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首页 > 热门关键词 > FLASH存储器芯片
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的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒,随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器,一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程,与标准编程算法相比,有效编程时间更短
  • 1+

    ¥52.6044 ¥89.16
  • 10+

    ¥41.7186 ¥85.14
  • 30+

    ¥30.4941 ¥78.19
  • 100+

    ¥28.1268 ¥72.12
  • 有货
  • IS29GL256/128 提供 20ns 的快速页面访问时间,相应的随机访问时间最快可达 70ns。它具备一个写缓冲区,允许在一次操作中对最多 32 字/64 字节进行编程,与标准编程算法相比,有效编程时间更短。这使得该器件非常适合当今需要更高密度、更优性能和更低功耗的嵌入式应用
    • 1+

      ¥59.13
    • 10+

      ¥51.63
    • 30+

      ¥47.06
  • 有货
  • 特性:SPI兼容串行总线接口。 单和双传输速率(STR/DTR)。 时钟频率:STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。 双/四I/O命令,吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议:扩展I/O协议
    数据手册
    • 1+

      ¥63.94
    • 10+

      ¥56.49
    • 30+

      ¥51.94
  • 有货
  • 特性:CMOS 3.0 V Core。 串行外设接口 (SPI) 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。 双倍数据速率 (DDR) 选项。 扩展寻址:32 位地址。 串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容
    • 1+

      ¥89.4861 ¥129.69
    • 10+

      ¥74.1866 ¥125.74
    • 12+

      ¥61.6126 ¥125.74
  • 有货
    • 1+

      ¥94.06
    • 10+

      ¥89.64
    • 30+

      ¥81.98
  • 有货
  • PN27G04A是一款4Gb并行SLC NAND闪存,支持8位ECC,适用于高密度非易失性存储应用,如固态文件存储、语音录音、图像文件存储等。工作电压为2.7V至3.6V,页大小为4096字节,块大小为256K字节,工作温度范围为-40℃至85℃。
    • 1+

      ¥122.28
    • 30+

      ¥118.17
  • 有货
  • XT26G04D是一款4G-bit (512M-byte)的SPI NAND Flash存储器,支持标准SPI、双线和四线I/O操作。该存储器具有高级写保护机制,支持单级单元(SLC)技术,具备高性能和高可靠性。它的工作电压为2.7V至3.6V,支持108MHz的高速读取速度,数据保留时间为10年。
    • 1+

      ¥124.33
    • 30+

      ¥118.17
  • 有货
    • 1+

      ¥128.24
    • 10+

      ¥118.04
    • 30+

      ¥108.65
  • 有货
  • 2Gb 位串行 NOR 闪存,内部配置为 268,435,456 x 8。当处于双或四 I/O 模式时...(原文本未完整,此处按已有内容输出)
    • 1+

      ¥157.17
    • 30+

      ¥150.24
  • 有货
  • 是4M位串行外设接口(SPI)闪存,支持双SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)。双输出数据以108Mbit/s的速度传输。使用单一低压电源,范围从2.7V到3.6V。此外,支持JEDEC标准制造商和设备ID。
    • 5+

      ¥1.2339
    • 50+

      ¥0.9833
    • 150+

      ¥0.8759
  • 有货
  • HG25Q32M/TR升级替代料,建议试样
    • 5+

      ¥2.2257
    • 50+

      ¥1.7469
    • 150+

      ¥1.5417
    • 500+

      ¥1.3427
    • 2500+

      ¥1.2287
    • 5000+

      ¥1.1602
  • 订货
  • BY25D16是一款16M位串行外设接口(SPI)闪存,支持双SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)。双输出数据传输速度为108Mbit/s。该器件采用2.7 V至3.6 V的单低压电源供电
    数据手册
    • 5+

      ¥2.4781
    • 50+

      ¥1.9752
    • 190+

      ¥1.7596
  • 有货
  • 特性:支持串行外设接口。 模式0和模式3。 2,097,152 x 1位结构或1,048,576 x 2位(双I/O模式)结构或524,288 x 4位(四I/O模式)结构。 每个扇区为4K字节,或每个块为32K/64K字节。 任何块都可以单独擦除。 单电源操作。 读、擦除和编程操作的工作电压为2.3V-3.6V。 从 -1V到Vcc +1V的闩锁保护至100mA。 高性能。 快速读取。 1 I/O:108MHz,8个空周期。 2 I/O:104MHz,4个空周期,相当于208M
    • 1+

      ¥2.82
    • 10+

      ¥2.78
    • 30+

      ¥2.75
  • 有货
  • AT25SF041B是一款串行接口闪存设备,专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中,程序代码会从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。AT25SF041B灵活的擦除架构也非常适合数据存储,无需额外的数据存储设备
    数据手册
    • 1+

      ¥2.85
    • 10+

      ¥2.78
    • 30+

      ¥2.73
  • 有货
  • BY25Q32ES是一款32M位串行外设接口(SPI)闪存,支持双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(/WP)和I/O3(/HOLD)。双I/O数据传输速度为216Mbit/s,四I/O和四输出数据传输速度为432Mbit/s。该器件采用单一低压电源供电,电压范围为2.7V至3.6V
    • 1+

