FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

MX25LM51245G是512Mb Octal接口S（文本此处未完整描述，推测文档未提供完整描述内容，按规则输出此部分）。

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型号：S70FL01GSDPMFV010 编号：C2958884

封装：SOIC-16

特性：CMOS 3.0 V Core。串行外设接口 (SPI) 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址：32 位地址。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：S29GL01GT10FHI010 编号：C2944875

封装：LBGA-64

S29GL01GT/512T 是采用 45 纳米制程技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达 15 纳秒，相应的随机访问时间最快可达 100 纳秒。它们具备一个写缓冲区，允许在一次操作中最多对 256 字/512 字节进行编程，与标准编程算法相比，可有效缩短编程时间

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￥113.1606 ￥115.47
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￥87.321 ￥111.95

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型号：S29GL064N90BFI040 编号：C2944771

封装：VFBGA-48

S29GL - N 系列器件是采用 110 nm MirrorBit 技术制造的 3.0 伏单电源闪存。S29GL064N 是一款 64 Mb 的器件，组织形式为 4,194,304 个字或 8,388,608 个字节。S29GL032N 是一款 32 Mb 的器件，组织形式为 2,097,152 个字或 4,194,304 个字节

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￥118.1664 ￥179.04
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型号：S28HS512TGABHM010 编号：C6801624

封装：FBGA-24(6x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

高速CMOS、MirrorBit NOR闪存设备，符合JEDEC JESD251扩展SPI (xSPI)规范。专为功能安全设计，按照ISO 26262标准开发，以实现ASIL-B合规性和ASIL-D就绪性。支持八进制外设接口 (OPI) 和传统x1串行外设接口 (SPI)，两个接口都串行传输事务，减少接口连接信号数量。SPI支持SDR，而OPI支持SDR和DDR。读取操作是突发式的，读取事务可以配置为使用环绕或线性突发。环绕突发从单个页面读取，而线性突发可以读取整个内存阵列

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型号：S29GL01GS11DHIV10 编号：C1349852

封装：FBGA-64(9x9)

采用65纳米制程技术制造。这些设备提供了快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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￥129.09
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型号：MX66L2G45GXRI00 编号：C2802777

封装：CSPBGA-24(6x8)

2Gb 位串行 NOR 闪存，内部配置为 268,435,456 x 8。当处于双或四 I/O 模式时...（原文本未完整，此处按已有内容输出）

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型号：MT25QU512ABB8E12-0AUT 编号：C6847463

封装：FBGA-24

品牌：micron(镁光)

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型号：BY25D40ASOIG(T) 编号：C382741

封装：TSSOP-8

品牌：BOYAMICRO(博雅)

BY25D40/20是4M/2M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双输出数据传输速度为108Mbits/s。该器件采用单一低压电源供电，电压范围为2.7伏至3.6伏

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型号：BY25D80ASTIG(T) 编号：C575395

封装：SOP-8

品牌：BOYAMICRO(博雅)

BY25D80是一款8M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双输出数据的传输速度为108Mbit/s。该器件采用单一低压电源供电，电压范围为2.7V至3.6V

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型号：MX25V2035FM1ITR 编号：C2802933

封装：SOP-8

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。 2,097,152 x 1位结构或1,048,576 x 2位（双I/O模式）结构或524,288 x 4位（四I/O模式）结构。每个扇区为4K字节，或每个块为32K/64K字节。任何块都可以单独擦除。单电源操作。读、擦除和编程操作的工作电压为2.3V-3.6V。从 -1V到Vcc +1V的闩锁保护至100mA。高性能。快速读取。 1 I/O：108MHz，8个空周期。 2 I/O：104MHz，4个空周期，相当于208M

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型号：GD25Q40CTIG 编号：C79077

封装：SOP-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

4-Mbit(512K x8bit)，SPI，Dual SPI，Quad SPI，120MHz，电压：2.7V to 3.6V

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型号：AT25EU0041A-MAHN-T 编号：C7078037

封装：UDFN-8(2x3)

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型号：IS25LP040E-JNLE 编号：C5693021

封装：SOIC-8

IS25LP/WP040E/020E/010E/512E/025E系列串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中提供了一种灵活且高性能的多功能存储解决方案。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式

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￥3
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型号：MX25L512EZUI-10G 编号：C6121801

封装：USON-8(2x3)

特性：支持串行外设接口-模式0和模式3。具有524,288 x 1位结构或262,144 x 2位（双输出模式）结构。有16个相等的扇区，每个扇区4K字节。任何扇区都可以单独擦除。单电源操作。读取、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏

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型号：AT25SF041B-SSHB-T 编号：C1870755

封装：SOIC-8

AT25SF041B是一款串行接口闪存设备，专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。AT25SF041B灵活的擦除架构也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备

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型号：MX25R8035FM2IL0 编号：C152605

封装：SOIC-8-208mil

特性：支持串行外设接口。支持模式0和模式3。 8,388,608 x 1位结构或4,194,304 x 2位（双I/O模式）结构。每个扇区为4K字节，或每个块为32K/64K字节。任何块都可以单独擦除。单电源供电

