FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：25Q64-TD 编号：C47108717

封装：SOP-8-208mil

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

64M 位，即 8M 字节（8,388,608 字节），由 32,768 个编程页组成，每个编程页 256 字节。

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￥2.67
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￥2.14
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型号：MX25V1006FZUI 编号：C2913639

封装：USON-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX25V1006F是一款CMOS 1,048,576位串行NOR闪存，其内部配置为131,072×8。MX25V1006F具有串行外设接口和软件协议，可在简单的三线总线上运行。三条总线信号分别为时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）

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￥2.73
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￥2.19
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￥1.96

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型号：MX25V40066M1I02 编号：C2908102

封装：SOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX25V40066是一款4Mb的串行NOR闪存，其内部配置为1,048,576 x 4。MX25V40066具备串行外设接口和软件协议，在单I/O模式下，可在简单的三线总线上运行。三条总线信号分别为时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）

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￥2.74
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型号：MX25R4035FZUIL0TR 编号：C2802838

封装：USON-8(2x3)

品牌：MXIC(旺宏电子)

4Mb位串行NOR闪存，内部配置为524,288 x 8。在四I/O模式下，结构变为1048,576位x 4或2,097,152位x 2。具有串行外设接口和软件协议，允许在简单的三线总线上运行。

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￥2.8
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型号：AT25SF321B-SSHB-T 编号：C2061349

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

串行接口闪存存储设备，适用于各种高容量消费类应用，其中程序代码从闪存存储到嵌入式或外部RAM中执行。灵活的擦除架构也适用于数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，能更有效地利用存储空间，减少大块擦除闪存存储设备中出现的浪费和未使用的存储空间。该设备还包含三个安全寄存器页面，用于唯一设备序列化、系统级电子序列号 (ESN) 存储、锁定密钥存储等，这些页面可以单独锁定。

数据手册

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￥2.94
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型号：MX25V1635FM2I 编号：C2802925

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：读、擦除和编程操作电压为2.3V-3.6V。支持唯一ID和安全OTP。支持多I/O。支持单I/O、双I/O和四I/O。支持编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复。支持串行外设接口模式0和模式3。具有16,777,216 x 1位结构或8,388,608 x 2位（双I/O模式）结构或4,194,304 x 4位（四I/O模式）结构。每个扇区为4K字节，每个块为32K字节或64K字节，任何块都可单独擦除。单电源供电，读、擦除和编程操作电压为2.3V-3.6V。从-1V到Vcc +1V的闩锁保护电流为100mA

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￥3.22
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￥2.51
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型号：MX25V16066M1I02 编号：C2913629

封装：SOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX25V16066是一款16Mb的串行NOR闪存，其内部配置为2,097,152 x 8。MX25V16066具备串行外设接口和软件协议，在单I/O模式下可在简单的三线总线上运行。三条总线信号分别为时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）

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￥3.31
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型号：MX25V8035FM2I 编号：C2803051

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX25V8035F是一款8Mb的串行NOR闪存。

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型号：MX25L6436FM2I-08Q 编号：C2830754

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。 67,108,864 x 1位结构或33,554,432 x 2位（双I/O读取模式）结构或16,777,216 x 4位（四I/O模式）结构。 2048个相等的扇区，每个扇区4K字节。任何扇区都可以单独擦除。 256个相等的块，每个块32K字节

数据手册

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型号：MX25U1633FZUI 编号：C2922331

封装：USON-8(2x3)

品牌：MXIC(旺宏电子)

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￥3.9235 ￥6.65
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￥3.835 ￥6.5
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￥3.776 ￥6.4
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型号：W25Q20EWUXIE 编号：C22451803

封装：USON-8(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

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￥4.14
200+
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型号：MX25V1635FM1I 编号：C2802923

封装：SOIC-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：读、擦除和编程操作电压为2.3V-3.6V。支持唯一ID和安全OTP。支持多I/O。支持单I/O、双I/O和四I/O。支持编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复。支持串行外设接口模式0和模式3。具有16,777,216 x 1位结构或8,388,608 x 2位（双I/O模式）结构或4,194,304 x 4位（四I/O模式）结构。每个扇区为4K字节，每个块为32K字节或64K字节，任何块都可单独擦除。单电源供电，读、擦除和编程操作电压为2.3V-3.6V。从-1V到Vcc +1V的闩锁保护电流为100mA

