FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：W25Q128JVFIQ 编号：C111478

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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￥9.63 / 个

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型号：S25FL064LABMFA013 编号：C2952924

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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型号：SST25VF020B-80-4I-SAE 编号：C21719

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25系列串行闪存产品线采用了四线SPI兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。SST25VF020B器件在工作频率上有所提升，功耗更低。SST25VF020B SPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造

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型号：SST26VF016B-104I/SN 编号：C631790

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四线I/O（SQI）系列闪存设备采用六线、4位I/O接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF016B还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。采用SQI闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：IS25LP128-JKLE 编号：C3001859

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP128 串行闪存为系统提供了一种灵活的存储解决方案，在简化引脚封装的情况下仍具备高灵活性和高性能。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式

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型号：AT45DB021E-SSHN-B 编号：C1348792

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

该产品是一款最低1.65V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。它还支持RapidS串行接口，适用于需要非常高速操作的应用。其2,162,688位内存组织为1,024页，每页256字节或264字节。除主存储器外，还包含一个256/264字节的SRAM缓冲区

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型号：IS25LP128-JKLE-TR 编号：C2062901

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP128 串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中提供了一种灵活且高性能的多功能存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和片选使能 (CE#) 引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 功能

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型号：TC58NVG1S3HTAI0 编号：C5273027

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58NVG1S3HTAI0 是一款3.3V 2Gbit (2,281,701,376 bits) 的NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM)，组织结构为 (2048 + 128) 字节 × 64 页 × 2048 块。设备具有两个2176字节的静态寄存器，允许程序和读取数据在单元之间传输。

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型号：MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G 编号：C5813054

封装：VFBGA-63(9x11)

品牌：micron(镁光)

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型号：AT25XE321D-UUN-T 编号：C1852767

封装：WLCSP-12(1.8x2.4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款串行接口闪存存储设备，适用于各种大批量消费和互联应用。针对低能耗应用进行了优化，可在1.65V-3.6V的宽输入电压范围内使用现代锂电池技术运行。非常适合将程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行，并在闪存中本地存储和更新少量数据的系统。擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求，支持256字节页擦除、4KB、32KB和64KB块擦除操作以及全芯片擦除

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型号：BY25Q256FSSIG(R) 编号：C50176331

封装：SOP-8-208mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

特性：串行外围接口: -标准串行接口：SCLK, ICS, SI, SO, /WP, /HOLD。双线串行接口：SCLK, ICS, IO0, IO1, /WP, /HOLD。四线串行接口：SCLK, ICS, IO0, IO1, IO2, IO3。纯四线模式（QPI）：SCLK, ICS, IO0, IO1, IO2, IO3。支持双倍传输速率（DTR）读取。支持3或4字节寻址模式

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型号：MX25L25673GZ4I-08G 编号：C2908108

封装：QFN-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作，2.7至3.6V用于读取、擦除和编程操作。268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O。从 -1V到Vcc +1V的闩锁保护至100mA

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型号：IS34ML01G081-BLI 编号：C1348840

封装：VFBGA-63(9x11)

品牌：ISSI(美国芯成)

1Gb x8 3.3V NAND FLASH MEMORY with 1b ECC，具有高效读写模式、命令/地址/数据复用I/O、灵活的内存架构和高级安全保护功能。

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型号：S25FL127SABMFI103 编号：C511143

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：MX25L6406EM2I-12G 编号：C2803025

封装：SOP-8-200mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6V。支持串行外设接口。模式0和模式3。67,108,864 x 1位结构或33,554,432 x 2位（双输出模式）结构。2048个相等的扇区，每个扇区4K字节

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型号：S25FL256LAGBHV020 编号：C2949988

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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￥26.35 ￥52.7
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型号：S25FL256LAGBHI020 编号：C2947906

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

Flash非易失性存储产品采用浮栅技术和65nm工艺光刻。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（SIO），以及可选的双比特（DIO）和四比特宽的Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中编程最多256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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￥26.58 ￥53.16
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型号：SST26VF016BEUI-104I/SN 编号：C631791

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四路输入/输出（SQI）系列闪存设备采用六线 4 位输入/输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF016BEUI 还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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￥27.75
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￥23.54
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型号：SST39LF010-55-4C-NHE 编号：C645925

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39LF010、SST39LF020、SST39LF040 以及 SST39VF010、SST39VF020、SST39VF040 是采用专有高性能 CMOS SuperFlash 技术制造的 128K x8、256K x8 和 512K x8 CMOS 多功能闪存（MPF）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39LF010/020/040 器件在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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￥32.41
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￥24.96

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型号：S29GL512S11TFI020 编号：C2947443

封装：TFSOP-56

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用65 nm工艺技术制造。这些设备提供快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，从而比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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1+
￥32.52
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￥31.81
30+
￥29.87

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型号：S29GL256S10TFIV10 编号：C1019097

封装：TSOP-56-14.0mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用65纳米制程技术制造。这些设备提供了快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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1+
￥33.57
10+
￥31.86

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型号：S25FL256SAGBHIA13 编号：C2951892

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥34.3793 ￥58.27
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￥24.7009 ￥50.41
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￥17.7957 ￥45.63
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￥16.2279 ￥41.61

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型号：MX25L51245GMI-10G 编号：C2803018

封装：SOP-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：先进的扇区保护功能（实体保护和密码保护）。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。支持DTR（双倍传输速率）模式。支持高达166MHz的时钟频率。支持串行外设接口

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单价：
￥34.670068 / 个

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型号：S29GL128S90TFI010 编号：C117905

封装：TSOP-56-18.5mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

3.3V 128Mbit

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￥35.33
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￥30.23
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￥27.21

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型号：S29JL064J70TFI000 编号：C393877

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

S29JL064J是一款64 Mb、仅支持3.0伏的闪存器件，其组织形式为4,194,304个16位字或8,388,608个8位字节。字模式数据出现在DQ15 - DQ0；字节模式数据出现在DQ7 - DQ0。

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￥36.59
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￥28.6
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￥25.65

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型号：S25FS256SAGMFB000 编号：C2944592

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：密度：128 Mbits (16 MB)、256 Mbits (32 MB)。串行外设接口 (SPI)。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址：24 或 32 位地址选项。串行命令子集和封装尺寸与 S25FL-A、S25FL-K、S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列兼容。多 I/O 命令子集和封装尺寸与 S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列兼容。读取命令：普通、快速、双 I/O、四 I/O、DDR 四 I/O