FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：S25FS512SDSBHB213 编号：C2951735

封装：TBGA-24

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型号：MX25LM25645GXDI00 编号：C20099905

封装：CSPBGA-24(6x8)

是256Mb位八进制接口串行NOR闪存，内部配置为33,554,432 x 8。具有串行外设接口和软件协议，在单I/O模式下可在简单的三线总线上运行。三个总线信号是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过CS#输入启用对设备的串行访问。八进制闪存可在整个芯片上提供顺序读取操作。发出编程/擦除命令后，自动编程/擦除算法对指定内容进行编程/擦除和验证。

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型号：IS25WP256D-RHLE 编号：C1348936

封装：TFBGA-24(6x8)

IS25LP256D和IS25WP256D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O模式，以及标准、双输出和四输出SPI模式

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型号：MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E TR 编号：C6685614

封装：TFSOP-48-18.4mm

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型号：MT25QU128ABB1ESE-0AUT TR 编号：C6232090

封装：SO-8

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型号：S29GL256P11TFIV20 编号：C2944802

封装：TFSOP-56-18.4mm

的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒，随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器，一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短

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型号：MT25QL128ABB1ESE-0AUT TR 编号：C7307817

封装：SO-8

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型号：MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E 编号：C598840

封装：TSOPI-48

Micron 2Gb x8/x16 SLC NAND Flash Memory是一款高性能的NAND闪存，支持异步接口，具有2112字节（2048 + 64字节）的页面大小，64个页面的块大小，以及128K + 4K字节的数据容量。该设备支持1.8V和3.3V供电，具有10年的数据保留时间和100,000次编程/擦除周期。

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型号：MT29F4G08ABBFAH4-IT:F 编号：C19753219

封装：VFBGA-63(9x11)

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型号：S25FL512SAGMFIR11 编号：C2953563

封装：SOIC-16

特性：CMOS 3.0 V 核心,具有多功能 I/O SPI 与多 I/O 密度。512 Mb (64 MB) SPI。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址:32 位地址。串行命令集和封装与 S25FL A、S25FL K 和 S25FL P SPI 系列兼容

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型号：MX60LF8G28AD-TI 编号：C17469795

封装：TFSOP-48-18.4mm

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型号：S29GL256P11FFI020 编号：C2947464

封装：LBGA-64

采用90nm工艺技术制造。这些器件提供25ns的快速页面访问时间，相应的随机访问时间最快可达90ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中编程最多32字/64字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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型号：IS25LP512MG-RMLE-TR 编号：C5772382

封装：SOIC-16-300mil

Serial Flash memory offers a versatile storage solution with high flexibility and performance in a simplified pin count package. "Industry Standard Serial Interface" Flash is for systems that require limited space, a low pin count, and low power consumption. The device is accessed through a 4-wire SPI Interface consisting of a Serial Data Input (SI), Serial Data Output (SO), Serial Clock (SCK), and Chip Enable (CE#) pins, which can also be configured to serve as multi-I/O. The device supports Dual and Quad I/O as well as standard, Dual Output, and Quad Output SPI. The IS25xP series of Flash adds support for DTR (Double Transfer Rate) commands that transfer addresses and read data on both edges of the clock. These transfer rates can outperform 16-bit Parallel Flash memories allowing for efficient memory access to support XIP (execute in place) operation. Initial state of the memory array is erased (all bits are set to 1) when shipped from the factory. QPI (Quad Peripheral Interface) supports 2-cycle instruction further reducing instruction times. Pages can be erased in groups of 4Kbyte sectors, 32Kbyte blocks, 64K/256Kbyte blocks, and/or the entire chip. The uniform sector and block architecture allows for a high degree of flexibility so that the device can be utilized for a broad variety of applications requiring solid data retention.

