FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

W25X40CL（4M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储

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型号：P25Q32L-UXH-IR 编号：C559225

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：PUYA(普冉)

P25Q32L是一款串行接口闪存设备，专为各种高产量的消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。该设备灵活的擦除架构，具备页擦除粒度，也非常适合用于数据存储，无需额外的数据存储设备

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型号：W25Q64DR-TD 编号：C49211310

封装：SOP-8-208mil

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

总容量为 64Mbit，换算后为 8MByte。

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型号：W25Q128DR-TD 编号：C49211308

封装：SOP-8-208mil

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

性能特点：擦写次数高达 10 万次，数据可保存 20 年。支持高达 104MHz 的串行时钟，在双输出 SPI 模式下，等效时钟频率可达 208MHz，四输出 SPI 模式下，等效时钟频率可达 416MHz。连续读模式下，使用最少 8 个时钟的指令开销来读取 24 位地址，允许真正的 XIP（就地执行）操作，能有效提高代码执行效率。

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型号：AT45DB021E-SHN-T 编号：C226094

封装：SOIC-8-208mil

一款最低工作电压为 1.65V 的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。它还支持 RapidS 串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其 2,162,688 位的存储器被组织成 1,024 页，每页 256 字节或 264 字节

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型号：GD25LQ16C8IGR 编号：C395532

封装：LGA-8(3x2)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25LQ16C（16M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和 I/O3（HOLD#）。双 I/O 数据传输速度为 208Mbit/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 416Mbit/s。

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型号：MX25V16066M2I02 编号：C2913623

封装：SOIC-8-208mil

MX25V16066是一款16Mb的串行NOR闪存，其内部配置为2,097,152 x 8。MX25V16066具备串行外设接口和软件协议，在单I/O模式下可在简单的三线总线上运行。三条总线信号分别为时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）

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型号：W25Q20RLSNJQ 编号：C36462921

封装：SOIC-8

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型号：W25Q40RVSSJQ 编号：C31617856

封装：SOIC-8-208mil

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型号：AT25EU0021A-MAHN-T 编号：C6127444

封装：UDFN-8(2x3)

提供了一种用于代码存储、事件记录和数据记录应用的更节能的解决方案，能在不牺牲性能的前提下，帮助电路设计人员延长电池供电设备的电池寿命。

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型号：BY25Q64ESTIG(R) 编号：C50176341

封装：SOP-8-150mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

是 64M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (/WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 100Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 200Mbits/s。该器件使用单一低电压电源，范围为 2.7V 至 3.6V。此外，该器件支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节安全寄存器。

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型号：W25X20CLSVIG 编号：C2641297

封装：VSOP-8

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型号：SST25VF010A-33-4I-SAE 编号：C481384

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST的串行闪存系列采用四线、SPI兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。SST25VF010A SPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性

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单价：
￥3.424 / 个

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型号：AT25SF321B-SSHB-B 编号：C1351854

封装：SOIC-8

Adesto AT25SF321B是一款串行接口闪存设备，专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行。AT25SF321B灵活的擦除架构也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备

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型号：MX25V80066ZUI02-TR 编号：C23076993

封装：USON-8(2x3)

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型号：MX25U8035FZUI 编号：C6704271

封装：USON-8(2x3)

MX25U8035F是一款8Mbit的串行NOR闪存，其内部配置为1,048,576 x 8。在四I/O模式下，其结构变为2,097,152位x 4或4,194,304位x 2。MX25U8035F具备串行外设接口和软件协议，在单I/O模式下可在简单的三线总线上运行

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型号：AT25DF041B-SSHN-B 编号：C20792434

封装：SOIC-8

AT25DF041B是一款串行接口闪存设备，专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行。AT25DF041B具有灵活的擦除架构，其页擦除粒度使其也非常适合用于数据存储，无需额外的数据存储设备

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型号：SST25VF010A-33-4I-SAE-T 编号：C624749

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST的串行闪存系列采用四线、SPI兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。SST25VF010A SPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性

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型号：MX25L1006EZUI-10G 编号：C139522

封装：USON-8-EP(2x3)

MX25L1006EZUI-10Gpartname：MX25L1006-USON8-3X2MMPackage：USONPin：8

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型号：W25Q80RVSSJQ 编号：C36567890

封装：SOIC-8

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型号：AT25FF321A-UUN-T 编号：C1858339

封装：WLCSP-12(1.8x2.4)

是一款串行接口闪存设备，适用于各种大批量消费和连接应用。针对低能耗应用进行了优化，可在1.65V-3.6V的宽输入电压范围内使用现代锂电池技术运行。非常适合将程序代码从闪存映射到嵌入式或外部RAM（代码映射）中执行，以及在闪存中本地存储和更新少量数据的系统。其擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求

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型号：AT25DF041B-UUN-T 编号：C2062836

封装：WLCSP-8(1.6x1.6)