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SST39VF160x和SST39VF320x器件分别为1M x16和2M x16的CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件，采用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x/320x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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￥35.8956 ￥60.84
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￥22.2261 ￥56.99
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￥21.957 ￥56.3

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型号：S29GL128S10TFIV20 编号：C914941

封装：TSOP-56-18.5mm

采用65纳米制程技术制造。这些设备提供了快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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型号：SST26VF064BEUI-104I/MF 编号：C637032

封装：WSON-8-EP(5x6)

串行四路输入/输出（Serial Quad I/O™，SQI™）系列闪存设备采用六线 4 位输入/输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064BEUI 还支持与传统串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）协议的全命令集兼容。采用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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￥39.3357 ￥69.01
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￥28.0896 ￥49.28

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型号：SST39VF1601-70-4I-EKE-T 编号：C21923

封装：TSOPI-48

SST39VF160x和SST39VF320x器件分别为1M x16和2M x16的CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件，采用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x/320x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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￥24.176 ￥30.22

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型号：S25FL512SAGMFIG10 编号：C117911

封装：SOIC-16-300mil

3.3V 512Mbit

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型号：S29GL064S80TFIV20 编号：C2948614

封装：TFSOP-56

品牌：Infineon(英飞凌)

3.0-V单电源闪存存储器，采用65-nm MRRORBIT™技术制造。有4,194,304字或8,388,608字节的容量。根据型号，设备只有16位宽的数据总线，或者可以通过BYTE#输入作为8位宽的数据总线。可在主机系统或标准EPROM编程器中进行编程。访问时间最快可达70 ns，每个访问时间都有特定的工作电压范围(VCC)。封装包括48引脚TSOP、56引脚TSOP、48球细间距BGA和64球加固BGA

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￥45.22
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型号：S29GL256P11TFIV20 编号：C2944802

封装：TFSOP-56-18.4mm

的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒，随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器，一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短

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型号：S29GL512T10TFI020 编号：C22408477

封装：TSOP-56

品牌：Infineon(英飞凌)

S29GL01GT/512T 是采用 45 纳米制程技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达 15 纳秒，相应的随机访问时间最快可达 100 纳秒。它们具备一个写缓冲区，允许在一次操作中最多对 256 字/512 字节进行编程，与标准编程算法相比，可有效缩短编程时间

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型号：SST38VF6401-90-5C-EKE 编号：C637366

封装：TFSOP-48-18.4mm

4M x16 CMOS高级多功能闪存增强型（Advanced MPF+）器件采用专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更好的可靠性和可制造性。这些器件在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作，并且引脚分配符合JEDEC标准的x16存储器规范

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￥58.2633 ￥71.93
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型号：SST38VF6401-90-5I-EKE 编号：C637367

封装：TFSOP-48-18.4mm

4M x16 CMOS高级多功能闪存增强型（Advanced MPF+）器件采用专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更好的可靠性和可制造性。这些器件在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作，并且引脚分配符合JEDEC标准的x16存储器规范

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￥59.7373 ￥97.93
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￥47.6952 ￥93.52
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￥32.4802 ￥79.22

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型号：GD5F2GQ5UEYIGR 编号：C2880463

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存存储核心，为嵌入式系统提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。凭借其先进特性，它是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的理想替代方案。引脚总数为8个，包括VCC和GND

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型号：S25FS512SAGMFI011 编号：C2909900

封装：SOIC-16-300mil

特性：串行外设接口 (SPI)，具备多 I/O SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址：+24 或 32 位地址选项。串行命令子集和引脚兼容 S25FL-A、S25FL-K、S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列。多 I/O 命令子集和引脚兼容 S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列。命令：普通、快速、双 I/O、四 I/O、DDR 四 I/O

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型号：S25FL512SAGMFAR10 编号：C2944639

封装：SOIC-16

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有多功能 I/O-SPI 与多 I/O 密度。 512 Mb (64 MB) SPI。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。 DDR 选项。扩展寻址：32 位地址。串行命令集和封装与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：SST38VF6403-90-5I-EKE 编号：C637373

封装：TSOPI-48

4M x16 CMOS高级多功能闪存增强型（Advanced MPF+）器件采用专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更好的可靠性和可制造性。这些器件在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作，并且引脚分配符合JEDEC标准的x16存储器规范

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型号：ZDSD08GLGIAG 编号：C19727140

封装：LGA-8(6.2x8)

品牌：Zetta(澜智)

pSLC，工业级（ -40℃ to+85℃），标准SD2.0协议，8Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第三代产品,SD NAND(SDNAND)

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型号：IS29GL128-70DLET 编号：C6577449

封装：LFBGA-64(9x9)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥81.59
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型号：S70GL02GS11FHI010 编号：C117896

封装：BGA-64

3.3V 2Gbit

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型号：BY25Q40GWUIG(R) 编号：C50176336