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型号：SDINBDA6-32G-ZA1 编号：C17702081

封装：FBGA-169

品牌：SANDISK(闪迪)

iNAND AT EM132 e.MMC EFD 是由 Western Digital 生产的汽车级嵌入式闪存驱动器，支持 e.MMC 5.1 标准接口，采用可靠的 3D NAND 技术，适用于未来的智能汽车。提供 32GB 至 256GB 的存储容量，支持高级内存管理功能，包括强大的 ECC、自动刷新、磨损均衡、α粒子/中子保护、热管理和高级缺陷管理。适用于自动驾驶、人工智能和高级娱乐系统等先进应用。

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型号：S29GL01GS11TFI010 编号：C2959388

封装：TFSOP-56

采用65纳米制程技术制造，具备快速页面访问时间，最快可达15 ns，随机访问时间最快可达90 ns。其写入缓冲区允许在一次操作中对最多256个字/512字节进行编程，有效编程时间比标准编程算法更快。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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型号：TH58BVG3S0HTA00 编号：C17563206

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：KIOXIA(铠侠)

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型号：MT35XU512ABA1G12-0AUT 编号：C6232180

封装：TPBGA-24(6x8)

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型号：MT25QU256ABA8E12-0AAT 编号：C1351315

封装：TPBGA-24(6x8)

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型号：MT28EW128ABA1HPC-0SIT 编号：C438960

封装：LBGA-64

特性：单级单元（SLC）工艺技术。密度：128Mb。电源电压：VCC(overline) = 2.7-3.6V（编程、擦除、读取），VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O缓冲器）。异步随机/页读取。页大小：16字或32字节。页访问：20ns

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型号：MTFC256GASAONS-IT 编号：C5128485

封装：TFBGA-153

特性：通用闪存存储 (UFS) 控制器和NAND闪存。VCC：2.7-3.6V。VCCQ2：1.7-1.95V。符合JEDEC/UFS规范版本2.1。先进的6信号接口。差分I/O引脚。支持2通道。高速：支持Gear 1/2/3。永久和上电写保护。引导操作（高速引导）。睡眠模式。重放保护内存块 (RPMB)。后台操作。可靠写入。丢弃/擦除。命令队列。FFU。缓存。JEDEC/UFS规范版本3.0特性。REFRESH操作。温度事件通知。保留资格:5年@55°C，PE为10%。1年@55°C，最大PE。封装合规:RoHS认证。BGA，MSL3

单价：
￥962.76 / 个

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型号：P25Q21H-SSH-IR 编号：C5263824

封装：SOP-8-150mil

品牌：PUYA(普冉)

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型号：NB25WD40BOIGR 编号：C48735572

封装：TSSOP-8

品牌：Zetta(澜智)

NOR FLASH 4Mb, TSSOP8, 双线，1.65~3.6V，-40°C~85°C

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型号：MX25V2033FM1I-TR 编号：C25615337

封装：SOP-8-150mil

特性：2.3V-3.6V 用于读取、擦除和编程操作。支持唯一 ID 数据 (UID)。支持多 I/O。单 I/O、双 I/O 和四 I/O

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型号：BY25Q32CSHJG(R) 编号：C50176340

封装：USON-8(3x4)

品牌：BOYAMICRO(博雅)

是32M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双/四SPI以及2时钟指令周期四外设接口（QPI）：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP）和I/O3（HOLD）。双I/O数据传输速度为216Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速度为432Mbits/s。该器件使用2.7V至3.6V的单低压电源。此外，该器件支持JEDEC标准制造商和设备ID以及三个256字节的安全寄存器。

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型号：AT45DB041E-SSHN-B 编号：C1348796

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT45DB041E是一款最低工作电压为1.65V的串行接口顺序访问闪存，非常适合用于各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB041E还支持RapidS串行接口，适用于需要超高速运行的应用。其4,194,304位的存储器组织为2,048页，每页256字节或264字节

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型号：IS25WP080D-JNLE-TR 编号：C2063085

封装：SOIC-8

IS25LP080D和IS25WP080D/040D/020D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O，以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：ZD25Q32DSIGT 编号：C54157891

封装：SOP-8-208mil

品牌：Zetta(澜智)

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￥1.69
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￥1.55
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型号：MX25V8035FZNI 编号：C2803053

封装：WSON-8-EP(5x6)