您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > FLASH存储器芯片
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共10537
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
128Mb 串行闪存,内部配置为 16,777,216×8。在双或四 I/O 模式下,结构变为 67,108,864 位×2 或 33,554,432 位×4。在单 I/O 模式下,具有串行外设接口和软件协议,允许在简单的三线总线上操作,三个总线信号为时钟输入(SCLK)、串行数据输入(SI)和串行数据输出(SO)。通过 CS# 输入启用对设备的串行访问。在双 I/O 读模式下,SI 引脚和 SO 引脚变为 SIO0。
数据手册
  • 135+

    ¥12.773366
  • 1000+

    ¥11.757303
25系列串行闪存产品具备四线SPI兼容接口,可采用引脚数较少的封装,从而减少电路板占用空间,最终降低系统总体成本。SST25VF080B器件在工作频率和功耗方面均有提升。SST25VF080B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造
数据手册
  • 1+

    ¥18.66
  • 10+

    ¥15.7
  • 30+

    ¥13.84
  • 有货
    • 1+

      ¥18.94
    • 10+

      ¥16.02
    • 30+

      ¥14.2
    • 100+

      ¥12.33
    • 500+

      ¥11.49
    • 1000+

      ¥11.13
  • 订货
  • MX35LF4G24AD-Z4I 是一款1Gb/2Gb/4Gb SLC NAND Flash存储器,支持串行接口。该设备采用了与并行NAND相同的单元架构,但实现了行业标准的串行接口。需要主机微控制器支持8位ECC/544字节操作。具有低功耗、高速读取访问、高可靠性和宽温工作范围的特点。
    • 1+

      ¥19.21
    • 10+

      ¥18.78
    • 30+

      ¥18.49
  • 有货
  • XTX SD NAND是一种嵌入式存储解决方案,设计为WSON8或LGA8封装。支持1.8V供电电压,符合SD 2.0接口标准,适用于大多数嵌入式应用,具有高可靠性和低功耗。
    • 1+

      ¥19.68
    • 10+

      ¥18.67
    • 30+

      ¥18.08
    • 100+

      ¥17.47
  • 有货
  • FL - L系列器件是采用浮栅技术、≡65 nm制程光刻工艺的闪存非易失性存储产品。FL - L系列通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统。该系列支持传统的SPI单比特串行输入输出(单I/O或SIO),以及可选的两比特(双I/O或DIO)和四比特宽的四路I/O(QIO)及四路外设接口(QPI)命令
    数据手册
    • 1+

      ¥20.2
    • 10+

      ¥19.7
    • 30+

      ¥19.37
  • 有货
  • 采用65纳米制程技术制造,具备快速页面访问时间,最快可达15 ns,随机访问时间最快可达90 ns。其写入缓冲区允许在一次操作中对最多256个字/512字节进行编程,有效编程时间比标准编程算法更快。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    • 1+

      ¥22.14
    • 10+

      ¥21.63
    • 30+

      ¥21.28
  • 有货
  • 串行四线I/O(SQI)系列闪存设备采用六线4位I/O接口,可在低引脚数封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF032BEUI还支持与传统串行外设接口(SPI)协议的全命令集兼容。使用SQI闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小,最终可降低系统成本
    数据手册
    • 1+

      ¥22.65
    • 10+

      ¥22.07
    • 30+

      ¥21.69
  • 有货
  • SST39VF1601C和SST39VF1602C器件是采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造的1M x 16 CMOS多用途闪存增强型(MPF+)器件。与其他方法相比,分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39VF160xC在2.7 - 3.6V电源下进行写入(编程或擦除)操作
    数据手册
    • 1+

      ¥23.99
    • 10+

      ¥20.53
    • 30+

      ¥18.47
  • 有货
  • SST39SF010A/020A/040 是采用 SST 专有的高性能 CMOS 超闪存技术制造的 CMOS 多用途闪存(MPF)。与其他方法相比,分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39SF010A/020A/040 器件在 4.5 - 5.5V 电源下进行写入(编程或擦除)操作
    数据手册
    • 1+

      ¥26.73
    • 10+

      ¥22.77
    • 30+

      ¥19.65
  • 有货
  • IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中,提供了具有高度灵活性和高性能的通用存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和芯片使能(CE#)引脚组成,这些引脚也可以配置为用作多 I/O(参见引脚说明)
    数据手册
    • 1+

      ¥26.7993 ¥27.07
    • 10+

      ¥23.0571 ¥23.29
    • 30+

      ¥20.8296 ¥21.04
    • 100+

      ¥18.5823 ¥18.77
    • 500+

      ¥17.5428 ¥17.72
    • 1000+

      ¥17.0775 ¥17.25
  • 有货
  • 采用65纳米制程技术制造。这些设备提供了快速的页面访问时间,最快可达15 ns,相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区,允许在一次操作中最多编程256个字/512字节,比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥27.78
    • 10+

