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首页 > 热门关键词 > FLASH存储器芯片
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特性:支持串行外设接口。模式0和模式3。33,554,432 x 1位结构或16,777,216 x 2位(双I/O模式)结构或8,388,608 x 4位(四I/O模式)结构。每个扇区为4K字节,每个块为32K字节或64K字节。任何块都可以单独擦除。单电源操作
  • 1+

    ¥6.93
  • 10+

    ¥5.45
  • 30+

    ¥4.72
  • 有货
  • 该设备提供3V/1.8V供电,并支持SPI接口。它是一种成本效益高的非易失性存储解决方案,适用于需要最小引脚数的系统。与SPI-NOR相比,它提供了更优的写性能和每比特成本。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.59
    • 10+

      ¥6.86
    • 30+

      ¥6.47
    • 100+

      ¥6.02
    • 352+

      ¥5.82
    • 1056+

      ¥5.73
  • 有货
  • IS25LP032D 和 IS25WP032D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案,它采用引脚数量精简的封装,具备高度的灵活性和出色的性能。该产品适用于对空间、引脚数量和功耗要求严苛的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成,也可配置为多 I/O 模式
    • 1+

      ¥8.44
    • 10+

      ¥7.04
    • 30+

      ¥6.27
    • 100+

      ¥5.4
    • 500+

      ¥5.01
  • 有货
  • 串行四路I/O™(SQI™)系列闪存设备采用4位复用I/O接口,可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。采用SQI闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小,最终可降低系统成本。26系列SQI家族的所有成员均采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash®技术制造
    数据手册
    • 1+

      ¥9.3242 ¥20.27
    • 10+

      ¥8.0224 ¥17.44
    • 30+

      ¥7.2496 ¥15.76
    • 90+

      ¥6.4676 ¥14.06
    • 540+

      ¥6.1042 ¥13.27
    • 900+

      ¥5.9432 ¥12.92
  • 有货
    • 1+

      ¥11.04
    • 10+

      ¥9.41
    • 30+

      ¥8.39
    • 100+

      ¥7.35
  • 有货
  • 是一款串行接口闪存设备,适用于各种大批量消费和联网应用。针对低能耗应用进行了优化,可在1.65V-3.6V的宽输入电压范围内使用现代锂电池技术运行。非常适合将程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行的系统,以及在闪存中本地存储和更新少量数据的系统。擦除块大小经过优化,可满足当今代码和数据存储应用的需求,支持4KB、32KB和64KB块擦除操作以及全芯片擦除。包含四个专用的128字节一次性可编程(OTP)安全寄存器,可用于存储唯一设备ID和锁定密钥。支持读、编程和擦除操作,编程和擦除无需单独的电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.06
    • 10+

      ¥9.38
    • 30+

      ¥8.33
    • 100+

      ¥7.25
  • 有货
  • AT25XE161D是一款串行接口闪存设备,专为各种大批量消费类和联网应用而设计。它针对低功耗应用进行了优化,可使用现代锂电池技术,在1.65V - 3.6V的宽输入电压范围内工作。AT25XE161D非常适合以下系统:程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM(代码映射)中执行,并且在闪存中本地存储和更新少量数据
    数据手册
    • 1+

      ¥13.3
    • 10+

      ¥11.28
    • 30+

      ¥10.02
  • 有货
  • 64-Mbit(64M x 1bit/32M x 2bit/16M x 4bit),SPI接口,工作电压:2.7V to 3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥13.83
    • 10+

      ¥11.74
    • 30+

      ¥10.43
  • 有货
  • IS25LP128 串行闪存为系统提供了一种灵活的存储解决方案,在简化引脚封装的情况下仍具备高灵活性和高性能。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成,这些引脚也可配置为多 I/O 模式
    数据手册
    • 1+

      ¥14.84
    • 10+

      ¥12.59
    • 30+

      ¥11.19
  • 有货
  • 25系列串行闪存产品家族具备四线SPI兼容接口,可采用低引脚数封装,占用更少的电路板空间,最终降低系统总成本。SST25VF080B器件在工作频率和功耗方面得到了优化。SST25VF080B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造
    数据手册
    • 1+