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型号：IS25WP080D-JNLE 编号：C411810

封装：SOIC-8

IS25LP080D和IS25WP080D/040D/020D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在引脚数量简化的封装中具备高度的灵活性和出色的性能。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式

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型号：AT25EU0081A-SUN-T 编号：C27437359

封装：SOIC-8

特性：电压范围：1.65 V-3.6 V。8-Mbit闪存，兼容串行外设接口 (SPI)。支持SPI模式0和3。支持单输入/输出操作 (1,1,1)。支持双输入和双输出操作 (1,1,2)、(1,2,2)、(0,2,2)。支持四输入和四输出操作 (1,1,4)、(1,4,4)、(0,4,4)

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￥3.47
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型号：BY25Q128ESSIG(R) 编号：C49023667

封装：SSOP-8-208mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

BY25Q128ES是一款128M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SS）、I/O2（WP）和I/O3（/HOLD）。双I/O数据传输速度为216Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为432Mbit/s。该器件采用单一低压电源供电，电压范围为2.7V至3.6V

单价：
￥2.996 / 个

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型号：MX25U1632FZUI02 编号：C6704261

封装：USON-8(2x3)

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￥3.79
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型号：AT25SF081B-MAHB-T 编号：C1870743

封装：USON-8-EP(2x3)

Adesto AT25SF081B是一款串行接口闪存存储器设备，专为各种高容量消费类应用而设计，在这些应用中，程序代码从闪存存储器映射到嵌入式或外部RAM中执行。AT25SF081B的灵活擦除架构也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备。AT25SF081B的擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，这意味着可以更有效地利用内存空间。

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￥4.07
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￥3.98
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￥3.92

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型号：MX25U8035FM1I 编号：C6242577

封装：SOP-8

MX25U8035F是一款8Mbit的串行NOR闪存，其内部配置为1,048,576 x 8。在四I/O模式下，其结构变为2,097,152位x 4或4,194,304位x 2。MX25U8035F具备串行外设接口和软件协议，在单I/O模式下可在简单的三线总线上运行

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￥4.32
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￥4.21
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￥4.14

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型号：AT25SF041B-MAHD-T 编号：C1883515

封装：USON-8-EP(2x3)

是一款串行接口闪存存储设备，适用于各种高容量消费类应用，可将程序代码从闪存复制到嵌入式或外部 RAM 中执行。灵活的擦除架构也适用于数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，能更有效地利用内存空间，减少大块擦除闪存设备的内存浪费。此外，该设备还包含三个安全寄存器页面，用于唯一设备序列化、系统级电子序列号 (ESN) 存储、锁定密钥存储等，这些页面可以单独锁定。

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￥4.55
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￥4.45
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型号：AT45DB021E-SHN-T 编号：C226094

封装：SOIC-8-208mil

一款最低工作电压为 1.65V 的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。它还支持 RapidS 串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其 2,162,688 位的存储器被组织成 1,024 页，每页 256 字节或 264 字节

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￥4.81
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￥3.86
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￥3.38

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型号：AT25SF041B-MHB-T 编号：C7455394

封装：UDFN-8(5x6)

特性：串行外设接口 (SPI) 兼容，支持SPI模式0和3。支持单输入/输出操作 (1,1,1)。支持双输入和双输出操作 (1-1-2), (1-2-2), (0-2-2)。支持四输入和四输出操作 (1-1-4), (1-4-4), (0-4-4)。连续读取模式（8/16/32/64字节回绕）。针对XiP进行优化

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￥4.84
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￥4.73
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￥4.66

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型号：IS25LP020E-JNLE 编号：C3034696

封装：SOIC-8

提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O。支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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￥6.4
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￥5.2
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￥4.6

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型号：MX25U6432FBBI02 编号：C2913609

封装：XFBGA-14

特性：支持串行外设接口-模式0和模式3。单电源操作-读取、擦除和编程操作电压范围为1.65至2.0伏。 67,108,864 x 1位结构或33,554,432 x 2位（双I/O模式）结构或16,777,216 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持-单I/O、双I/O和四I/O。从 -1V到Vcc + 1V的闩锁保护至100mA。 SPI模式的快速读取-所有协议支持高达133MHz的时钟频率

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￥6.16
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型号：MX25L6445EMI-10G/TR 编号：C23076977

封装：SOP-16-300mil

特性：与串行外设接口兼容，支持模式0和模式3。64Mb：具有67,108,864 x 1位结构或33,554,432 x 2位（双I/O模式）结构或16,777,216 x 4位（四I/O模式）结构。2048个相等的扇区，每个扇区4K字节，任何扇区可单独擦除。256个相等的块，每个块32K字节，任何块可单独擦除

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￥8.35
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￥8.15
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￥8.02

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型号：IS25LP064D-JBLE-TR 编号：C5183018

封装：SOIC-8-208mil