FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SST39SF010A-55-4C-NHE-T 编号：C632838

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：SST26VF064BEUI-104I/MF 编号：C637032

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四路输入/输出（Serial Quad I/O™，SQI™）系列闪存设备采用六线 4 位输入/输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064BEUI 还支持与传统串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）协议的全命令集兼容。采用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：PC28F128P33BF60A 编号：C7325112

封装：EASYBGA-64(8x10)

品牌：micron(镁光)

特性：高性能: -Easy BGA初始访问时间为60ns。TSOP初始访问时间为70ns。8字异步页读模式为25ns。零等待状态下52MHz，17ns时钟到数据输出同步突发读模式。突发模式有4、8、16和连续字选项。使用256字缓冲区，3.0V缓冲编程速度为1.8MB/s（典型值）

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型号：W25Q512JVFIM 编号：C2641168

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

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型号：MT28EW256ABA1HJS-0SIT 编号：C6847445

封装：TFSOP-56-18.4mm

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元（SLC）处理技术。密度：256Mb。电源电压：VCC(overline) = 2.7-3.6V（编程、擦除、读取），VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O缓冲器）。异步随机/页读取。页大小：16字或32字节。页访问：20ns

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型号：XT27G01ATSIGA 编号：C2759960

封装：TSOPI-48

品牌：XTX(芯天下)

XT27G01A 是一款单通道 3.3V、1Gbit 的 NAND 电可擦除可编程只读存储器（NAND E2PROM），其组织形式为(2048 + 128)字节×64 页×1024 块。该器件有一个 2176 字节的静态寄存器，允许以 2176 字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单块为单位执行（128 K 字节 + 8 K 字节：2176 字节×64 页）

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型号：MX29LV640EBTI-70G 编号：C30076

封装：TSOPI-48

品牌：MXIC(旺宏电子)

64-Mbit(8M x 8bit/4M x 16bit)，工作电压：2.7V to 3.6V

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型号：FSNS8A001G-TWT 编号：C5126833

封装：TSOP-48L

品牌：FORESEE(江波龙)

FSNS8A001G是一款1Gbit的SLC NAND Flash存储器，支持标准的NAND闪存接口，使用8位复用总线传输数据、地址和命令指令。该设备具有硬件写保护、软件块保护、唯一ID等功能，适用于需要非易失性存储的应用。

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型号：F35SQB002G-WWT 编号：C49297080

封装：WSON-8(6x8)

品牌：FORESEE(江波龙)

是一款2G位（256Mx8bit）的串行NAND闪存，工作在单一3.3V VCC上。该设备支持标准串行外设接口（SPI）、双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据SIO0（DI）、SIO1（DO）、SIO2（WP#）和SIO3（HOLD#）。支持JEDEC标准制造商和设备ID、唯一ID、一个参数页和62个OTP页。芯片内有一个内部8位ECC逻辑，默认启用。内部ECC可以通过命令禁用或启用。

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￥47.6
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型号：MT25QL128ABB8E12-0AUT 编号：C5678136

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议为133 MHz (MAX)。DTR中所有协议为90 MHz (MAX)。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：STR和DTR中的扩展、双和四I/O

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型号：SST38VF6401-90-5C-EKE 编号：C637366

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

4M x16 CMOS高级多功能闪存增强型（Advanced MPF+）器件采用专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更好的可靠性和可制造性。这些器件在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作，并且引脚分配符合JEDEC标准的x16存储器规范

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￥53.2282 ￥71.93
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型号：IS25LP512M-RHLE-TR 编号：C2064518

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP512M和IS25WP512M串行闪存提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具备高灵活性和高性能。ISSI的“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O（参见引脚说明）

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型号：SST39VF3201-70-4I-EKE 编号：C637395

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF160x和SST39VF320x器件分别为1M x16和2M x16的CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件，采用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x/320x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：S25FS512SAGMFI011 编号：C2909900

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：串行外设接口 (SPI)，具备多 I/O SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址：+24 或 32 位地址选项。串行命令子集和引脚兼容 S25FL-A、S25FL-K、S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列。多 I/O 命令子集和引脚兼容 S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列。命令：普通、快速、双 I/O、四 I/O、DDR 四 I/O

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型号：SST38VF6403-90-5I-EKE 编号：C637373

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

4M x16 CMOS高级多功能闪存增强型（Advanced MPF+）器件采用专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更好的可靠性和可制造性。这些器件在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作，并且引脚分配符合JEDEC标准的x16存储器规范

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￥65.494 ￥119.08
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￥51.174 ￥113.72
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￥33.719 ￥96.34

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型号：S29GL01GT11FHIV10 编号：C2947466

封装：BGA-64(11x13)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

S29GL01GT/512T 是基于45 nm 工艺技术的MirrorBit Eclipse 闪存产品。这些设备提供15 ns 的快速页面读取时间，相应的随机访问时间可达100 ns。它们配备写入缓冲器，在一个操作中最多可编程256 字/512 字节，与标准编程算法相比，有效编程时间更短。因此，对于当今需要更高容量、更好性能和更低功耗的嵌入式应用程序来说，这些设备是理想的选择。

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型号：MX66L1G45GMI-08G 编号：C2802774

封装：SOIC-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。Mode 0和Mode 3。单电源操作。读写和擦除操作电压为2.7至3.6伏。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O。从-1V到Vcc +1V的闩锁保护至100mA

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￥67.67
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型号：XTSDQ02GLAIGA 编号：C29781619

封装：LGA-8(6x5)

品牌：XTX(芯天下)

XTX SD NAND是一种嵌入式存储解决方案，设计为WSON8或LGA8封装。支持1.8V供电电压，符合SD 2.0接口标准，适用于大多数嵌入式应用，具有高可靠性和低功耗。