      ¥14.95
    • 10+

      ¥12.64
    • 30+

      ¥11.19
  • 有货
  • GD25Q32E(32M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为266Mbit/s,四I/O数据传输速度为532Mbit/s。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.24
    • 10+

      ¥15.44
    • 30+

      ¥14.96
    • 100+

      ¥14.48
  • 有货
  • 是一款串行接口闪存存储设备,适用于各种大批量消费和互联应用。针对低能耗应用进行了优化,可在1.65V-3.6V的宽输入电压范围内使用现代锂电池技术运行。非常适合将程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行,并在闪存中本地存储和更新少量数据的系统。擦除块大小经过优化,以满足当今代码和数据存储应用的需求,支持256字节页擦除、4KB、32KB和64KB块擦除操作以及全芯片擦除
    数据手册
    • 1+

      ¥17.37
    • 10+

      ¥14.73
    • 30+

      ¥13.08
    • 100+

      ¥11.38
  • 有货
  • 该产品是一款8 Mbit、3.0伏的闪存,组织形式为1,048,576字节或524,288字。该设备提供48球细间距BGA(0.8毫米间距)和48引脚TSOP封装。该设备可在系统中使用标准系统3.0伏VCC电源进行编程,写入或擦除操作不需要12.0伏VPP或5.0伏VCC。该设备也可在标准EPROM编程器中编程。该设备的访问时间可达55 ns,允许高速微处理器无等待状态运行。为消除总线争用,该设备具有独立的芯片使能(CE#)、写使能(WE#)和输出使能(OE#)控制
    • 1+

      ¥17.7954 ¥31.22
    • 10+

      ¥12.6242 ¥26.86
    • 30+

      ¥8.9762 ¥24.26
    • 100+

      ¥8.0068 ¥21.64
    • 500+

      ¥7.5591 ¥20.43
    • 1000+

      ¥7.3593 ¥19.89
  • 有货
  • 串行四路输入/输出(SQI)系列闪存设备采用六线 4 位输入/输出接口,可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF016BEUI 还支持与传统串行外设接口(SPI)协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小,最终可降低系统成本
    数据手册
    • 1+

      ¥17.87
    • 10+

      ¥17.41
    • 30+

      ¥17.11
  • 有货
  • XT26Q01D是一款1G-bit SPI NAND Flash存储器,支持标准SPI接口和双/四线SPI选项。具备先进的写保护机制,适用于高可靠性应用。
    • 1+

      ¥19.68
    • 10+

      ¥18.68
    • 30+

      ¥18.08
    • 100+

      ¥17.48
  • 有货
  • SST的25系列串行闪存采用四线、兼容SPI的接口,从而实现占用较少电路板空间的低引脚数封装,并最终降低总系统成本。SST25VF016B器件是增强型器件,与原有的SST25VFxxxA器件相比,提高了工作频率并降低了功耗。SST25VF016B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.84
    • 10+

      ¥16.95
    • 30+

      ¥15.23
  • 有货
  • 特性:组织架构: -页面大小: -x8:2,112 字节(2,048 + 64 字节)。 -x16:1,056 字(1,024 + 32 字)。块大小:64 页(128K + 4K 字节)。设备容量:2Gb:2,048 块;4Gb:4,096 块;8Gb:8,192 块。 读取性能: -随机读取:25μs。顺序读取:30ns(仅 3V x8)
    • 1+

      ¥23.18
    • 10+

      ¥20.3
    • 30+

      ¥18.59
  • 有货
  • 串行四路输入输出(SQI)系列闪存设备采用六线、4 位输入输出接口,可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064B/064BA 还支持与传统串行外设接口(SPI)协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小,最终可降低系统成本
    数据手册
    • 1+

      ¥24.3837 ¥24.63
    • 10+

      ¥21.4312 ¥24.08
    • 30+

      ¥18.7309 ¥23.71
    • 100+

      ¥18.4465 ¥23.35
  • 有货
  • FL - L系列器件是采用浮栅技术、≡65 nm制程光刻工艺的闪存非易失性存储产品。FL - L系列通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统。该系列支持传统的SPI单比特串行输入输出(单I/O或SIO),以及可选的两比特(双I/O或DIO)和四比特宽的四路I/O(QIO)及四路外设接口(QPI)命令
    数据手册
    • 1+

