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封装：UDFN-8-EP(5x6)

AT45DB081E是一款最低工作电压为1.7V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB081E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其8,650,752位的内存组织为4,096页，每页256字节或264字节

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型号：AT25SF641B-SHB-B 编号：C28668436

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：单2.7V-3.6V电源电压。串行外设接口（SPI）兼容。支持SPI模式0和3。支持双输出操作（1,1,2）。支持四输出操作（1-1-4）。支持四I/O/XiP操作（1-4-4, 0-4-4）

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型号：TC58NVG1S3HTAI0 编号：C5273027

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58NVG1S3HTAI0 是一款3.3V 2Gbit (2,281,701,376 bits) 的NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM)，组织结构为 (2048 + 128) 字节 × 64 页 × 2048 块。设备具有两个2176字节的静态寄存器，允许程序和读取数据在单元之间传输。

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型号：SST25VF040B-50-4C-SAF-T 编号：C624754

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：AT45DB081E-MHN-T 编号：C21012660

封装：UDFN-8(5x6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT45DB081E是一款最低工作电压为1.7V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB081E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其8,650,752位的内存组织为4,096页，每页256字节或264字节

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型号：GD25LQ32ENIGR 编号：C2976331

封装：USON-8-EP(3x4)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四I/O数据传输速度为532Mbit/s。

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型号：MKPV4G08CT-AF 编号：C2838435

封装：TSOPI-48

品牌：MK(米客方德)

MKPV4G08CT-AF是一款4Gbit NAND Flash Memory，具有单级单元（4位/单元）结构。它支持3.3V Vcc供电，提供63FBGA和48TSOP封装。该器件适用于大容量非易失性存储应用，如固态文件存储和其他便携式应用。

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型号：MX25V1635FZNQ03 编号：C5139359

封装：WSON-8(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：2.3V-3.6V用于读取、擦除和编程操作。支持唯一ID和安全一次性可编程（OTP）。支持多I/O。支持单I/O、双I/O和四I/O。支持编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复。支持串行外设接口。模式0和模式3。 16,777,216 x 1位结构或8,388,608 x 2位（双I/O模式）结构或4,194,304 x 4位（四I/O模式）结构。每个扇区为4K字节，每个块为32K字节或每个块为64K字节

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型号：MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G 编号：C5813054

封装：VFBGA-63(9x11)

品牌：micron(镁光)

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型号：GD25B128ESIGR 编号：C2937362

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：TC58NVG0S3HTA00 编号：C84581

封装：TSOPI-48

品牌：KIOXIA(铠侠)

SLC NAND 1Gb

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型号：SST26VF032BA-104I/SM 编号：C638559

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：GD25LE128ESIGR 编号：C7197890

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：SST25VF016B-50-4C-S2AF-T 编号：C629096

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E 编号：C7307831

封装：VFBGA-63(9x11)

品牌：micron(镁光)

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型号：IS25WP128-JBLE 编号：C1349162

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：MX25L51245GMI-10G 编号：C2803018

封装：SOP-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：先进的扇区保护功能（实体保护和密码保护）。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。支持DTR（双倍传输速率）模式。支持高达166MHz的时钟频率。支持串行外设接口

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型号：PN27G02BBGITG 编号：C558836

封装：BGA-24(6x8)

品牌：XTX(芯天下)

PN27G02B是一款单3.3V 2Gbit NAND闪存，支持内置ECC控制器，允许在寄存器和存储单元阵列之间传输数据，每次传输2112字节。擦除操作以单个块单位（128 Kbytes + 4 Kbytes: 2112 bytes × 64 pages）实现。该设备利用I/O引脚进行地址和数据输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行，适用于需要高密度非易失性数据存储的系统。PN27G02B具有内置ECC逻辑，每528字节可纠正8位错误。

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型号：SST39VF1601C-70-4C-EKE 编号：C637385

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：SST39VF040-70-4C-NHE-T 编号：C632853

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39LF010、SST39LF020、SST39LF040 以及 SST39VF010、SST39VF020、SST39VF040 是采用专有高性能 CMOS SuperFlash 技术制造的 128K x8、256K x8 和 512K x8 CMOS 多功能闪存（MPF）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39LF010/020/040 器件在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：SST39VF400A-70-4I-EKE 编号：C59289

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

CMOS 多用途闪存增强型 (MPF+) 采用专有高性能 CMOS 超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。采用 2.7-3.6V 电源进行写入（编程或擦除）操作，符合 x16 存储器的 JEDEC 标准引脚排列。具有高性能字编程功能，典型字编程时间为 7 μs

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型号：TC58NYG2S0HBAI4 编号：C17631295

封装：TFBGA-63(9x11)

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58NYG2S0HBAI4是一款1.8V 4 Gbit NAND E2PROM，组织结构为(4096 + 256)字节 x 64 页 x 2048 块。每个页面大小为4352字节，每个块大小为(256K + 16K)字节。

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型号：MT29F4G08ABADAH4:D 编号：C6232150

封装：VFBGA-63(9x11)

品牌：micron(镁光)

Micron 4Gb SLC NAND Flash Memory 是一款高性能、低引脚数的存储器，支持异步数据接口。该设备使用高度复用的8位总线传输命令、地址和数据，具备内部4位ECC功能。

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型号：SST39VF1602C-70-4I-EKE 编号：C637388

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF1601C和SST39VF1602C器件是采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的1M×16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：S29GL064S70TFI060 编号：C2959450

封装：TFSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

S29GL - S 中密度系列器件是采用 65 纳米 MIRRORBIT™ 技术制造的 3.0V 单电源闪存。S29GL064S 是一款 64Mb 的器件，组织形式为 4,194,304 字或 8,388,608 字节。根据型号不同，这些器件仅配备 16 位宽的数据总线，或者配备一条 16 位宽的数据总线，该总线也可通过使用 BYTE# 输入作为 8 位宽的数据总线

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型号：MX25L51245GXDI-10G 编号：C6611914

封装：CSPBGA-24(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：先进的扇区保护功能（实体保护和密码保护）。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。支持DTR（双倍传输速率）模式。支持高达166MHz的时钟频率。支持串行外设接口

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型号：S25FL128SAGBHVB00 编号：C2949641

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：MX35LF2G24AD-Z4I 编号：C22676116

封装：WSON-8(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

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型号：IS25LP512M-JLLE 编号：C1351993

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP512M和IS25WP512M串行闪存提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具备高灵活性和高性能。ISSI的“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O（参见引脚说明）

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型号：W25Q512JVEIQ 编号：C2986165

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。

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