 缓冲器）。异步随机/页读取。页大小：16 字。页访问：20ns (VCC = VCCQ = 2.7-3.6V)。随机访问：105ns (VCC = VCCQ = 2.7-3.6V)

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单价：
￥208.83 / 个

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型号：MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT 编号：C35501263

封装：VFBGA-168(12x12)

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型号：MX25R4035FZUIH0 编号：C6121807

封装：USON-8(2x3)

品牌：MXIC(旺宏电子)

4Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 524,288 x 8。在四 I/O 模式下，结构变为 1048,576 位 x 4 或 2,097,152 位 x 2。具有串行外设接口和软件功能。

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型号：IS25WP080D-JNLE-TR 编号：C2063085

封装：SOIC-8

IS25LP080D和IS25WP080D/040D/020D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O，以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：BY25Q32BSTIG(T) 编号：C394868

封装：SOP-8

品牌：BOYAMICRO(博雅)

BY25Q32BS是一款32M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（/WP）和I/O3（/HOLD）。双I/O数据传输速率为240Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速率为480Mbit/s。该器件采用单一低压电源供电，电压范围为2.7V至3.6V

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型号：GD25Q80EEIGR 编号：C2874937

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#)。双 I/O 数据传输速度高达 266Mbit/s，四 I/O 数据传输速度高达 532Mbit/s。

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型号：AT25SF321B-SHB-T 编号：C2062043

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT25SF321B是一款串行接口闪存设备，专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。AT25SF321B灵活的擦除架构也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备

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型号：FM25W32-SOB-T-G 编号：C285253

封装：SOP-8-208mil

品牌：FM(复旦微)

FM25W32是一款32M位（4MB）串行闪存，具备先进的写保护机制。FM25W32支持标准串行外设接口（SPI）、双/四路I/O以及双时钟指令周期的四路外设接口（QPI）。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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型号：PM25LQ020B-SCE 编号：C411813

封装：SOIC-8

Pm25LQ512/010/020/040B（512K/1M/2M/4M位）串行闪存为简化引脚封装提供了兼具灵活性与高性能的存储解决方案。“行业标准串行接口”适用于空间、引脚和电源受限的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚在双模式和四模式下还兼作多功能I/O引脚

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型号：BY25FQ128GSSIG 编号：C52722281

封装：SOP-8-208mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

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型号：IS25LQ040B-JBLE-TR 编号：C2064721

封装：SOIC-8-208mil

IS25LQ040B/020B/010B/512B/025B（4M/2M/1M/512K/256K位）串行闪存为用户提供了一种兼具灵活性和高性能的存储解决方案，采用简化引脚封装。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚在双路和四路模式下还可作为多功能I/O引脚。IS25xQ系列闪存非常适合用于代码映射到RAM、原地执行（XIP）操作以及存储非易失性数据

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型号：IS25LQ040B-JNLA3-TR 编号：C2940540

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