      ¥24.94
    • 10+

      ¥21.15
    • 30+

      ¥18.91
  • 有货
  • SLC ,工业级( -40℃ to+85℃),标准SD2.0协议,2Gbit,兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。 别名贴片式TF卡;高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)
    • 1+

      ¥27.31
    • 10+

      ¥26.13
    • 30+

      ¥25.41
    • 100+

      ¥23.37
  • 有货
  • XT27G01A 是一款单通道 3.3V、1Gbit 的 NAND 电可擦除可编程只读存储器(NAND E2PROM),其组织形式为(2048 + 128)字节×64 页×1024 块。该器件有一个 2176 字节的静态寄存器,允许以 2176 字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单块为单位执行(128 K 字节 + 8 K 字节:2176 字节×64 页)
    数据手册
    • 1+

      ¥27.31
    • 10+

      ¥23.35
    • 30+

      ¥20.99
  • 有货
  • 的S25FL128S和S25FL256S器件是采用以下技术的闪存非易失性存储产品:- MirrorBit技术 - 该技术可在每个存储阵列晶体管中存储两位数据。
    数据手册
    • 1+

      ¥27.36
    • 10+

      ¥23.52
    • 30+

      ¥21.24
  • 有货
  • XTX SD NAND是一种嵌入式存储解决方案,设计为WSON8或LGA8封装。支持1.8V供电电压,符合SD 2.0接口标准,适用于大多数嵌入式应用,具有高可靠性和低功耗。
    • 1+

      ¥27.5
    • 10+

      ¥23.49
    • 30+

      ¥21.1
    • 100+

      ¥18.69
  • 有货
  • XT26Q12D是一款2G-bit (256M-byte) SPI NAND Flash存储器,支持标准SPI接口及双/四线I/O选项,具备先进的写保护机制。
    • 1+

      ¥27.75
    • 10+

      ¥26.5
    • 30+

      ¥25.73
    • 100+

      ¥25.09
  • 有货
  • SST39WF1601/1602器件是采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的1M x 16 CMOS多用途闪存增强型(MPF+)器件。与其他方法相比,分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39WF1601/1602在1.65 - 1.95V电源下进行写入(编程或擦除)操作
    数据手册
    • 1+

      ¥28.1645 ¥43.33
    • 10+

      ¥20.614 ¥37.48
    • 30+

      ¥15.2685 ¥33.93
    • 100+

      ¥13.923 ¥30.94
  • 有货
  • SST39VF168x 系列器件是采用 SST 专有的高性能 CMOS 超闪存技术制造的 2M x 8 CMOS 多用途闪存增强型(MPF+)器件。与其他方法相比,分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39VF168x 可在 2.7 - 3.6V 电源下进行写入(编程或擦除)操作
    数据手册
    • 1+

      ¥31.2995 ¥53.05
    • 10+

      ¥22.491 ¥45.9
    • 30+

      ¥16.2006 ¥41.54
    • 100+

      ¥14.7732 ¥37.88
  • 有货
  • 采用65 nm工艺技术制造。这些设备提供快速的页面访问时间,最快可达15 ns,相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区,允许在一次操作中最多编程256个字/512字节,从而比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥31.58
    • 10+

      ¥30.87
    • 30+

      ¥28.92
  • 有货
  • 特性:先进的扇区保护功能(实体保护和密码保护)。 多I/O支持。 单I/O、双I/O和四I/O。 支持DTR(双倍传输速率)模式。 支持高达166MHz的时钟频率。 支持串行外设接口
    • 1+

      ¥32.49
    • 10+

      ¥27.54
    • 30+

      ¥24.59
  • 有货
  • 采用65纳米制程技术制造。这些设备提供了快速的页面访问时间,最快可达15 ns,相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区,允许在一次操作中最多编程256个字/512字节,比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥33.57
    • 10+

      ¥31.86
  • 有货
  • 特性:CMOS 3.0 V 核心。密度:128 Mb (16 MB)。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。扩展寻址:24 或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容,多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥34.37
    • 10+

      ¥29.41
    • 30+

      ¥25.35
  • 有货
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