FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：AT25SF081B-MAHD-T 编号：C1883518

封装：UDFN-8-EP(2x3)

Adesto AT25SF081B是一款串行接口闪存设备，专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。AT25SF081B灵活的擦除架构也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备

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型号：MX25U1633FZUI 编号：C2922331

封装：USON-8(2x3)

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型号：AT25SF641B-MHB-T 编号：C5555635

封装：UDFN-8(5x6)

特性：单2.7V至3.6V电源电压。64Mbit闪存。兼容串行外设接口（SPI）。支持SPI模式0和3。支持单输入/输出操作（1,1,1）。支持双输入和双输出操作（1-1-2）、（1-2-2）、（0-2-2）

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型号：AT25FF161A-UUN-T 编号：C7455377

封装：WLCSP-8(1.7x1.8)

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型号：AT25FF161A-MAHN-T 编号：C1857753

封装：UDFN-8(2x3)

是一款串行接口闪存设备，适用于各种大批量消费和联网应用。针对低能耗应用进行了优化，可在1.65V-3.6V的宽输入电压范围内使用现代锂电池技术运行。非常适合将程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行的系统，以及在闪存中本地存储和更新少量数据的系统。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，支持4KB、32KB和64KB块擦除操作以及全芯片擦除。包含四个专用的128字节一次性可编程（OTP）安全寄存器，可用于存储唯一设备ID和锁定密钥。支持读、编程和擦除操作，编程和擦除无需单独的电压。

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型号：IS25LP064A-JKLE-TR 编号：C6062480

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量精简的封装中，提供了一种具备高灵活性和高性能的多功能存储解决方案。闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 功能

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型号：SST26VF020A-104I/SN 编号：C1015629

封装：SOIC-8

串行四通道I/O (SQI)系列闪存设备采用六线、4位I/O接口，可在低引脚数封装中实现低功耗、高性能运行。还支持与传统串行外设接口 (SPI) 协议的全命令集兼容。使用SQI闪存设备的系统设计占用更少的电路板空间，并最终降低系统成本。26系列SQI家族的所有成员均采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造

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型号：MX25L6406EMI-12G 编号：C2803026

封装：SOIC-16-300mil

特性：单电源操作。读、擦除和编程操作电压为 2.7 至 3.6 伏。支持串行外设接口。模式 0 和模式 3。67,108,864 x 1 位结构或 33,554,432 x 2 位（双输出模式）结构。2048 个相等的扇区，每个扇区 4K 字节

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型号：SST25VF040B-50-4C-SAF-T 编号：C624754

封装：SOIC-8

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型号：MX25L12835FZNI-10G 编号：C382734

封装：WSON-8-EP(5x6)

128Mb 串行闪存存储器，内部配置为 16,777,216×8。在双 I/O 或四 I/O 模式下，结构变为 67,108,864 位×2 或 33,554,432 位×4。在单 I/O 模式下，具有串行外设接口和软件协议，允许在简单的三线总线上操作。三条总线信号是时钟输入 (SCLK)、串行数据输入 (SI) 和串行数据输出 (SO)。通过 CS# 输入启用对设备的串行访问。

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型号：W25Q128JWPIM 编号：C7150041

封装：WSON-8(5x6)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：MX25L3233FZBI-08QTR 编号：C2803002

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型号：SST25PF040CT-40E/SN 编号：C624746

封装：SOIC-8

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型号：MX25L3233FM1I-08Q 编号：C7316568

封装：SOP-8

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型号：SST26VF040A-104I/MF 编号：C1015626

封装：WDFN-8-EP(5x6)

串行四路输入/输出（Serial Quad 1/O™，SQI™）系列闪存器件采用六线 4 位输入/输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF040A 还支持与传统串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）协议的全命令集兼容。采用 SQI 闪存器件的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：AT25XE011-SSHN-T 编号：C2061567

封装：SOIC-8

是一款高度优化的超低能耗串行接口闪存设备，适用于各种大批量低能耗消费和工业应用。该设备在设计上进行了优化，以满足当今物联网市场中互联应用的需求。其精细的页面擦除和块擦除架构可更有效地利用内存空间，支持数据存储和空中更新。关键程序代码子程序和数据存储段可单独存于各自的擦除区域，与大扇区和大块擦除闪存设备相比，可大大减少浪费和未使用的内存空间

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型号：MX25L12833FZ2I-10G 编号：C2802708

封装：WSON-8-EP(6x8)

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型号：MX25L1636EM2I-08G 编号：C2802965

封装：SOIC-8-208mil

特性：通用特性: -与串行外设接口兼容，支持模式0和模式3。 -具有16,777,216 x 1位、8,388,608 x 2位或4,194,304 x 4位结构。 -有512个相等的扇区，每个扇区4K字节，任何扇区可单独擦除。 -有32个相等的块，每个块64K字节，任何块可单独擦除。 -单电源操作，读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。 -从-1V到Vcc +1V的闩锁保护可达100mA

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型号：AT45DB161E-SSHF-T 编号：C2653515

封装：SOIC-8

AT45DB161E是一款最低工作电压为2.3V或2.5V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB161E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其17,301,504位的存储器组织为4096页，每页512字节或528字节

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型号：AT25XE041B-MAHN-T 编号：C5334510

封装：UDFN-8

是一款串行接口闪存存储设备，适用于各种大批量消费类应用，其中程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行。灵活的擦除架构，具有页面擦除粒度，也适用于数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求，可更有效地利用内存空间，减少浪费和未使用的内存空间。包含一个专用的一次性可编程 (OTP) 安全寄存器，可用于唯一设备序列化、系统级电子序列号 (ESN) 存储、锁定密钥存储等用途。支持在1.65V至3.6V的宽电源电压范围内进行读取、编程和擦除操作，编程和擦除无需单独的电压。

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型号：MX25U6435FM2I-10G 编号：C382733

封装：SOP-8-208mil

64Mb串行闪存存储器，内部配置为8,388,608×8。当处于双I/O或四I/O模式时...

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型号：SST26VF016B-80E/SN 编号：C1350018

封装：SOIC-8

Serial Quad I/O (SQI) 系列闪存设备具有六线、4 位 I/O 接口，可在低引脚数封装中实现低功耗、高性能操作。同时支持与传统串行外设接口 (SPI) 协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用更少的电路板空间，最终降低系统成本。 26 系列 SQI 家族的所有成员均采用专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造

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型号：IS25LP128F-JBLA3-TR 编号：C6969441

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：AT25SL128A-UUE-T 编号：C20788390

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型号：IS25LP128F-JKLE-TR 编号：C6062482

封装：WSON-8(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：MX25L25635FMI-10GTR 编号：C2802972

封装：SOP-16-300mil