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串行四路输入/输出（SQI）系列闪存设备采用六线 4 位输入/输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF032B/032BA 还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：SST25VF040B-50-4I-SAE-T 编号：C624755

封装：SOIC-8

该系列串行闪存采用四线SPI兼容接口，可实现低引脚封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。该器件具有更高的工作频率和更低的功耗。采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。该器件显著提高了性能和可靠性，同时降低了功耗。该器件使用2.7V-3.0V的单电源进行写入（编程或擦除）。与其他闪存技术相比，SuperFlash技术在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量更少。

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型号：MX25L12835FZ2I-10G 编号：C504709

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

128Mb 串行闪存，内部配置为 16,777,216×8。在双或四 I/O 模式下，结构变为 67,108,864 位×2 或 33,554,432 位×4。在单 I/O 模式下，具有串行外设接口和软件协议，允许在简单的三线总线上操作，三个总线信号为时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过 CS# 输入启用对设备的串行访问。在双 I/O 读模式下，SI 引脚和 SO 引脚变为 SIO0。

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型号：S25FL128LAGNFI010 编号：C2944489

封装：WDFN-8-EP

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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型号：MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E 编号：C7307831

封装：VFBGA-63(9x11)

品牌：micron(镁光)

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型号：W25Q128JVEIM 编号：C2641200

封装：WSON-8-EP(6x8)

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型号：JS28F256P30TFE 编号：C598859

封装：TSOP-56-14.0mm

品牌：micron(镁光)

特性：高性能。简易球栅阵列（Easy BGA）初始访问时间为100ns。薄小外形封装（TSOP）初始访问时间为110ns。25ns 16字异步页读取模式。零等待状态下52MHz（Easy BGA）和17ns时钟到数据输出同步突发读取模式。突发模式提供4、8、16和连续字选项

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型号：S25FL128LAGMFV013 编号：C1512157

封装：SOIC-8-208mil

FL - L系列器件是采用浮栅技术、≡65 nm制程光刻工艺的闪存非易失性存储产品。FL - L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。该系列支持传统的SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的两比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四路I/O（QIO）及四路外设接口（QPI）命令

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型号：W25Q128JWEIM 编号：C7150037

封装：WSON-8(6x8)

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型号：W25Q128JWYIM TR 编号：C6326898

封装：WLCSP-21

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型号：W25Q128JWSIM 编号：C6000495

封装：SOIC-8-208mil

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型号：SST39VF1601C-70-4C-EKE 编号：C637385

封装：TSOPI-48

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型号：SST39VF040704ITU 编号：C43651917

封装：TSOP-32

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型号：S25FL128LAGNFI013 编号：C2062455

封装：WSON-8-EP(5x6)

FL - L系列器件是采用浮栅技术、≡65 nm制程光刻工艺的闪存非易失性存储产品。FL - L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。该系列支持传统的SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的两比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四路I/O（QIO）及四路外设接口（QPI）命令

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型号：SST26VF032BAT-104I/MF 编号：C629160

封装：WDFN-8-EP(5x6)

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封装：TBGA-24

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型号：XTSDQ01GLAIGA 编号：C29781618

封装：LGA-8(6x5)

品牌：XTX(芯天下)

XTX SD NAND是一种嵌入式存储解决方案，设计为WSON8或LGA8封装。支持1.8V供电电压，符合SD 2.0接口标准，适用于大多数嵌入式应用，具有高可靠性和低功耗。

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型号：M29W640GB70NA6E 编号：C20569393

封装：48-TSOP

品牌：micron(镁光)

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型号：S29GL128S10TFI020 编号：C2832244

封装：TSOP-56-18.5mm

采用65纳米制程技术制造。这些设备提供了快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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型号：SST39VF1601-70-4I-EKE 编号：C34469

封装：TSOPI-48

SST39VF160x和SST39VF320x器件分别为1M x16和2M x16的CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件，采用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x/320x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：IS25WP512M-JLLA3 编号：C2940514

封装：-

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：MX29LV640ETTI-70G 编号：C504703

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：8,388,608 x 8 / 4,194,304 x 16 可切换扇区结构。8KB(4KW) x 8 和 64KB(32KW) x 127。额外 128 字扇区用于安全。具有工厂锁定、可识别和客户可锁定的扇区组保护/芯片解锁功能。提供扇区组保护功能，防止在受保护扇区组中进行编程或擦除操作。提供芯片解锁功能，允许更改代码

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型号：SST39SF040-55-4I-NHE-T 编号：C632847

封装：PLCC-32(11.4x14)

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型号：S25FL064LABMFB010 编号：C1351556

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型号：W25Q256JWPIM 编号：C6025202

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型号：S25FL128SAGBHVB00 编号：C2949641

封装：TBGA-24

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：S25FS128SAGNFI101 编号：C2954241

封装：WDFN-8-EP

特性：密度：128 Mbits (16 MB)、256 Mbits (32 MB)。串行外设接口 (SPI)。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址：24 或 32 位地址选项。串行命令子集和封装尺寸与 S25FL-A、S25FL-K、S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列兼容。多 I/O 命令子集和封装尺寸与 S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列兼容。读取命令：普通、快速、双 I/O、四 I/O、DDR 四 I/O

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型号：S29GL128S10TFIV20 编号：C914941

封装：TSOP-56-18.5mm

采用65纳米制程技术制造。这些设备提供了快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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型号：W25N01GVZEIT 编号：C17656808

封装：WSON-8(6x8)