FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：QFN-8

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作，2.7至3.6V用于读取、擦除和编程操作。268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O。从 -1V到Vcc +1V的闩锁保护至100mA

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型号：AT25XE011-SSHN-T 编号：C2061567

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高度优化的超低能耗串行接口闪存设备，适用于各种大批量低能耗消费和工业应用。该设备在设计上进行了优化，以满足当今物联网市场中互联应用的需求。其精细的页面擦除和块擦除架构可更有效地利用内存空间，支持数据存储和空中更新。关键程序代码子程序和数据存储段可单独存于各自的擦除区域，与大扇区和大块擦除闪存设备相比，可大大减少浪费和未使用的内存空间

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型号：ZDSD512MLGIAG 编号：C22370395

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，工业级（ -40℃ to+85℃），标准SD2.0协议，512Mbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

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型号：GD5F1GQ5REWIGR 编号：C26248805

封装：WSON8(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

SPI (Serial Peripheral Interface) NAND Flash provides an ultra-cost effective while high density non-volatile memory storage solution for embedded systems, based on an industry-standard NAND Flash memory core. It is an attractive alternative to SPI-NOR and standard parallel NAND Flash, with advanced features. Total pin count is 8, including VCC and GND. Density is 1Gb. Superior write performance and cost per bit over SPI-NOR. Significant low cost than parallel NAND. This low-pin-count NAND Flash memory follows the industry-standard serial peripheral interface, and always remains the same pin out from one density to another. The command sets resemble common SPI-NOR command sets, modified to handle NAND specific functions and added new features. It is an easy-to-integrate NAND Flash memory, with specified designed features to ease host management:。User-selectable internal ECC. ECC parity is generated internally during a page program operation. When a page is read to the cache register, the ECC parity is detected and corrects the errors when necessary. The 64-bytes spare area is available even when internal ECC enabled. The device outputs corrected data and returns an ECC error status.。Internal data move or copy back with internal ECC. The device can be easily refreshed and manage garbage collection task, without need of shift in and out of data.。Power on Read with internal ECC. The device will automatically read first page of first block to cache after power on, then host can directly read data from cache for easy boot. Also the data is promised correct by internal ECC when ECC enabled. It is programmed and read in page-based operations, and erased in block-based operations. Data is transferred to or from the NAND Flash memory array, page by page, to a data register and a cache register. The cache register is closest to I/O control circuits and acts as a data buffer for the I/O data; the data register is closest to the memory array and acts as a data buffer for the NAND Flash memory array operation. The cache register functions as the buffer memory to enable page and random data READ/WRITE and copy back operations. These devices also use a SPI status register that reports the status of device operation.

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型号：S25FL064LABMFA013 编号：C2952924

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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型号：MX25L25635FMI-10GTR 编号：C2802972

封装：SOP-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX25L25635F 是一款 256Mb 的串行闪存存储器，其内部配置为 33,554,432×8。当处于双线或四线 I/O 模式时，其结构变为 134,217,728 位×2 或 67,108,864 位×4。MX25L25635F 具备串行外设接口和软件协议，在单 I/O 模式下可在简单的三线总线上运行

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型号：SST26VF016B-80E/SN 编号：C1350018

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Serial Quad I/O (SQI) 系列闪存设备具有六线、4 位 I/O 接口，可在低引脚数封装中实现低功耗、高性能操作。同时支持与传统串行外设接口 (SPI) 协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用更少的电路板空间，最终降低系统成本。 26 系列 SQI 家族的所有成员均采用专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造

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型号：IS25LP128F-JBLA3-TR 编号：C6969441

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：S25FL064LABNFA010 编号：C2948885

封装：WFDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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型号：GD25B256DYIGR 编号：C2937363

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25B256D（256M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2和I/O3。双I/O数据传输速度为208Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为416Mbit/s。

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型号：W25N512GVEIG 编号：C3024446

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：SST25VF080B-50-4C-PAE 编号：C640669

