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MX25V8035F是一款8Mb的串行NOR闪存。

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型号：BY25Q128ASWIG(R) 编号：C394872

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：BOYAMICRO(博雅)

BY25Q128AL是一款128M位的串行外设接口（SPI）闪存，支持标准串行外设接口（SPI）、双/四路I/O SPI以及双时钟指令周期的四路外设接口（QPI），包括串行时钟、片选信号、串行数据I/O0（DI）、I/O1（DO）、I/O2（/WP）和I/O3（/HOLD）。该闪存支持高达108MHz的SPI时钟频率，在使用快速读取双/四路和QPI指令时，双路I/O的等效时钟速率可达216MHz（108MHz x 2），四路I/O的等效时钟速率可达432MHz（108MHz x 4）。这些传输速率可超越标准的异步8位和16位并行闪存

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型号：AT25FF161A-SSHN-T 编号：C1857758

封装：SOIC-8

AT25FF161A是一款串行接口闪存设备，专为各种大批量消费和互联应用而设计。它针对低能耗应用进行了优化，可在1.65V - 3.6V的宽输入电压范围内，采用现代锂电池技术供电运行。AT25FF161A非常适合以下系统：程序代码从闪存映射到嵌入式或外部RAM（代码映射）中执行，且在闪存中本地存储和更新少量数据

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型号：AT25PE20-SSHN-T 编号：C2062977

封装：SOIC-8

是1.65V最小串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。还支持RapidS串行接口，适用于需要非常高速操作的应用。2,162,688位内存组织为1,024页，每页256字节（默认）或264字节（客户可选）。除主存外，还包含一个256/264字节的SRAM缓冲区

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型号：AT25XE021A-MAHN-T 编号：C2061689

封装：UDFN-8-EP(2x3)

AT25XE021A 是一款串行接口闪存存储器件，专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存复制到嵌入式或外部 RAM 中执行。AT25XE021A 具有灵活的擦除架构，其页擦除粒度使其也非常适合用于数据存储，无需额外的数据存储设备

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型号：AT25SF041B-SSHB-B 编号：C5154223

封装：SOIC-8

特性：串行外设接口 (SPI) 兼容，支持SPI模式0和3。支持单输入/输出操作 (1,1,1)。支持双输入和双输出操作 (1-1-2), (1-2-2), (0-2-2)。支持四输入和四输出操作 (1-1-4), (1-4-4), (0-4-4)。连续读取模式（8/16/32/64字节回绕）。针对XiP进行优化

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型号：MX25R3235FM2IH0 编号：C2802826

封装：SOIC-8-208mil

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型号：LE25U20AFD-AH 编号：C891355

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LE25U20AFD 是一款可兼容串行接口的闪存器件，带有 256K × 8 位配置。它使用 2.5 V 单电源。在充分利用串行闪存设备固有特性的同时，LE25U20AFD 采用 8 引脚超小型封装。这些功能均使得此器件适用于便携信息设备等应用中的存储程序代码，在此类应用中，尺寸越来越紧凑。而且，通过使用小扇区擦除功能，此产品还适用于参数和日期存储用途，并且具有相对较小的重写时间，而这点是 EEPROM 的能力短板。

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型号：XT25F128FWOIGT 编号：C42162960

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：XTX(芯天下)

128Mb，3.3V，WON8 6x5mm封装，工业级温度

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型号：IS25WP064D-JBLE-TR 编号：C2995543

封装：SOP-8-208mil

IS25LP064D 和 IS25WP064D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高灵活性和高性能。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

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型号：SST26VF080A-104I/MF 编号：C1012878

封装：WDFN-8-EP(5x6)

串行四线I/O™（SQI™）系列闪存设备采用六线4位I/O接口，可在引脚数量较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF080A还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用SQI闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：IS25LP040E-JNLA3 编号：C6577425

封装：SOIC-8

提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O。支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：SST25VF512A-33-4C-QAE-T 编号：C629153

封装：WSON-8-EP(5x6)

SST的串行闪存系列采用四线SPI兼容接口，该接口所需引脚数量少，占用的电路板空间小，最终可降低系统总成本。SST25VF512A SPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化层隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性