      ¥3.6
    • 10+

      ¥2.87
    • 30+

      ¥2.56
    • 100+

      ¥2.17
  • 有货
  • 是1.65V最小串行接口顺序访问闪存,非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。还支持RapidS串行接口,适用于需要非常高速操作的应用。2,162,688位内存组织为1,024页,每页256字节(默认)或264字节(客户可选)。除主存外,还包含一个256/264字节的SRAM缓冲区
    数据手册
    • 1+

      ¥4.31
    • 10+

      ¥3.5
    • 30+

      ¥3.09
  • 有货
  • 是 64M 位串行外设接口 (SPI) 闪存,支持双/四 SPI:串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (/WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 100Mbits/s,四 I/O 和四输出数据传输速度为 200Mbits/s。该器件使用单一低电压电源,范围为 2.7V 至 3.6V。此外,该器件支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节安全寄存器。
    • 1+

      ¥4.48
    • 10+

      ¥3.66
    • 30+

      ¥3.25
  • 有货
  • MX25V8035F是一款8Mb的串行NOR闪存。
    • 1+

      ¥4.68
    • 10+

      ¥3.98
    • 30+

      ¥3.63
  • 有货
  • 特性:支持串行外设接口-模式0和模式3。 具有524,288 x 1位结构或262,144 x 2位(双输出模式)结构。 有16个相等的扇区,每个扇区4K字节。 任何扇区都可以单独擦除。 单电源操作。 读取、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏
    • 1+

      ¥5.08
    • 10+

      ¥5.01
    • 30+

      ¥4.96
  • 有货
  • 特性:支持串行外设接口。 支持模式0和模式3。 8,388,608 x 1位结构或4,194,304 x 2位(双I/O模式)结构。 每个扇区为4K字节,或每个块为32K/64K字节。 任何块都可以单独擦除。 单电源供电
    数据手册
    • 1+

      ¥5.12
    • 10+

      ¥5.05
    • 30+

      ¥5
  • 有货
  • 提供了一种用于代码存储、事件记录和数据记录应用的更节能的解决方案,能在不牺牲性能的前提下,帮助电路设计人员延长电池供电设备的电池寿命。
    • 1+

      ¥5.56
    • 10+

      ¥4.52
    • 30+

      ¥4
  • 有货
    • 1+

      ¥5.72
    • 10+

      ¥4.64
    • 30+

      ¥4.1
  • 有货
    • 1+

      ¥5.86
    • 10+

      ¥4.82
    • 30+

      ¥4.29
  • 有货
  • 16Mb 串行 NOR 闪存,内部配置为 2,097,152 x 8。在四 I/O 模式下,结构变为 4,194,304 位 x 4 或 8,388,608 位 x 2。在单 I/O 模式下,具有串行外设接口和软件协议,允许在简单的三线总线上运行,三个总线信号为时钟输入 (SCLK)、串行数据输入 (SI)。
    • 1+

      ¥6.03
    • 10+

      ¥4.93
    • 30+

      ¥4.37
  • 有货
    • 1+

      ¥6.46
    • 10+

      ¥6.32
    • 30+

      ¥6.23
  • 有货
  • 特性:电压范围:1.65 V-3.6 V。8-Mbit闪存,兼容串行外设接口 (SPI)。支持SPI模式0和3。支持单输入/输出操作 (1,1,1)。支持双输入和双输出操作 (1,1,2)、(1,2,2)、(0,2,2)。支持四输入和四输出操作 (1,1,4)、(1,4,4)、(0,4,4)
    • 1+

      ¥6.62
    • 10+

      ¥5.52
    • 30+

      ¥4.91
  • 有货
  • 4Mb 串行 NOR 闪存,内部配置为 524,288 x 8。在四 I/O 模式下,结构变为 1048,576 位 x 4 或 2,097,152 位 x 2。具有串行外设接口和软件功能。
    • 1+

      ¥7.05
    • 10+

      ¥5.75
    • 30+

      ¥5.11
  • 有货
  • 串行接口闪存存储设备,适用于各种高容量消费类应用,其中程序代码从闪存存储到嵌入式或外部RAM中执行。灵活的擦除架构,页面擦除粒度使其也适用于数据存储,无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化,可满足当今代码和数据存储应用的需求,提高内存空间使用效率。包含专用的一次性可编程 (OTP) 安全寄存器,可用于设备序列化、系统级电子序列号 (ESN) 存储、锁定密钥存储等。支持在1.65V至3.6V的宽电源电压范围内进行读取、编程和擦除操作,编程和擦除无需单独的电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.96
    • 10+

      ¥7.78
    • 30+

      ¥7.66
  • 有货
  • IS25LP032D 和 IS25WP032D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案,它采用引脚数量精简的封装,具备高度的灵活性和出色的性能。该产品适用于对空间、引脚数量和功耗要求严苛的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成,也可配置为多 I/O 模式
    • 1+

      ¥8.44
    • 10+

      ¥7.04
    • 30+

      ¥6.27
    • 100+

      ¥5.4
  • 有货
  • 16-Mbit(2M x 8bit),SPI接口,工作电压:2.5V to 3.6V
    数据手册
    • 50+

      ¥9.338176
    • 200+

      ¥7.662094
    • 500+

      ¥6.257376
    • 1000+

      ¥5.363465
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