FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

特性：单级单元（SLC）技术。4Gb密度。页面大小×1：4352字节（4096 + 256字节）。块大小：64页（256K + 16K字节）。平面大小：1×2048块。标准和扩展SPI兼容串行总线接口

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型号：MT29F8G08ADADAH4-IT:D 编号：C2917794

封装：VFBGA-63

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型号：S29GL128P11TFIV20 编号：C2944456

封装：TFSOP-56-18.4mm

的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒，随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器，一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短

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型号：IS29GL256-70SLET 编号：C5803540

封装：TFSOP-56-18.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS29GL256/128 提供 20ns 的快速页面访问时间，相应的随机访问时间最快可达 70ns。它具备一个写缓冲区，允许在一次操作中对最多 32 字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短。这使得该器件非常适合当今需要更高密度、更优性能和更低功耗的嵌入式应用

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型号：W29N04GVSIAA 编号：C2641244

封装：TSOPI-48

品牌：Winbond(华邦)

W29N04GV 是一款 4Gbit 3.3V NAND FLASH 存储器，支持标准 NAND 命令集，适用于代码阴影到 RAM、固态应用和数据存储。具有低功耗、高性能和紧凑封装的特点。

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型号：XT27Q08ABSIGA 编号：C42162952

封装：BGA-63

品牌：XTX(芯天下)

XT27Q08A是一款8Gb SLC NAND Flash，支持1.8V供电，需要8位ECC。该设备组织为(4096 + 256)字节×64页×4096块，每个页面大小为4352字节，每个块大小为(256K + 16K)字节。适用于高密度非易失性数据存储应用，如固态文件存储、语音记录、图像文件存储等。

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型号：MT29F8G08ABACAH4-IT:C 编号：C2889127

封装：FBGA-63

Micron 8Gb NAND Flash Memory是一款支持异步接口和ONFI 1.0协议的闪存设备。它使用高度复用的8位总线(I/Ox)传输命令、地址和数据。该设备包括五个控制信号：CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。此外，还包括硬件写保护和状态监测信号(WP#和R/B#)。该设备在工业温度范围内(-40°C至+85°C)工作，支持单平面和双平面操作。

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型号：S25FL512SAGMFIR11 编号：C2953563

封装：SOIC-16

特性：CMOS 3.0 V 核心,具有多功能 I/O SPI 与多 I/O 密度。512 Mb (64 MB) SPI。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址:32 位地址。串行命令集和封装与 S25FL A、S25FL K 和 S25FL P SPI 系列兼容

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型号：S29GL01GS11TFI010 编号：C2959388

封装：TFSOP-56

采用65纳米制程技术制造，具备快速页面访问时间，最快可达15 ns，随机访问时间最快可达90 ns。其写入缓冲区允许在一次操作中对最多256个字/512字节进行编程，有效编程时间比标准编程算法更快。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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型号：MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR 编号：C2061797

封装：LBGA-64(11x13)

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型号：S70FL01GSAGBHIC10 编号：C2953677

封装：TBGA-24

特性：CMOS 3.0 V Core。串行外设接口 (SPI) 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址：32 位地址。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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￥117.1844 ￥154.19
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型号：S25FL512SAGMFMR10 编号：C2948958

封装：SOIC-16

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型号：S25FL512SAGMFMG10 编号：C2944487

封装：SOIC-16

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型号：BY25Q40ALTIG(T) 编号：C50172597

封装：SOP-8-150mil

是4M位串行外设接口（SPI）闪存，设计用于大量基于消费类的应用，在这些应用中，程序代码从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。灵活的擦除架构，具有页擦除粒度，也适用于数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，能更有效地利用内存空间，减少大扇区和大块擦除闪存设备中出现的浪费和未使用的内存空间。使用1.65V至2.0V的单低压电源，支持JEDEC标准的制造商和设备ID、128位唯一序列号和三个512字节的安全寄存器。

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￥0.3276
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型号：BY25D40ESMIG(R) 编号：C50176339

封装：USON-8(2x3)

是4M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双输出数据以108Mbit/s的速度传输。使用单一低压电源，范围从2.7V到3.6V。此外，支持JEDEC标准制造商和设备ID。

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型号：P25Q16SH-SSH-IR 编号：C7466814

封装：SOP-8

P25Q16SH是一款串行接口闪存设备，专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。该设备灵活的擦除架构，具备页擦除粒度，也非常适合用于数据存储，无需额外的数据存储设备

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型号：PY25Q80HB-SSH-IR 编号：C50201612

封装：SOP-8-150mil

是一种串行接口闪存设备，设计用于各种大批量消费类应用，其中程序代码从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。其灵活的擦除架构和扇区擦除粒度使其也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备。设备的擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小，可以更有效地利用内存空间

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型号：BY25Q32ESWIG(R) 编号：C50176343

封装：WSON-8(5x6)

32M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。

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￥0.8517
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型号：BY25D40ASMIG(R) 编号：C394859

封装：DFN-8-EP(2x3)

BY25D40/20是4M/2M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双输出数据传输速度为108Mbits/s。该器件采用单一低压电源供电，电压范围为2.7伏至3.6伏

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型号：BY25Q32CSHJG(R) 编号：C50176340

封装：USON-8(3x4)

是32M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双/四SPI以及2时钟指令周期四外设接口（QPI）：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP）和I/O3（HOLD）。双I/O数据传输速度为216Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速度为432Mbits/s。该器件使用2.7V至3.6V的单低压电源。此外，该器件支持JEDEC标准制造商和设备ID以及三个256字节的安全寄存器。

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￥1.0874
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￥1.0629
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￥1.0466

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型号：MX25V2033FM1I-TR 编号：C25615337

封装：SOP-8-150mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：2.3V-3.6V 用于读取、擦除和编程操作。支持唯一 ID 数据 (UID)。支持多 I/O。单 I/O、双 I/O 和四 I/O

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￥1.13
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￥1.1
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￥1.08

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型号：P25Q64SH-SSH-IT 编号：C5263845

封装：SOP-8-150mil

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￥3.76428
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￥3.11272
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￥2.75665
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￥2.01804
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￥1.847552

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型号：W25Q64DR-TD 编号：C49211310

封装：SOP-8-208mil

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

总容量为 64Mbit，换算后为 8MByte。

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￥1.69
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￥1.66
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￥1.64
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型号：P25Q32H-SUH-IT 编号：C414064

封装：SOP-8-208mil

P25Q32H是一款串行接口闪存存储器件，专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行。该器件具有灵活的擦除架构，其页擦除粒度使其也非常适合用于数据存储，无需额外的数据存储设备

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￥2.2123
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￥1.7371
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￥1.5335
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￥1.2794
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￥1.1663
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￥1.0984

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型号：AT45DB041E-SSHN-B 编号：C1348796

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT45DB041E是一款最低工作电压为1.65V的串行接口顺序访问闪存，非常适合用于各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB041E还支持RapidS串行接口，适用于需要超高速运行的应用。其4,194,304位的存储器组织为2,048页，每页256字节或264字节

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￥2.23
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￥2.18
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￥2.15

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型号：BY25Q64ESSIG 编号：C22391876

封装：SOP-8-208mil