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型号：AT25SF641B-MHB-T 编号：C5555635

封装：UDFN-8(5x6)

特性：单2.7V至3.6V电源电压。64Mbit闪存。兼容串行外设接口（SPI）。支持SPI模式0和3。支持单输入/输出操作（1,1,1）。支持双输入和双输出操作（1-1-2）、（1-2-2）、（0-2-2）

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型号：IS25WP064A-JBLE-TR 编号：C2062826

封装：SOIC-8-208mil

IS25WP064A/032A 串行闪存存储器在引脚数量精简的封装中，提供了一种兼具高灵活性和高性能的通用存储解决方案。它适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和片选使能 (CE#) 引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式

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型号：AT25FF161A-UUN-T 编号：C7455377

封装：WLCSP-8(1.7x1.8)

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型号：SST39VF1601C-70-4C-B3KE 编号：C633377

封装：FBGA-48(6x8)

SST39VF1601C和SST39VF1602C器件是采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的1M×16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：IS25LP064A-JKLE-TR 编号：C6062480

封装：WSON-8-EP(5x6)

IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量精简的封装中，提供了一种具备高灵活性和高性能的多功能存储解决方案。闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 功能

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型号：SST39VF802C-70-4I-EKE 编号：C637415

封装：TFSOP-48-18.4mm

SST39VF801C/802C和SST39LF801C/802C器件是采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造的512K x16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39VF801C/802C和SST39LF801C/802C在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：MX25L12833FMI-10G 编号：C2802706

封装：SOIC-16-300mil

128Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 16,777,216 x 8。在双 I/O 或四 I/O 模式下，结构变为 67,108,864 位 x 2 或 33,554,432 位 x 4。具有串行外设接口和软件协议，允许在单电源下运行。

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型号：AT25SF128A-SHB-T 编号：C5775693

封装：SOP-8-208mil

特性：单电压操作，范围为2.7V至3.6V。 128 Mbit（32 x 4 Mbit物理块）NOR闪存。支持串行外设接口（SPI）: -支持SPI模式0和3。支持双输出和四输出读取。最大工作频率: -85℃时最大工作频率为133 MHz。105℃时最大工作频率为120 MHz

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型号：MX25L12835FZNI-10G 编号：C382734

封装：WSON-8-EP(5x6)

128Mb 串行闪存存储器，内部配置为 16,777,216×8。在双 I/O 或四 I/O 模式下，结构变为 67,108,864 位×2 或 33,554,432 位×4。在单 I/O 模式下，具有串行外设接口和软件协议，允许在简单的三线总线上操作。三条总线信号是时钟输入 (SCLK)、串行数据输入 (SI) 和串行数据输出 (SO)。通过 CS# 输入启用对设备的串行访问。

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型号：S25FL128SAGMFI001 编号：C466853

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0伏核心,具有通用I/O。SPI支持多I/O。SPI时钟极性和相位模式0和3,支持DDR选项。扩展寻址:24位或32位地址选项。串行命令集和引脚布局与S25FL A、S25FL K和S25FL P SPI系列兼容。多I/O命令集和引脚布局与S25FL P SPI系列兼容

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型号：TC58NVG0S3HTAI0 编号：C17434623

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58NVG0S3HTAI0是一款单3.3V 1Gbit (1,140,850,688 bits)的NAND电可擦除存储器。它具有2176字节的静态寄存器，允许在单元之间传输数据。该设备利用I/O引脚进行地址和数据的输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行。

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型号：MX29LV160DTTI-70G 编号：C382736

封装：TSOPI-48

MX29LV160DT/B是一款16Mbit闪存，可组织为2M×8位或1M×16位。

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型号：S34ML01G200TFI000 编号：C83656

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

S34ML01G200TFI000 是一款 1 Gb 3 V 4-bit ECC SLC NAND Flash 存储器，适用于嵌入式系统。它支持 x8 和 x16 接口，具有 3.3 V 供电电压，支持 4-bit ECC。该存储器具有高可靠性和长寿命，适用于需要高数据完整性的应用。

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型号：S25FL064LABMFM013 编号：C2952053

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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型号：MX25L12845GM2I-08G 编号：C136615

封装：SOIC-8-208mil