      ¥26.51
    • 30+

      ¥24.41
  • 有货
    • 1+

      ¥28.64
    • 10+

      ¥27.99
    • 30+

      ¥27.56
  • 有货
  • PN27G01A 是一款单 3.3V 1Gbit NAND 电可擦除可编程只读存储器 (NAND E2PROM),组织为 (2048 + 128) 字节 × 64 页 × 1024 块。设备具有 2176 字节的静态寄存器,允许程序和读取数据在寄存器和存储单元阵列之间以 2176 字节增量传输。擦除操作以单个块单位 (128 Kbytes + 8 Kbytes: 2176 字节 × 64 页) 实现。
    数据手册
    • 1+

      ¥29.12
    • 10+

      ¥25.14
    • 30+

      ¥22.77
    • 100+

      ¥20.38
  • 有货
  • 特性:读取命令:正常、快速、双输出、双I/O、四输出、四I/O、DDR四I/O模式;突发环绕、连续(XIP)、QPI(QPI)模式;串行闪存可发现参数(SFDP)和通用闪存接口(CFI),用于配置信息。编程:256或512字节页面编程缓冲区;编程暂停和恢复;自动ECC-内部硬件纠错码(ECC)生成,具有单比特纠错功能。擦除:混合扇区选项;地址空间顶部或底部有一组八个4 KB扇区和一个32 KB扇区,其余扇区为64 KB;统一扇区选项;统一64 KB或256 KB块,与更高密度和未来设备软件兼容;擦除暂停和恢复;擦除状态评估。循环耐久性:至少100,000次编程-擦除循环。数据保留:至少20年数据保留。安全特性:1024字节的一次性可编程(OTP)阵列;块保护:状态寄存器位控制对连续扇区范围的编程或擦除保护;硬件和软件控制选项;高级扇区保护(ASP):由引导代码或密码控制的单个扇区保护;读访问密码控制选项
    数据手册
    • 1+

      ¥30.22
    • 10+

      ¥25.86
    • 30+

      ¥23.27
  • 有货
    • 5+

      ¥32.232
    • 10+

      ¥31.032
    • 20+

      ¥30.432
    • 40+

      ¥28.1232
    • 80+

      ¥27.489
    3.3V 128Mbit
    数据手册
    • 1+

      ¥35.33
    • 10+

      ¥30.23
    • 30+

      ¥27.21
  • 有货
  • 特性:先进的扇区保护功能(实体保护和密码保护)。 多I/O支持。 单I/O、双I/O和四I/O。 支持DTR(双倍传输速率)模式。 支持高达166MHz的时钟频率。 支持串行外设接口
    数据手册
    • 65+

      ¥27.151752
    • 100+

      ¥25.098258
    • 1000+

      ¥23.101806
    特性:CMOS 3.0 V 核心,具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址:24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容
    • 1+

      ¥35.69
    • 10+

      ¥34.85
    • 30+

      ¥34.29
  • 有货
  • 该设备是一款闪存非易失性存储产品,采用:MIRRORBIT™技术-在每个存储阵列晶体管中存储两位数据;Eclipse架构-显著提高编程和擦除性能;65纳米工艺光刻;该设备通过SPI连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出(单I/O或SIO),以及可选的两比特(双I/O或DIO)和四比特(四I/O或QIO)串行命令。这种多宽度接口称为SPI多I/O或MIO。
    • 1+

      ¥38.71
    • 10+

      ¥33.26
    • 30+

      ¥29.94
  • 有货
  • FL - L系列器件是采用浮栅技术和65纳米光刻工艺的闪存非易失性存储产品。FL - L系列通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统。该系列支持传统的SPI单比特串行输入输出(单输入输出或SIO),以及可选的双比特(双输入输出或DIO)和四比特宽的四路输入输出(QIO)和四路外设接口(QPI)命令
    • 1+

      ¥40.51
    • 10+

      ¥34.63
    • 30+

      ¥31.04
  • 有货
    • 1+

      ¥51.36
    • 10+

      ¥50.19
    • 44+

      ¥49.41
  • 有货
    • 1+

      ¥55.89
    • 10+

      ¥54.64
    • 30+

      ¥53.81
  • 有货
    • 1+

      ¥56.38
    • 10+

      ¥48.09
    • 30+

      ¥43.03
  • 有货
    • 1+

      ¥78.75
    • 10+

      ¥75.15
    • 30+

      ¥68.91
  • 有货
  • 采用90nm工艺技术制造。这些器件提供25ns的快速页面访问时间,相应的随机访问时间最快可达90ns。它们具有一个写缓冲区,允许在一次操作中编程最多32字/64字节,比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    • 1+

      ¥81.38
    • 10+

      ¥70.01
    • 30+

      ¥63.08
  • 有货
  • 立创商城为您提供FLASH存储器芯片型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买FLASH存储器芯片提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content