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￥74.104 ￥92.63
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￥70.672 ￥88.34
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￥64.712 ￥80.89
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￥59.52 ￥74.4

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型号：IS25WP512M-JLLE-TR 编号：C6280174

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP512M和IS25WP512M串行闪存为用户提供了一种通用存储解决方案，其采用引脚数量精简的封装，具备高度灵活性和出色性能。这款“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O接口

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￥81.58
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￥77.9
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￥71.54

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型号：MX66L1G45GMI-10G 编号：C2802775

封装：SOIC-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。Mode 0和Mode 3。单电源操作。读写和擦除操作电压为2.7至3.6伏。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O。从-1V到Vcc +1V的闩锁保护至100mA

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￥87.61
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￥76.31
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型号：S25HL512TFAMHB010 编号：C5880863

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥130.58
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型号：BY25Q20AWUIG(R) 编号：C50176337

封装：USON-8(2x3)

品牌：BOYAMICRO(博雅)

2M位串行外设接口（SPI）闪存，设计用于各种大批量消费类应用，其中程序代码从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。该设备灵活的擦除架构及其页擦除粒度也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备。其擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小，可以更有效地利用内存空间

5+
￥0.6039
50+
￥0.4839
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型号：BY25Q40ALTIG(T) 编号：C50172597

封装：SOP-8-150mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

是4M位串行外设接口（SPI）闪存，设计用于大量基于消费类的应用，在这些应用中，程序代码从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。灵活的擦除架构，具有页擦除粒度，也适用于数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，能更有效地利用内存空间，减少大扇区和大块擦除闪存设备中出现的浪费和未使用的内存空间。使用1.65V至2.0V的单低压电源，支持JEDEC标准的制造商和设备ID、128位唯一序列号和三个512字节的安全寄存器。

5+
￥0.6041
50+
￥0.4841
200+
￥0.4241

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型号：BY25Q40GWUIG(R) 编号：C50176336

封装：USON-8(2x3)

品牌：BOYAMICRO(博雅)

4M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，设计用于各种大量基于消费的应用，其中程序代码从闪存映射到嵌入式或外部 RAM 中执行。该设备灵活的擦除架构及其页面擦除粒度也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备。该设备的擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小，可以更有效地利用内存空间

5+
￥0.6765
50+
￥0.5421
150+
￥0.4749

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型号：P25Q21H-TSH-IR 编号：C559179

封装：TSSOP-8

品牌：PUYA(普冉)

是串行接口闪存设备，适用于各种大批量消费类应用，其中程序代码从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。灵活的擦除架构，页面擦除粒度使其也适用于数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，可更有效地利用内存空间，减少大扇区和大块擦除闪存设备的内存浪费。包含3×512字节的安全寄存器，带OTP锁，可用于设备序列化、系统级电子序列号存储、锁定密钥存储等。支持在2.3V至3.6V的宽电源电压范围内进行读取、编程和擦除操作，编程和擦除无需单独的电压。

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2+
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20+
￥0.6147
60+
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￥0.4173
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型号：BY25D40ASOIG(R) 编号：C50176324

封装：TSSOP-8-173mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

是4M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双输出数据的传输速度为108Mbit/s。该设备使用2.7V至3.6V的单低压电源。此外，该设备支持JEDEC标准制造商和设备ID。

5+
￥0.8457
50+
￥0.6777
150+
￥0.5937

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型号：BY25Q80ESOIG(R) 编号：C50176330

封装：TSSOP-8-173mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

8M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该器件使用单一低电压电源，范围为 2.7V 至 3.6V。此外，该器件支持 JEDEC 标准制造商和器件 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。

5+
￥0.9927
50+
￥0.7911
150+
￥0.7047

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型号：BY25Q80AWTIG(R) 编号：C50176327

封装：SOP-8-150mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

8M位串行外设接口（SPI）闪存，适用于各种大批量消费类应用，其中程序代码从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。该设备灵活的擦除架构及其页面擦除粒度也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备。设备的擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小，可以更有效地利用内存空间

5+
￥1.0423
50+
￥0.8306
150+
￥0.7399

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型号：BY25Q16ESMIG(R) 编号：C50176342

封装：USON-8(2x3)

品牌：BOYAMICRO(博雅)

16M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持标准串行外设接口 (SPI)、双/四 I/O SPI 以及 2 时钟指令周期四外设接口 (QPI)：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (DI)、I/O1 (DO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。支持高达 108MHz 的 SPI 时钟频率，使用快速读取双/四和 QPI 指令时，双 I/O 等效时钟速率可达 216MHz (108MHz x 2)，四 I/O 可达 432MHz (108MHz x 4)。这些传输速率可优于标准异步 8 位和 16 位并行闪存。连续读取模式允许以低至 8 个时钟的指令开销高效访问内存以读取 24 位地址

5+
￥1.0665
50+
￥1.044
150+
￥1.029

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型号：BY25Q16ESOIG(R) 编号：C50176334

封装：TSSOP-8-173mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

16M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持标准串行外设接口 (SPI)、双/四 I/O SPI 以及 2 时钟指令周期四外设接口 (QPI)：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (DI)、I/O1 (DO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。支持高达 108MHz 的 SPI 时钟频率，使用快速读取双/四和 QPI 指令时，双 I/O 等效时钟速率可达 216MHz (108MHz x 2)，四 I/O 可达 432MHz (108MHz x 4)。这些传输速率可优于标准异步 8 位和 16 位并行闪存。连续读取模式允许以低至 8 个时钟的指令开销高效访问内存以读取 24 位地址

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