FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

特性：保持功能。低功耗。单电源操作。读写和编程操作电压为2.7至3.6伏。支持串行外设接口模式0和模式3。 8,388,608 x 1位结构或4,194,304 x 2位（双输出模式）结构

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型号：MX25L6436FM2I-08Q 编号：C2830754

封装：SOP-8-208mil

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。 67,108,864 x 1位结构或33,554,432 x 2位（双I/O读取模式）结构或16,777,216 x 4位（四I/O模式）结构。 2048个相等的扇区，每个扇区4K字节。任何扇区都可以单独擦除。 256个相等的块，每个块32K字节

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型号：GD25LQ16ESIGR 编号：C5718251

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：S25FL064LABMFI010 编号：C2909898

封装：SOIC-8-208mil

FL - L 系列器件是采用 65 纳米制程光刻浮栅技术的闪存非易失性存储产品。FL - L 系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。该系列支持传统的 SPI 单比特串行输入输出（单输入输出，即 SIO），以及可选的双比特（双输入输出，即 DIO）和四比特宽的四输入输出（QIO）和四外设接口（QPI）命令

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型号：IS25LP080D-JNLA3-TR 编号：C1236801

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP080D和IS25WP080D/040D/020D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O，以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：W25Q20CLSNIG 编号：C2641188

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

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型号：W25Q16JVSSIM 编号：C5333949

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

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型号：SST25VF010A-33-4C-SAE 编号：C10025

封装：SOIC-8

SST的串行闪存系列采用四线SPI兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的电路板空间，并最终降低系统总成本。SST25VF010A SPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性

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型号：W25Q16JLSNIG 编号：C6349618

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

W25Q16JL（16M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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型号：SST25VF512A-33-4I-SAE 编号：C481386

封装：SOIC-8

SST的串行闪存系列采用四线SPI兼容接口，该接口所需引脚数量少，占用的电路板空间小，最终可降低系统总成本。SST25VF512A SPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化层隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性

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型号：XT25F128FSSIGU-W 编号：C5187911

封装：SOP-8

品牌：XTX(芯天下)

支持标准串行外设接口 (SPI)、双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#) 和I/O3 (HOLD#/RESET#)。

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型号：SST26VF016B-104I/SM 编号：C86305

封装：SOIC-8-208mil

串行四路输入输出（Serial Quad I/O™，SQI™）系列闪存设备采用六线 4 位输入输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF016B 还支持与传统串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）协议的全命令集兼容。采用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：S25FL064LABMFI003 编号：C5123273

封装：SOIC-16

赛普拉斯FL-L 器件系列是非易失性闪存存储器产品，采用浮栅技术、±65 nm光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI的一比特串行输入和输出（即单线I/O 或SIO）、可选的双比特（即双线I/O 或DIO）、四比特宽（四线I/O 或QIO）以及四线外设接口（QPI）命令，还为QIO 和QPI 提供了双倍的数据速率（DDR）读取命令，在时钟的双边沿上传送地址和读取数据。具有页编程缓冲区，允许在一次操作中最多编程256 个字节，并提供单独的4 KB 大小的扇区、32 KB 半块扇区、64 KB 块扇区或整个芯片擦除功能。

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型号：SST25VF080B-50-4I-S2AF 编号：C80925

封装：SOIC-8-208mil

25系列串行闪存产品家族具备四线SPI兼容接口，可采用低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。SST25VF080B器件在工作频率和功耗方面得到了优化。SST25VF080B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造

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型号：S29AL016J70TFI020 编号：C914935

封装：TSOP-48-12.2mm

该产品是16 Mbit、仅3.0 V的闪存，组织为2,097,152字节或1,048,576字。提供48球细间距BGA（0.8 mm间距）、64球加固BGA（1.0 mm间距）和48引脚TSOP封装。宽字数据（x16）出现在DQ15-DQ0；宽字节（x8）数据出现在DQ7-DQ0。该设备设计为可在系统中使用标准系统3.0 V VCC电源进行编程。写入或擦除操作不需要12.0 V VPP或5.0 V VCC。也可以在标准EPROM编程器中编程

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型号：SST25VF080B-50-4I-S2AE 编号：C638552

封装：SOIC-8-208mil

25系列串行闪存产品具备四线SPI兼容接口，可采用引脚数较少的封装，从而减少电路板占用空间，最终降低系统总体成本。SST25VF080B器件在工作频率和功耗方面均有提升。SST25VF080B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造

