FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：W25Q32RVSNJQ 编号：C32915832

封装：-

品牌：Winbond(华邦)

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型号：GD25B64EWIGR 编号：C5718243

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：SST26VF040AT-104I/SN 编号：C5229123

封装：SOIC-8-150mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：AT25XE161D-MAHN-T 编号：C1857757

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT25XE161D是一款串行接口闪存设备，专为各种大批量消费类和联网应用而设计。它针对低功耗应用进行了优化，可使用现代锂电池技术，在1.65V - 3.6V的宽输入电压范围内工作。AT25XE161D非常适合以下系统：程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM（代码映射）中执行，并且在闪存中本地存储和更新少量数据

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型号：TC58NVG0S3HTAI0 编号：C17434623

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58NVG0S3HTAI0是一款单3.3V 1Gbit (1,140,850,688 bits)的NAND电可擦除存储器。它具有2176字节的静态寄存器，允许在单元之间传输数据。该设备利用I/O引脚进行地址和数据的输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行。

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型号：SST25VF020B-80-4I-QAE 编号：C637015

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：W25Q64JVZPIM 编号：C7413985

封装：WSON-8(5x6)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：AT25EU0011A-MAHN-T 编号：C7495062

封装：DFN-8(2x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT25EU 系列为设计人员提供了一种能效大幅提升的解决方案，适用于代码存储、事件记录和数据记录应用。

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型号：W25Q256JVFIQ 编号：C2903917

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

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型号：MX25U3232FM2Q02 编号：C27793236

封装：SOP-8-200mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口-模式0和模式3。单电源操作-读取、擦除和编程操作电压为1.65至2.0伏。 33,554,432 x 1位结构或16,777,216 x 2位（双I/O模式）结构或8,388,608 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持-单I/O、双I/O和四I/O。从-1V到Vcc +1V的闩锁保护至100mA。 SPI模式快速读取-所有协议支持高达133MHz的时钟频率

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型号：SST25WF040B-40E/SN 编号：C631786

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：SST26VF080A-104I/SN 编号：C1012895

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Serial Quad I/O™ (SQI™) 系列闪存设备具有六线、4 位 I/O 接口，可在低引脚数封装中实现低功耗、高性能运行。还支持与传统串行外设接口 (SPI) 协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用更少的电路板空间并最终降低系统成本。26 系列 SQI 系列的所有成员均采用专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造

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型号：LE25U40CMDTWG 编号：C146750

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LE25U40CMD 是一款 SPI 总线闪存器件，带有 4M 位（512K x 8 位）配置，由此增添了高性能的双输出和双 I/O 功能。它使用 2.5V 单电源。LE25U40CMD 充分利用串行闪存器件的内在特性，采用 8 引脚超小型封装。所有这些特性都使得此器件适用于存储便携信息设备等应用中的程序，在此类设备中，尺寸要求越来越紧凑。LE25U40CMD 还具有小扇区清除功能，因而使得该器件非常适合存储重写周期较少且传统 EEPROM 因空间不足而无法处理的参数或数据。

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型号：IS25WP064A-JBLE-TR 编号：C2062826

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25WP064A/032A 串行闪存存储器在引脚数量精简的封装中，提供了一种兼具高灵活性和高性能的通用存储解决方案。它适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和片选使能 (CE#) 引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式

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型号：SST25WF040BT-40I/NP 编号：C626323

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：S34ML02G200TFI000 编号：C92089

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

S34ML02G200TFI000 是一款 2 Gb 3 V 4-bit ECC SLC NAND Flash 存储器，适用于嵌入式系统。它支持 x8 和 x16 接口，具有 3.3 V 供电电压，支持 4-bit ECC。该存储器具有高可靠性和长寿命，适用于需要高数据完整性的应用。

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型号：SST26VF040AT-80E/SN 编号：C1858347

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：IS25WP064A-JKLE 编号：C1349795

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该器件通过由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和芯片使能 (CE#) 引脚组成的 4 线 SPI 接口进行访问，也可以配置为多 I/O。该器件支持双 I/O 和四 I/O 以及标准、双输出和四输出 SPI。高达 133MHz 的时钟频率允许达到高达 532MHz（133MHz x 4）的等效时钟速率，相当于 66Mbytes/s 的数据吞吐量。IS25xR 系列闪存增加了对 DTR（双传输速率）命令的支持，该命令在时钟的两个边沿传输地址和读取数据

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型号：MX25L3233FMI-08G 编号：C2802999

封装：SOIC-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：Hold功能。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。自动擦除和自动编程算法。编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复

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￥11.85

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型号：SST39VF010-70-4I-NHE-T 编号：C632851

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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1+
￥17.79
10+
￥17.37
30+
￥17.1

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型号：GD25B128ESIGR 编号：C2937362

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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￥17.8
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￥17.37
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￥17.08

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型号：SST26VF064BAT-104I/SM 编号：C5229160

封装：SOIJ-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥18.44
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￥18.01
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￥17.72

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型号：SST25VF040B-50-4I-QAF 编号：C637018

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25系列串行闪存产品采用四线SPI兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。SST25VF040B器件在工作频率上有所提升，功耗更低。SST25VF040B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造

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型号：AT45DB081E-SSHN-B 编号：C1523858

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT45DB081E是一款最低工作电压为1.7V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB081E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其8,650,752位的内存组织为4,096页，每页256字节或264字节

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型号：AT45DB041E-MHN-Y 编号：C52146112

封装：UDFN-8(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：GD25Q128EWIGR 编号：C2982923

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q128E（128M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#/RESET#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四路I/O数据传输速度为532Mbit/s。

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型号：SST25VF016B-50-4C-S2AF-T 编号：C629096

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：SST39VF800A-70-4C-B3KE 编号：C633403

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39LF200A/400A/800A 和 SST39VF200A/400A/800A 器件是 128K x16 / 256K x16 / 512K x16 的 CMOS 多功能闪存（MPF），采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39LF200A/400A/800A 在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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