FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8-208mil

特性：读、擦除和编程操作电压为2.3V-3.6V。支持唯一ID和安全OTP。支持多I/O。支持单I/O、双I/O和四I/O。支持编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复。支持串行外设接口模式0和模式3。具有16,777,216 x 1位结构或8,388,608 x 2位（双I/O模式）结构或4,194,304 x 4位（四I/O模式）结构。每个扇区为4K字节，每个块为32K字节或64K字节，任何块都可单独擦除。单电源供电，读、擦除和编程操作电压为2.3V-3.6V。从-1V到Vcc +1V的闩锁保护电流为100mA

1+
￥3.22
10+
￥2.51
30+
￥2.2

有货

立即购买

型号：PY25Q128HA-SSH-IR 编号：C49242385

封装：SOP-8

品牌：PUYA(普冉)

是串行接口闪存存储设备，适用于大量基于消费的应用，程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行。灵活的擦除架构，具有页面擦除粒度，也适用于数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，能更有效地利用内存空间，减少浪费和未使用的内存空间。包含3*1024字节的安全寄存器，带有OTP锁（一次性可编程），可用于设备序列化、系统级电子序列号存储、锁定密钥存储等。支持在2.7V至3.6V的宽电源电压范围内进行读取、编程和擦除操作，编程和擦除无需单独的电压。

1+
￥8.08535
10+
￥6.68564
30+
￥5.92098
100+
￥4.3344
300+
￥3.968384

我要订货

型号：AT25EU0081A-MAUN-T 编号：C24382234

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：电压范围：1.65 V-3.6 V。8-Mbit闪存，兼容串行外设接口 (SPI)。支持SPI模式0和3。支持单输入/输出操作 (1,1,1)。支持双输入和双输出操作 (1,1,2)、(1,2,2)、(0,2,2)。支持四输入和四输出操作 (1,1,4)、(1,4,4)、(0,4,4)

1+
￥3.74
10+
￥3.66
30+
￥3.6

有货

立即购买

型号：MX25R1635FZNIH0 编号：C6930062

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

16Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 2,097,152 x 8

1+
￥4.51
10+
￥4.42
30+
￥4.35
100+
￥4.29

有货

立即购买

型号：MX25U8035FZUI 编号：C6704271

封装：USON-8(2x3)

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX25U8035F是一款8Mbit的串行NOR闪存，其内部配置为1,048,576 x 8。在四I/O模式下，其结构变为2,097,152位x 4或4,194,304位x 2。MX25U8035F具备串行外设接口和软件协议，在单I/O模式下可在简单的三线总线上运行

1+
￥4.71
10+
￥4.59
30+
￥4.51

有货

立即购买

型号：IS25LP032D-JNLE 编号：C521283

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP032D和IS25WP032D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，在简化引脚封装的情况下仍具备高灵活性和高性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O，以及标准、双输出和四输出SPI

数据手册

1+
￥5.08
10+
￥4.96
30+
￥4.88

有货

立即购买

型号：MX25R1635FM1IL0 编号：C2802815

封装：SOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

16Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 2,097,152 x 8

数据手册

1+
￥5.25
10+
￥4.3
30+
￥3.82

有货

立即购买

型号：MX25L1606EZUI-12GTR 编号：C2802957

封装：USON-8(4x4)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：Hold功能。低功耗。自动擦除和自动编程算法。额外的512位安全一次性可编程存储器（OTP）用于唯一标识符。单电源操作。读、擦除和编程操作电压范围为2.7至3.6伏

1+
￥5.44
10+
￥4.38
30+
￥3.85
100+
￥3.32

有货

立即购买

型号：XT25F128FWOIGT-W 编号：C3202839

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：XTX(芯天下)

XT25F128F-W（128M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）、双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#/RESET#）。

数据手册

1+
￥5.79
10+
￥4.67
30+
￥4.11
100+
￥3.56
500+
￥3.1
1000+
￥2.93

订货

我要订货

型号：MX25U3235FM2I-10GTR 编号：C2802889

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：快速编程和擦除时间。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。四外设接口（QPI）读/编程模式。编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复