封装：USON-8(2x3)

4M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，设计用于各种大量基于消费的应用，其中程序代码从闪存映射到嵌入式或外部 RAM 中执行。该设备灵活的擦除架构及其页面擦除粒度也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备。该设备的擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小，可以更有效地利用内存空间

5+
￥0.3582
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￥0.3502
150+
￥0.3448

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型号：BY25Q80ESTIG(R) 编号：C50176329

封装：SOP-8-150mil

8M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该器件使用单一低电压电源，范围为 2.7V 至 3.6V。此外，该器件支持 JEDEC 标准制造商和器件 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。

5+
￥0.3966
50+
￥0.3877
150+
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型号：P25Q21H-SSH-IT 编号：C414061

封装：SOP-8

品牌：PUYA(普冉)

P25Q21H/11H/06H 是一款串行接口闪存存储器件，专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存复制到嵌入式或外部 RAM 中执行。该器件具有灵活的擦除架构，其页擦除粒度使其也非常适合用于数据存储，无需额外的数据存储设备

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50+
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￥0.86904
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￥0.79662

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型号：P25D21H-SSH-IT 编号：C559176

封装：SOP-8

品牌：PUYA(普冉)

5+
￥0.6427
50+
￥0.5035
200+
￥0.4339
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￥0.3399
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型号：BY25Q16ESOIG(R) 编号：C50176334

封装：TSSOP-8-173mil

16M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持标准串行外设接口 (SPI)、双/四 I/O SPI 以及 2 时钟指令周期四外设接口 (QPI)：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (DI)、I/O1 (DO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。支持高达 108MHz 的 SPI 时钟频率，使用快速读取双/四和 QPI 指令时，双 I/O 等效时钟速率可达 216MHz (108MHz x 2)，四 I/O 可达 432MHz (108MHz x 4)。这些传输速率可优于标准异步 8 位和 16 位并行闪存。连续读取模式允许以低至 8 个时钟的指令开销高效访问内存以读取 24 位地址

5+
￥0.6652
50+
￥0.6503
150+
￥0.6403

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型号：P25Q21H-TSH-IR 编号：C559179

封装：TSSOP-8

品牌：PUYA(普冉)

是串行接口闪存设备，适用于各种大批量消费类应用，其中程序代码从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。灵活的擦除架构，页面擦除粒度使其也适用于数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，可更有效地利用内存空间，减少大扇区和大块擦除闪存设备的内存浪费。包含3×512字节的安全寄存器，带OTP锁，可用于设备序列化、系统级电子序列号存储、锁定密钥存储等。支持在2.3V至3.6V的宽电源电压范围内进行读取、编程和擦除操作，编程和擦除无需单独的电压。

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2+
￥0.7827
20+
￥0.6147
60+
￥0.5307
200+
￥0.4677
1000+
￥0.4173
1600+
￥0.392

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型号：BY25Q64ESCIG(R) 编号：C50176394

封装：LGA-8(2x3)

是 64M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (/WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 100Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 200Mbits/s。该器件使用单一低电压电源，范围为 2.7V 至 3.6V。此外，该器件支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节安全寄存器。

5+
￥1.049
50+
￥1.0254
150+
￥1.0096
500+
￥0.9939

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型号：BY25Q64ESHIG(R) 编号：C50176338

封装：DFN-8(3x4)

是 64M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (/WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 100Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 200Mbits/s。该器件使用单一低电压电源，范围为 2.7V 至 3.6V。此外，该器件支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节安全寄存器。

5+
￥1.1513
50+
￥1.1254
150+
￥1.1081

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型号：BY25Q32ESTIG 编号：C22391875

封装：SOP-8

BY25Q32ES是一款32M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（/WP）和I/O3（/HOLD）。双I/O数据传输速度为216Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为432Mbit/s。该器件采用单一低压电源供电，电压范围为2.7V至3.6V

5+
￥1.2906
50+
￥1.0134
200+
￥0.8946

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型号：FM25Q04B-US-T-G 编号：C2928935

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：FM(复旦微)

FM25Q04B是一款4M位（512K字节）的串行闪存，具备先进的写保护机制。FM25Q04B支持标准串行外设接口（SPI）、双/四路I/O以及双时钟指令周期的四路外设接口（QPI）。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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5+
￥1.3977
50+
￥1.0888
150+
￥0.9564
500+
￥0.7912
3000+
￥0.7176
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￥0.6735

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型号：XT25Q08DSOIGU 编号：C2759955

封装：SOP-8

品牌：XTX(芯天下)

XT25Q08D（8M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）、双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#/RESET#）。双I/O数据传输速度高达216Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度高达432Mbit/s。

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￥1.6148
10+
￥1.2869
40+
￥1.0583

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型号：BY25Q32CSSIG(T) 编号：C50172600

封装：SOP-8-208mil