FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

特性：读取命令：正常、快速、双输出、双I/O、四输出、四I/O、DDR四I/O模式；突发环绕、连续（XIP）、QPI（QPI）模式；串行闪存可发现参数（SFDP）和通用闪存接口（CFI），用于配置信息。编程：256或512字节页面编程缓冲区；编程暂停和恢复；自动ECC-内部硬件纠错码（ECC）生成，具有单比特纠错功能。擦除：混合扇区选项；地址空间顶部或底部有一组八个4 KB扇区和一个32 KB扇区，其余扇区为64 KB；统一扇区选项；统一64 KB或256 KB块，与更高密度和未来设备软件兼容；擦除暂停和恢复；擦除状态评估。循环耐久性：至少100,000次编程-擦除循环。数据保留：至少20年数据保留。安全特性：1024字节的一次性可编程（OTP）阵列；块保护：状态寄存器位控制对连续扇区范围的编程或擦除保护；硬件和软件控制选项；高级扇区保护（ASP）：由引导代码或密码控制的单个扇区保护；读访问密码控制选项

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型号：GD25Q256EBIRY 编号：C2982798

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q256E（256M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#/RESET#）。双I/O数据传输速率为266Mbit/s，四I/O数据传输速率为532Mbit/s。

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型号：SST39VF040-70-4I-NHE 编号：C645939

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：S29GL256S90TFI010 编号：C466848

封装：TSOP-56-18.5mm

采用65纳米工艺技术制造，提供快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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型号：MX25L51245GXDI-10G 编号：C6611914

封装：CSPBGA-24(6x8)

特性：先进的扇区保护功能（实体保护和密码保护）。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。支持DTR（双倍传输速率）模式。支持高达166MHz的时钟频率。支持串行外设接口

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型号：S25FL256SAGNFV003 编号：C2951865

封装：WDFN-8-EP

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型号：S25FL256LAGNFB010 编号：C2953684

封装：WDFN-8-EP

FL - L系列器件是采用浮栅技术和65纳米光刻工艺的闪存非易失性存储产品。FL - L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。该系列支持传统的SPI单比特串行输入输出（单输入输出或SIO），以及可选的双比特（双输入输出或DIO）和四比特宽的四路输入输出（QIO）和四路外设接口（QPI）命令

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型号：SST26VF032BEUI-104I/SM 编号：C638560

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四线I/O（SQI）系列闪存设备采用六线4位I/O接口，可在低引脚数封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF032BEUI还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用SQI闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：SST39VF3201-70-4C-EKE 编号：C11320

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：S25FL512SAGMFIG10 编号：C117911

封装：SOIC-16-300mil

3.3V 512Mbit

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型号：MT29F4G01ABBFDWB-IT:F 编号：C20511638

封装：UPDFN-8(8x6)

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元（SLC）技术。4Gb密度。页面大小×1：4352字节（4096 + 256字节）。块大小：64页（256K + 16K字节）。平面大小：1×2048块。标准和扩展SPI兼容串行总线接口

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型号：S29GL064S80TFIV20 编号：C2948614

封装：TFSOP-56

品牌：Infineon(英飞凌)

3.0-V单电源闪存存储器，采用65-nm MRRORBIT™技术制造。有4,194,304字或8,388,608字节的容量。根据型号，设备只有16位宽的数据总线，或者可以通过BYTE#输入作为8位宽的数据总线。可在主机系统或标准EPROM编程器中进行编程。访问时间最快可达70 ns，每个访问时间都有特定的工作电压范围(VCC)。封装包括48引脚TSOP、56引脚TSOP、48球细间距BGA和64球加固BGA

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型号：MX29F800CBTI-70G 编号：C2803074

封装：TSOPI-48

特性：单电源操作，读取、擦除和编程操作电压为4.5至5.5V。 1,048,576 x 8 / 524,288 x 16可切换。引导扇区架构，包括顶部引导扇区（T）和底部引导扇区（B）。扇区结构：16K字节x 1、8K字节x 2、32K字节x 1和64K字节x 15。扇区保护：硬件方法可禁用任何扇区组合的编程或擦除操作。临时扇区未受保护，允许在先前锁定的扇区中进行代码更改

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型号：S25FL256SAGMFNG00 编号：C2944684

封装：SOIC-16-300mil

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：S25FL128SAGBHBA00 编号：C2950747

封装：TBGA-24

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型号：MT25QL01GBBB8ESF-0AAT 编号：C1352146

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

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型号：MT25QU512ABB8ESF-0AAT 编号：C1351422

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

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型号：S29GL01GS11TFI020 编号：C511724

封装：TSOP-56-18.5mm

采用65纳米工艺技术制造，提供快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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型号：S29GL128P11TFI010 编号：C2953861

封装：TFSOP-56-18.4mm

的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒，随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器，一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短

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型号：MX60LF8G18AC-TI 编号：C504716

封装：TSOPI-48

MX60LF8G18AC是一款8G位SLC NAND闪存设备，具有3V供电，8位数据总线，工业级工作温度范围，支持高速读取和缓存读取操作。

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型号：MX66U1G45GXDI00 编号：C2802783

封装：CSPBGA-24(6x8)

特性：多 I/O 支持。支持单 I/O、双 I/O 和四 I/O。支持 DTR（双倍传输速率）模式。8/16/32/64 字节环绕读取模式。支持串行外设接口。模式 0 和模式 3

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型号：S29GL01GT10FHI010 编号：C2944875

封装：LBGA-64

S29GL01GT/512T 是采用 45 纳米制程技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达 15 纳秒，相应的随机访问时间最快可达 100 纳秒。它们具备一个写缓冲区，允许在一次操作中最多对 256 字/512 字节进行编程，与标准编程算法相比，可有效缩短编程时间

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￥105.0777 ￥115.47
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型号：S29GL064N90BFI040 编号：C2944771

封装：VFBGA-48

S29GL - N 系列器件是采用 110 nm MirrorBit 技术制造的 3.0 伏单电源闪存。S29GL064N 是一款 64 Mb 的器件，组织形式为 4,194,304 个字或 8,388,608 个字节。S29GL032N 是一款 32 Mb 的器件，组织形式为 2,097,152 个字或 4,194,304 个字节

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￥105.6336 ￥179.04
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型号：S25FL512SAGMFMR10 编号：C2948958

封装：SOIC-16

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型号：ZDSD08GLGIAG 编号：C19727140

封装：LGA-8(6.2x8)

品牌：Zetta(澜智)

pSLC，工业级（ -40℃ to+85℃），标准SD2.0协议，8Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第三代产品,SD NAND(SDNAND)

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型号：BY25D40ASOIG(T) 编号：C382741

封装：TSSOP-8

BY25D40/20是4M/2M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双输出数据传输速度为108Mbits/s。该器件采用单一低压电源供电，电压范围为2.7伏至3.6伏

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型号：BY25Q16BSSIG(T) 编号：C575396

封装：SOP-8-208mil

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型号：BY25D80ASTIG(T) 编号：C575395

封装：SOP-8

BY25D80是一款8M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双输出数据的传输速度为108Mbit/s。该器件采用单一低压电源供电，电压范围为2.7V至3.6V

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型号：BY25Q16ESTIG(T) 编号：C50172594

封装：SOP-8-150mil