1+
￥6.68
10+
￥5.6
30+
￥5.01

有货

立即购买

型号：SST25PF040C-40I/SN 编号：C515539

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST25PF040C 是串行闪存 25 系列的一员，具备四线、SPI 兼容接口，可采用低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。SPI 串行闪存采用专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性

数据手册

1+
￥7.54
10+
￥7.36
30+
￥7.25

有货

立即购买

型号：MX25U6432FM2I02 编号：C2802904

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口-模式0和模式3。单电源操作-读取、擦除和编程操作电压为1.65至2.0伏。 67,108,864 x 1位结构或33,554,432 x 2位（双I/O模式）结构或16,777,216 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持-单I/O、双I/O和四I/O。从-1V到Vcc +1V可承受100mA的闩锁保护。 SPI模式快速读取-所有协议支持高达133MHz的时钟频率

数据手册

1+
￥7.93
10+
￥6.67
30+
￥5.98

有货

立即购买

型号：LE25U20AMB-AH 编号：C603109

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LE25U20AMB是一款具备256K×8位配置、与串行接口兼容的闪存器件。它采用单2.5 V电源供电。

数据手册

1+
￥7.97
10+
￥6.6
30+
￥5.85

有货

立即购买

型号：IS25WJ032F-JTLE-TR 编号：C7290368

封装：USON-8-EP(3x4)

品牌：ISSI(美国芯成)

Serial Flash内存提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。设备通过由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥8.28
10+
￥8.1
30+
￥7.97

有货

立即购买

型号：GD25LQ32ETIGR 编号：C5718253

封装：SOP-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

1+
￥8.81
10+
￥8.6
30+
￥8.47

有货

立即购买

型号：S25FL064LABNFV010 编号：C2949232

封装：WFDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（XIP）和存储可重新编程的数据。

1+
￥9.81
10+
￥9.57
30+
￥9.4

有货

立即购买

型号：SST25VF040B-50-4I-S2AE 编号：C638551

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥11.07
10+
￥10.82
30+
￥10.65

有货

立即购买

型号：SST26VF020A-104I/SN 编号：C1015629

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四通道I/O (SQI)系列闪存设备采用六线、4位I/O接口，可在低引脚数封装中实现低功耗、高性能运行。还支持与传统串行外设接口 (SPI) 协议的全命令集兼容。使用SQI闪存设备的系统设计占用更少的电路板空间，并最终降低系统成本。26系列SQI家族的所有成员均采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造

数据手册

1+
￥11.5
10+
￥11.23
30+
￥11.06

有货

立即购买

型号：AT25FF321A-MBUN-T 编号：C5591120

封装：UDFN-8(3x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：电压范围：1.65 V-3.6 V。 32-Mbit闪存，与串行外设接口（SPI）兼容。支持SPI模式0和3。支持单输入/输出操作(1-1-1)。支持双输出操作 (1-1-2)。支持四输出操作 (1-1-4)

1+
￥11.61
10+
￥11.35
30+
￥11.18

有货

立即购买

型号：TC58NVG1S3HTA00 编号：C391253

封装：TSOPI-48

品牌：KIOXIA(铠侠)

SLC NAND 2Gb

数据手册

1+
￥11.7
10+
￥10.04
30+
￥9

有货

立即购买

型号：SST25VF040B-50-4I-SAE-T 编号：C624755

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

该系列串行闪存采用四线SPI兼容接口，可实现低引脚封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。该器件具有更高的工作频率和更低的功耗。采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。该器件显著提高了性能和可靠性，同时降低了功耗。该器件使用2.7V-3.0V的单电源进行写入（编程或擦除）。与其他闪存技术相比，SuperFlash技术在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量更少。

数据手册

1+
￥11.87
10+
￥11.6
30+
￥11.42

有货

立即购买

型号：F35SQA512M-WWT 编号：C5126826

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：FORESEE(江波龙)

FORESEE 512Mbit SPI NAND Flash F35SQA512M 支持标准SPI接口，最高支持133MHz时钟频率。该器件提供JEDEC标准制造商和设备ID，唯一ID，一个参数页和62个OTP页。内部1位ECC逻辑默认启用，支持软件和硬件写保护。