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型号：XT25Q64FSOIGU 编号：C42162954

封装：SOP-8-150mil

品牌：XTX(芯天下)

64Mbit 1.8V SPI NOR Quad I/O

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型号：MX25V1635FM1ITR 编号：C2802924

封装：SOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：2.3V-3.6V用于读取、擦除和编程操作。支持唯一ID和安全一次性可编程（OTP）。支持多I/O。支持单I/O、双I/O和四I/O。支持编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复。支持串行外设接口。模式0和模式3。 16,777,216 x 1位结构或8,388,608 x 2位（双I/O模式）结构或4,194,304 x 4位（四I/O模式）结构。每个扇区为4K字节，每个块为32K字节或每个块为64K字节

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￥4.78
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型号：IS25LP016D-JBLA3 编号：C1236814

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式，提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式

数据手册

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￥4.857 ￥16.19
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￥4.14 ￥13.8
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￥3.69 ￥12.3
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￥3.231 ￥10.77
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￥3.024 ￥10.08
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￥2.934 ￥9.78

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型号：IS25WP080D-JULA3-TR 编号：C5656651

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥5.72
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￥4.64
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￥4.1

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型号：MX25L8006EZUI-12G 编号：C2802807

封装：USON-8-EP(4x4)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：保持功能。低功耗。单电源操作。读写和编程操作电压为2.7至3.6伏。支持串行外设接口模式0和模式3。 8,388,608 x 1位结构或4,194,304 x 2位（双输出模式）结构

数据手册

1+
￥6.14
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￥4.95
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￥4.35
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￥3.76
490+
￥3.41
980+
￥3.23

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型号：SST25VF010A-33-4C-SAE 编号：C10025

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST的串行闪存系列采用四线SPI兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的电路板空间，并最终降低系统总成本。SST25VF010A SPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性

数据手册

1+
￥8.64
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￥7.12
30+
￥6.28

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型号：W25Q80RVSSJQ 编号：C36567890

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

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￥8.93
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￥7.43
30+
￥6.6

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型号：SST25VF512A-33-4I-SAE 编号：C481386

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST的串行闪存系列采用四线SPI兼容接口，该接口所需引脚数量少，占用的电路板空间小，最终可降低系统总成本。SST25VF512A SPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化层隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性

数据手册

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￥10.06
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￥8.39
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￥7.47

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型号：AT25XE161D-SSHN-B 编号：C29327376

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：电压范围：1.65V。与串行外设接口（SPI）兼容。支持SPI模式0和3。支持双输出操作（1-1-2）。支持四输出操作（1-1-4）。支持四I/O/XiP操作（1-4-4和0-4-4）

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￥10.85
10+
￥9.07
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￥8.09

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型号：HYF2GQ4UTACAE 编号：C7426874

封装：LGA8

品牌：HeYangTek(扬贺扬)

该器件是一种基于标准并行NAND Flash的SLC NAND Flash存储器，支持标准双线和四线SPI接口。每个块包含64个可编程页，每页由2048字节的数据存储区和128字节的备用区组成。提供2Gb的存储容量，适用于嵌入式系统的高密度非易失性存储解决方案。

1+
￥11.352 ￥14.19
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￥9.52 ￥11.9
30+
￥8.376 ￥10.47
100+
￥7.208 ￥9.01
480+
￥6.672 ￥8.34
960+
￥6.448 ￥8.06

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型号：AT25SF641B-SHB-T 编号：C1852089

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT25SF641B 是一款串行接口闪存器件，专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存映射到嵌入式或外部 RAM 中执行。AT25SF641B 灵活的擦除架构也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备

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1+
￥11.73
10+
￥11.45
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￥11.27

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型号：S29AL008J70BFI020 编号：C511129

封装：FBGA-24(6x8)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

8 Mbit、3.0 Volt-only Flash 内存，组织为 1,048,576 字节或 524,288 字。提供 48-球细间距 BGA（0.8 mm 间距）和 48-引脚 TSOP 封装。字宽数据 (x16) 出现在 DQ15-DQ0；字节宽 (x8) 数据出现在 DQ7-DQ0。该设备设计为使用标准系统 3.0 伏 VCC 电源进行系统内编程。写入或擦除操作不需要 12.0 V VPP 或 5.0 VCC。该设备也可以在标准 EPROM 编程器中进行编程

