FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：TSOP-48-18.4mm

S34ML01G200TFI000 是一款 1 Gb 3 V 4-bit ECC SLC NAND Flash 存储器，适用于嵌入式系统。它支持 x8 和 x16 接口，具有 3.3 V 供电电压，支持 4-bit ECC。该存储器具有高可靠性和长寿命，适用于需要高数据完整性的应用。

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型号：S25FL064LABMFM013 编号：C2952053

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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型号：MX29LV640EBTI-70G 编号：C30076

封装：TSOPI-48

品牌：MXIC(旺宏电子)

64-Mbit(8M x 8bit/4M x 16bit)，工作电压：2.7V to 3.6V

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型号：MX25L25645GM2I-10G 编号：C504699

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6V。268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。支持单I/O、双I/O和四I/O。从 -1V到Vcc +1V的闩锁保护高达100mA

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型号：XT25F256BSFIGT 编号：C42162961

封装：SOP-16-300mil

品牌：XTX(芯天下)

256Mb，3.3V，SOP16 300mil封装，工业级温度

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型号：MX29LV320ETTI-70G 编号：C410862

封装：TSOPI-48

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：字节/字可切换。4,194,304 x 8 / 2,097,152 x 16 扇区结构。8K 字节 x 8 和 64K 字节 x 63。额外 256 字节安全扇区。具有工厂锁定和可识别功能，以及客户可锁定功能。24 个扇区组

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型号：MX30LF1GE8AB-TI 编号：C6121823

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX30LF1G18AC是一款1G-bit的SLC NAND Flash存储器，适用于嵌入式系统代码和数据存储。它支持4-bit ECC，具有快速读取访问、缓存读取支持、块擦除操作等功能。

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型号：XT27G01BTSIGA 编号：C42162962

封装：TSOP-48

品牌：XTX(芯天下)

XT27G01B是一款1Gb (128M x 8) 的SLC NAND闪存，工作电压为2.7V至3.6V，具有内置ECC控制器，适用于固态文件存储、语音记录、图像文件存储等应用。该器件支持自动页面编程和块擦除操作，具有10年的数据保留能力。

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型号：S29AL016J70TFI020 编号：C914935

封装：TSOP-48-12.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

该产品是16 Mbit、仅3.0 V的闪存，组织为2,097,152字节或1,048,576字。提供48球细间距BGA（0.8 mm间距）、64球加固BGA（1.0 mm间距）和48引脚TSOP封装。宽字数据（x16）出现在DQ15-DQ0；宽字节（x8）数据出现在DQ7-DQ0。该设备设计为可在系统中使用标准系统3.0 V VCC电源进行编程。写入或擦除操作不需要12.0 V VPP或5.0 V VCC。也可以在标准EPROM编程器中编程

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型号：MX35LF1GE4AB-Z4ITR 编号：C2802769

封装：WSON-8(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX35LF1GE4AB是一款采用串行接口的1Gb单级单元（SLC）NAND闪存器件。该器件的存储阵列采用了与并行NAND相同的单元架构，但实现了行业标准的串行接口。芯片中集成了一个内部4位纠错码（ECC）逻辑，默认处于启用状态

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型号：SST39VF401C-70-4I-EKE 编号：C637407

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF401C/402C 和 SST39LF401C/402C 器件是采用专有高性能 CMOS SuperFlash 技术制造的 256K x16 CMOS 多用途闪存 Plus（MPF+）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39LF401C/402C 在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：MX29GL128FHT2I-90G 编号：C504708

封装：TFSOP-56-18.4mm

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：电源操作: -读取、擦除和编程操作的电压为2.7至3.6伏。 -VI/O=VCC=2.7V~3.6V，VI/O电压必须与VCC紧密匹配。 -VI/O=1.65V~3.6V用于输入/输出。字节/字模式可切换。 16,777,216 x 8 / 8,388,608 x 16。 64KW/128KB统一扇区架构

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型号：MX25L51245GZ2I-10G 编号：C124042

封装：WSON-8-EP(6.1x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

512Mbit，SPI Flash，3V，旺宏， MXIC

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型号：SST39VF1601-70-4I-EKE 编号：C34469

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF160x和SST39VF320x器件分别为1M x16和2M x16的CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件，采用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x/320x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：IS25WP512M-JLLA3 编号：C2940514

封装：-

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：W25Q64FWZPIGT 编号：C571263

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备，适用于将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。该器件在1.65V至1.95V的单电源下工作，工作电流低至4mA，掉电电流为1μA。所有器件均采用节省空间的封装。阵列由32,768个可编程页面组成，每个页面256字节。一次最多可编程256字节。页面可以16个为一组进行擦除（4KB扇区擦除）

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型号：S25FL256SAGMFIR03 编号：C2951924

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 伏核心，具备通用 I/O。 SPI 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3，具备 DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：MX35LF2GE4AD-Z4I 编号：C2802771

封装：WSON-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

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型号：AT25SF128A-MHB-T 编号：C7453700

封装：UDFN-8(5x6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：S25FL256SAGNFI003 编号：C2060936

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：S29GL256S90TFI010 编号：C466848

封装：TSOP-56-18.5mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用65纳米工艺技术制造，提供快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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型号：S29JL032J70TFI010 编号：C2947478

封装：TFSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

S29JL032J是一款32 Mb、仅支持3.0 V的闪存器件，其组织形式为2,097,152个16位字，或4,194,304个8位字节。字模式数据通过DQ15 - DQ0传输；字节模式数据通过DQ7 - DQ0传输。

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型号：SST39VF1601-70-4I-B3KE 编号：C633376

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF160x和SST39VF320x器件分别为1M x16和2M x16的CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件，采用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x/320x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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￥25.6808 ￥54.64
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￥16.6907 ￥45.11

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型号：S29JL064J70TFI000 编号：C393877

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

S29JL064J是一款64 Mb、仅支持3.0伏的闪存器件，其组织形式为4,194,304个16位字或8,388,608个8位字节。字模式数据出现在DQ15 - DQ0；字节模式数据出现在DQ7 - DQ0。

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型号：MT29F2G08ABAEAH4-IT:E 编号：C395385

封装：VFBGA-63

品牌：micron(镁光)

Micron 2Gb x8/x16 NAND Flash Memory 是一款高性能的闪存设备，支持异步接口，具有单层单元 (SLC) 技术。该设备提供 2112 字节的页面大小，每个块包含 64 个页面，总共有 2048 个块。支持 1.8V 和 3.3V 供电电压，工业温度范围为 -40°C 到 +85°C。

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