数据手册

1+
￥12.01
10+
￥11.27
30+
￥10.81
100+
￥10.34

有货

立即购买

型号：AT25DF021A-SSHN-T 编号：C2061548

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

串行接口闪存存储设备，适用于各种高容量消费类应用，其中程序代码从闪存存储到嵌入式或外部RAM中执行。灵活的擦除架构，页面擦除粒度使其也适用于数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，提高内存空间使用效率。包含专用的一次性可编程 (OTP) 安全寄存器，可用于设备序列化、系统级电子序列号 (ESN) 存储、锁定密钥存储等。支持在1.65V至3.6V的宽电源电压范围内进行读取、编程和擦除操作，编程和擦除无需单独的电压。

数据手册

1+
￥12.63
10+
￥10.73
30+
￥9.54

有货

立即购买

型号：W25Q32JVSSIM TR 编号：C6000508

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥13.43
10+
￥11.42
30+
￥10.17
100+
￥8.88

有货

立即购买

型号：S25FL064LABMFI003 编号：C5123273

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

赛普拉斯FL-L 器件系列是非易失性闪存存储器产品，采用浮栅技术、±65 nm光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI的一比特串行输入和输出（即单线I/O 或SIO）、可选的双比特（即双线I/O 或DIO）、四比特宽（四线I/O 或QIO）以及四线外设接口（QPI）命令，还为QIO 和QPI 提供了双倍的数据速率（DDR）读取命令，在时钟的双边沿上传送地址和读取数据。具有页编程缓冲区，允许在一次操作中最多编程256 个字节，并提供单独的4 KB 大小的扇区、32 KB 半块扇区、64 KB 块扇区或整个芯片擦除功能。

数据手册

1+
￥13.63
10+
￥11.59
30+
￥9.48

有货

立即购买

型号：MX25U6435FM2I-10G 编号：C2802907

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

是64Mb串行闪存，内部配置为8,388,608 x 8。

1+
￥13.7283 ￥20.49
10+
￥10.0491 ￥17.63
30+
￥7.4824 ￥15.92
100+
￥6.674 ￥14.2
500+
￥6.3027 ￥13.41
1000+
￥6.1335 ￥13.05

有货

立即购买

型号：MX25L12845GXDI-08G 编号：C2802947

封装：CSPBGA-24(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读写、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。134,217,728 x 1比特结构或67,108,864 x 2比特（双I/O模式）结构或33,554,432 x 4比特（四I/O模式）结构。协议支持

1+
￥13.78
10+
￥11.7
30+
￥10.39

有货

立即购买

型号：MX25L12833FZ2I-10G 编号：C2802708

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

1+
￥13.95
10+
￥11.87
30+
￥10.57

有货

立即购买

型号：FSNS8A001G-TWT 编号：C5126833

封装：TSOP-48L

品牌：FORESEE(江波龙)

FSNS8A001G是一款1Gbit的SLC NAND Flash存储器，支持标准的NAND闪存接口，使用8位复用总线传输数据、地址和命令指令。该设备具有硬件写保护、软件块保护、唯一ID等功能，适用于需要非易失性存储的应用。

数据手册

1+
￥14.13
10+
￥12.07
30+
￥10.78

有货

立即购买

型号：LE25U40CMDTWG 编号：C146750

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LE25U40CMD 是一款 SPI 总线闪存器件，带有 4M 位（512K x 8 位）配置，由此增添了高性能的双输出和双 I/O 功能。它使用 2.5V 单电源。LE25U40CMD 充分利用串行闪存器件的内在特性，采用 8 引脚超小型封装。所有这些特性都使得此器件适用于存储便携信息设备等应用中的程序，在此类设备中，尺寸要求越来越紧凑。LE25U40CMD 还具有小扇区清除功能，因而使得该器件非常适合存储重写周期较少且传统 EEPROM 因空间不足而无法处理的参数或数据。

数据手册

1+
￥15.3
10+
￥13.11
30+
￥11.74

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示