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25系列串行闪存产品家族采用四线SPI兼容接口，支持低引脚数封装，可减少电路板占用空间，最终降低系统总体成本。SST25VF080B器件在工作频率和功耗方面均有提升。SST25VF080B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造

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型号：MX35UF2G14AC-Z4I 编号：C5456955

封装：WSON-8(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

本文介绍了SPI-NAND设备的出现及其优势，重点讨论了主机侧ECC处理的动机和方法，并在Xilinx ZYNQ平台上展示了如何使用Linux内核v5.11及更高版本的通用ECC引擎框架评估SPI-NAND设备。

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型号：XT26Q02DWSIGA 编号：C7429716

封装：WSON-8

品牌：XTX(芯天下)

工业级 XT26Q02D是一款2G位（256兆字节）的SPI（串行外设接口）NAND闪存，具备先进的写保护机制。XT26Q02D支持标准串行外设接口（SPI）、双/四路I/O选项。

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型号：MX30LF4G28AD-TI 编号：C2894351

封装：TSOPI-48

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX30LF4G28AD是一款1Gb/2Gb/4Gb SLC NAND Flash存储器设备，支持标准NAND Flash特性，具有高可靠性和典型P/E周期60K（带主机ECC）。适用于嵌入式系统代码和数据存储。

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型号：S34ML02G100BHI003 编号：C2759941

封装：BGA-63

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

Spansion S34ML02G1系列是用于嵌入式的SLC NAND闪存，提供1Gb, 2Gb, 4Gb密度。支持1位ECC，8位和16位I/O接口，3V Vcc供电。每个平面包含1024个块，支持多平面编程和擦除。

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型号：S25FL256LAGBHV020 编号：C2949988

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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型号：S25FL256LAGBHI020 编号：C2947906

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

Flash非易失性存储产品采用浮栅技术和65nm工艺光刻。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（SIO），以及可选的双比特（DIO）和四比特宽的Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中编程最多256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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型号：SST39SF010A-55-4I-NHE 编号：C645929

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39SF010A/020A/040 是采用 SST 专有的高性能 CMOS 超闪存技术制造的 CMOS 多用途闪存（MPF）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39SF010A/020A/040 器件在 4.5 - 5.5V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：MX25L51245GXDI-08G 编号：C2803020

封装：CSPBGA-24(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：先进的扇区保护功能（实体保护和密码保护）。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。支持DTR（双倍传输速率）模式。支持高达166MHz的时钟频率。支持串行外设接口

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型号：MX25U51245GZ4I00 编号：C2802903

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

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型号：XT25Q512FSFIGA 编号：C42165006

封装：SOP-16-300mil

品牌：XTX(芯天下)

512Mb，1.8V,SOP16 300mil封装，支持1bit Corrected/every 8-Byte，支持 Program Strong，速度最高支持 133MHz，DTR 80MHz

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型号：S25FS128SAGNFI101 编号：C2954241

封装：WDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：密度：128 Mbits (16 MB)、256 Mbits (32 MB)。串行外设接口 (SPI)。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址：24 或 32 位地址选项。串行命令子集和封装尺寸与 S25FL-A、S25FL-K、S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列兼容。多 I/O 命令子集和封装尺寸与 S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列兼容。读取命令：普通、快速、双 I/O、四 I/O、DDR 四 I/O

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型号：S29GL064S70TFI030 编号：C2944625

封装：TFSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

S29GL - S 中密度系列器件是采用 65 纳米 MIRRORBIT™ 技术制造的 3.0V 单电源闪存。S29GL064S 是一款 64Mb 的器件，组织形式为 4,194,304 字或 8,388,608 字节。根据型号不同，这些器件仅配备 16 位宽的数据总线，或者配备一条 16 位宽的数据总线，该总线也可通过使用 BYTE# 输入作为 8 位宽的数据总线

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型号：S25FL256SAGBHIA13 编号：C2951892

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥19.1406 ￥41.61

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型号：IS25LP512M-RHLE-TR 编号：C2064518

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP512M和IS25WP512M串行闪存提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具备高灵活性和高性能。ISSI的“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O（参见引脚说明）

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