FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

W25Q80EW（8M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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型号：W25Q64JWZPIQ 编号：C6326913

封装：WSON-8(5x6)

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型号：HG25Q256MW/TR 编号：C20613275

封装：SOP-8-208mil

品牌：HGSEMI(华冠)

3.3v256m位串行闪存，带有双/四元SPI

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型号：IS25WP064D-JBLE-TR 编号：C2995543

封装：SOP-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064D 和 IS25WP064D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高灵活性和高性能。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

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型号：S25FL064LABMFI013 编号：C2951282

封装：SOIC-8

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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型号：BY25FQ256ESSIG 编号：C46638715

封装：SOP-8-208mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

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型号：W25Q64JVZPIQ 编号：C2940197

封装：WSON-8-EP(5x6)

W25Q64JV（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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型号：W25Q128JWFIQ 编号：C5441275

封装：SOIC-16-300mil

W25Q128JW（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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型号：MX29LV640EBTI-70GTR 编号：C2802726

封装：TSOP-48

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：8,388,608 x 8 / 4,194,304 x 16 可切换扇区结构。8KB(4KW) x 8 和 64KB(32KW) x 127。额外 128 字扇区用于安全。扇区组保护/芯片解锁：具有工厂锁定、可识别和客户可锁定功能。提供扇区组保护功能，防止在受保护扇区组中进行编程或擦除操作。提供芯片解锁功能，允许更改代码

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型号：MX25L25645GMI-08G 编号：C526821

封装：SOP-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。 268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

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单价：
￥16.775839 / 个

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型号：S25FL256SAGMFI001 编号：C117914

封装：SOIC-16-300mil

3.3V 256Mbit

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型号：XT26Q01DLAIGA 编号：C29781625

封装：LGA-8(6x5)

XT26Q01D是一款1G-bit SPI NAND Flash存储器，支持标准SPI接口和双/四线SPI选项。具备先进的写保护机制，适用于高可靠性应用。

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￥42.769 ￥45.02
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型号：SST39VF1601-70-4I-EKE-T 编号：C21923

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF160x和SST39VF320x器件分别为1M x16和2M x16的CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件，采用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x/320x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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￥44.9655 ￥48.35
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￥25.2069 ￥34.53

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型号：S25FL512SAGMFI011 编号：C914934

封装：SOIC-16-300mil

特性：CMOS 3.0伏核心,具有通用I/O。串行外设接口 (SPI),具有多I/O密度。512 Mbits (64 Mbytes) SPI。SPI时钟极性和相位模式0和3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址:32位地址

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型号：S25FL128SAGNFI000 编号：C22445046

封装：WSON-8-EP(8x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：CMOS 3.0V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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￥46.23
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型号：MT25QL256ABA8E12-1SIT 编号：C598832

封装：TPBGA-24

品牌：micron(镁光)

特性：- SPI兼容串行总线接口，支持单传输速率和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议最高133 MHz，DTR中所有协议最高90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。支持协议：扩展、双和四I/O，STR和DTR均支持。即插即用（XIP）。编程/擦除暂停操作

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￥54.44
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型号：MKPV2G08IT-AFX 编号：C54406635

封装：TSOP-48

品牌：MK(米客方德)

2Gbit nand，Flash类型:SLC，并行接口, -40°C to +85°C，TSOP-48

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￥65.9916 ￥71.73
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￥46.644 ￥50.7

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型号：XT26G01DWSIGA 编号：C29781639

封装：WSON-8-EP(8x6)

XT26G01D 是一款 1G-bit (128M-byte) 的 SPI NAND Flash 存储器，支持标准 SPI 接口，双/四线 I/O 选项，具有高级写保护机制。

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￥76.47
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￥63.31
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型号：MKDN128GCL-ZA 编号：C2987691

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一种嵌入式存储解决方案，采用LGA封装形式。其操作类似于SD卡，适用于商业级应用。Nano SD NAND 包含NAND闪存和高性能控制器，支持SD3.0接口，工作电压为3.3V。

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￥79.09
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￥68.36
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型号：XT26Q18DWSIGA 编号：C42165003

封装：WSON-8-EP(6x8)

XT26Q18D是一款8G-bit (1024M-byte)的SPI NAND Flash存储器，支持高级Dual/Quad I/O选项。它具有单级单元(SLC)技术，典型页编程时间为400us，典型块擦除时间为3.5ms，典型页读取时间为210us。工作电压为1.7V~1.95V，支持标准SPI、双SPI和四SPI接口。该设备还具有高级安全特性，包括内部数据移动、8位ECC选项、可锁定的16K-Byte OTP区域、10年数据保留时间和128位唯一ID。封装为8-Pad WSON8 (8x6mm)。

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￥83.65
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型号：S29GL256P11FFIV10 编号：C2944840

封装：LBGA-64

的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒，随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器，一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短

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￥122.38
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型号：XT27Q08ABSIGA 编号：C42162952

封装：BGA-63