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型号：S29AL016J70TFI010 编号：C2832248

封装：TSOP-48-18.4mm

该产品是16 Mbit、仅3.0 V的闪存，组织为2,097,152字节或1,048,576字。提供48球细间距BGA（0.8 mm间距）、64球加固BGA（1.0 mm间距）和48引脚TSOP封装。宽字数据（x16）出现在DQ15-DQ0；宽字节（x8）数据出现在DQ7-DQ0。该设备设计为可在系统中使用标准系统3.0 V VCC电源进行编程。写入或擦除操作不需要12.0 V VPP或5.0 V VCC。也可以在标准EPROM编程器中编程

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型号：S29AL008J70TFI010 编号：C2759923

封装：TSOPI-48

8 Mbit、3.0 伏的闪存,组织为 1,048,576 字节或 524,288 字。提供 48 球细间距 BGA(0.8 mm 间距)和 48 引脚 TSOP 封装。字宽数据(x16)出现在 DQ15 DQ0;字节宽(x8)数据出现在 DQ7 DQ0。该设备设计为使用标准系统 3.0 伏 VCC 电源在系统内编程。写入或擦除操作不需要 12.0 V VPP 或 5.0 VCC。该设备也可以在标准 EPROM 编程器中编程

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型号：MX29LV160DTTI-70G 编号：C382736

封装：TSOPI-48

MX29LV160DT/B是一款16Mbit闪存，可组织为2M×8位或1M×16位。

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型号：SST25VF016B-50-4C-S2AF 编号：C79951

封装：SOIC-8-208mil

SST的25系列串行闪存采用四线、兼容SPI的接口，从而实现占用较少电路板空间的低引脚数封装，并最终降低总系统成本。SST25VF016B器件是增强型器件，与原有的SST25VFxxxA器件相比，提高了工作频率并降低了功耗。SST25VF016B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。

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型号：SST39VF800A-70-4C-EKE 编号：C481388

封装：TSOP-48-18.4mm

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型号：SST26VF064BT-104I/MN 编号：C629164

封装：WPDFN-8-EP(6x8)

串行四路输入输出（SQI）系列闪存设备采用六线、4 位输入输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064B/064BA 还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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￥22.6596 ￥24.63
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￥19.7456 ￥24.08
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￥17.0712 ￥23.71
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￥16.812 ￥23.35

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型号：SST39VF1601-70-4C-B3KE 编号：C633375

封装：TFBGA-48(6x8)

SST39VF160x和SST39VF320x器件分别为1M x16和2M x16的CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件，采用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x/320x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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1+
￥23.8784 ￥45.92
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￥18.858 ￥44.9
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￥14.1472 ￥44.21
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￥13.9296 ￥43.53

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型号：SST39WF1601-70-4I-B3KE 编号：C633409

封装：TFBGA-48(6x8)

SST39WF1601/1602器件是采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的1M x 16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39WF1601/1602在1.65 - 1.95V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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￥25.1314 ￥43.33
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￥17.9904 ￥37.48
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￥12.8934 ￥33.93
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￥11.7572 ￥30.94

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型号：MX35LF4G24AD-Z4I 编号：C20099987

封装：WSON-8(6x8)

MX35LF4G24AD-Z4I 是一款1Gb/2Gb/4Gb SLC NAND Flash存储器，支持串行接口。该设备采用了与并行NAND相同的单元架构，但实现了行业标准的串行接口。需要主机微控制器支持8位ECC/544字节操作。具有低功耗、高速读取访问、高可靠性和宽温工作范围的特点。

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￥25.98
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￥25.43
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￥25.07

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型号：SST39VF1681-70-4I-EKE 编号：C637390

封装：TSOPI-48

SST39VF168x 系列器件是采用 SST 专有的高性能 CMOS 超闪存技术制造的 2M x 8 CMOS 多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39VF168x 可在 2.7 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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￥27.586 ￥53.05
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￥19.278 ￥45.9
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￥13.2928 ￥41.54
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￥12.1216 ￥37.88

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型号：MX25L12833FZNI-10G 编号：C2802709

封装：WSON-8-EP(5x6)

128Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 16,777,216 x 8。在双 I/O 或四 I/O 模式下，结构变为 67,108,864 位 x 2 或 33,554,432 位 x 4。具有串行外设接口和软件协议，允许在单电源下运行。

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￥25.81
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型号：SST39VF800A-70-4I-EKE 编号：C1352678

封装：TSOP-48-12.0mm