数据手册

1+
￥12.11
10+
￥11.83
30+
￥11.64

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型号：S25FS128SAGMFI101 编号：C466873

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：密度：128 Mbits (16 MB)或256 Mbits (32 MB)。串行外设接口 (SPI)。 SPI时钟极性和相位模式0和3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址：24位或32位地址选项。串行命令子集和引脚布局与S25FL-A、S25FL-K、S25FL-P和S25FL-S SPI系列兼容。多I/O命令子集和引脚布局与S25FL-P和S25FL-S SPI系列兼容。读取: -命令：普通、快速、双I/O、四I/O、DDR四I/O

数据手册

1+
￥12.3
10+
￥12.02
30+
￥11.82

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型号：S25FL064LABBHI030 编号：C2944866

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L 系列器件是采用以下技术的闪存非易失性存储产品：• 浮栅技术 • 65 纳米制程光刻技术

1+
￥13.728 ￥17.16
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￥10.241 ￥14.63
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￥7.824 ￥13.04
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￥6.852 ￥11.42
500+
￥6.414 ￥10.69
1000+
￥6.222 ￥10.37

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型号：MX25L25673GZ4I-08G 编号：C2908108

封装：QFN-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作，2.7至3.6V用于读取、擦除和编程操作。268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O。从 -1V到Vcc +1V的闩锁保护至100mA

1+
￥14.24
10+
￥12.19
30+
￥10.91

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型号：AT25XE011-SSHN-T 编号：C2061567

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高度优化的超低能耗串行接口闪存设备，适用于各种大批量低能耗消费和工业应用。该设备在设计上进行了优化，以满足当今物联网市场中互联应用的需求。其精细的页面擦除和块擦除架构可更有效地利用内存空间，支持数据存储和空中更新。关键程序代码子程序和数据存储段可单独存于各自的擦除区域，与大扇区和大块擦除闪存设备相比，可大大减少浪费和未使用的内存空间

数据手册

1+
￥14.56
10+
￥12.35
30+
￥10.96
100+
￥9.54

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型号：ZDSD512MLGIAG 编号：C22370395

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，工业级（ -40℃ to+85℃），标准SD2.0协议，512Mbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

1+
￥14.6
10+
￥13.41
30+
￥12.66
100+
￥11.43
480+
￥11.09
960+
￥10.94

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型号：GD5F1GQ5REWIGR 编号：C26248805

封装：WSON8(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

SPI (Serial Peripheral Interface) NAND Flash provides an ultra-cost effective while high density non-volatile memory storage solution for embedded systems, based on an industry-standard NAND Flash memory core. It is an attractive alternative to SPI-NOR and standard parallel NAND Flash, with advanced features. Total pin count is 8, including VCC and GND. Density is 1Gb. Superior write performance and cost per bit over SPI-NOR. Significant low cost than parallel NAND. This low-pin-count NAND Flash memory follows the industry-standard serial peripheral interface, and always remains the same pin out from one density to another. The command sets resemble common SPI-NOR command sets, modified to handle NAND specific functions and added new features. It is an easy-to-integrate NAND Flash memory, with specified designed features to ease host management:。User-selectable internal ECC. ECC parity is generated internally during a page program operation. When a page is read to the cache register, the ECC parity is detected and corrects the errors when necessary. The 64-bytes spare area is available even when internal ECC enabled. The device outputs corrected data and returns an ECC error status.。Internal data move or copy back with internal ECC. The device can be easily refreshed and manage garbage collection task, without need of shift in and out of data.。Power on Read with internal ECC. The device will automatically read first page of first block to cache after power on, then host can directly read data from cache for easy boot. Also the data is promised correct by internal ECC when ECC enabled. It is programmed and read in page-based operations, and erased in block-based operations. Data is transferred to or from the NAND Flash memory array, page by page, to a data register and a cache register. The cache register is closest to I/O control circuits and acts as a data buffer for the I/O data; the data register is closest to the memory array and acts as a data buffer for the NAND Flash memory array operation. The cache register functions as the buffer memory to enable page and random data READ/WRITE and copy back operations. These devices also use a SPI status register that reports the status of device operation.

1+
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