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首页 > 热门关键词 > FLASH存储器芯片
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P25Q21L/11L/06L 是一款串行接口闪存设备,专为各类大批量消费类应用而设计。在这些应用中,程序代码会从闪存复制到嵌入式或外部 RAM 中执行。该设备灵活的擦除架构具有页面擦除粒度,也非常适合用于数据存储,无需额外的数据存储设备
数据手册
  • 5+

    ¥0.3727
  • 50+

    ¥0.3641
  • 150+

    ¥0.3583
  • 有货
  • 4M位串行外设接口(SPI)闪存,适用于各种大量基于消费的应用,其中程序代码从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。其灵活的擦除架构,具有页面擦除粒度,也非常适合数据存储,无需额外的数据存储设备。该设备的擦除块大小经过优化,以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小,可以更有效地利用内存空间
    • 5+

      ¥0.4658
    • 50+

      ¥0.456
    • 150+

      ¥0.4495
    • 500+

      ¥0.4429
  • 订货
  • 8M位串行外设接口(SPI)闪存,适用于各种大批量消费类应用,其中程序代码从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。该设备灵活的擦除架构及其页面擦除粒度也非常适合数据存储,无需额外的数据存储设备。设备的擦除块大小经过优化,以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小,可以更有效地利用内存空间
    • 5+

      ¥0.9181
    • 50+

      ¥0.7357
    • 200+

      ¥0.6445
  • 有货
  • P25Q80L是一款串行接口闪存存储器件,专为各种大容量消费类应用而设计。在这些应用中,程序代码会从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行。该器件灵活的擦除架构,具备页擦除粒度,也非常适合用于数据存储,无需额外的数据存储设备
    数据手册
    • 5+

      ¥1.056
    • 50+

      ¥0.8292
    • 150+

      ¥0.732
  • 有货
    • 5+

      ¥1.083
    • 50+

      ¥0.8562
    • 150+

      ¥0.759
  • 有货
  • BY25D80是一款8M位串行外设接口(SPI)闪存,支持双SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)。双输出数据的传输速度为108Mbit/s。该器件采用单一低压电源供电,电压范围为2.7 V至3.6 V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2408
    • 50+

      ¥0.9888
    • 190+

      ¥0.8808
    • 475+

      ¥0.7461
    • 2470+

      ¥0.6861
    • 5035+

      ¥0.65
  • 订货
  • XT25F04D 串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),并支持双 SPI:串行时钟、片选、串行数据 I/O0(SI)、I/O1(SO)。双 I/O 数据传输速度为 208Mbits/s。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.335
    • 50+

      ¥1.0358
    • 200+

      ¥0.9075
    • 500+

      ¥0.7476
    • 2500+

      ¥0.6763
    • 5000+

      ¥0.6336
  • 订货
  • XT25W02E(2M 位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),并支持双 SPI:串行时钟、片选、串行数据输入/输出 0(SI)、输入/输出 1(SO)。双 I/O 数据传输速度为 80M 位/秒。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.581
    • 50+

      ¥1.2509
    • 200+

      ¥1.0523
    • 500+

      ¥0.8758
    • 2500+

      ¥0.7972
    • 5000+

      ¥0.75
  • 订货
    • 5+

      ¥1.8257
    • 50+

      ¥1.4549
    • 150+

      ¥1.296
  • 有货
    • 1+

      ¥2.67
    • 10+

      ¥2.61
    • 30+

      ¥2.58
  • 有货
  • MX25V40066是一款4Mb的串行NOR闪存,其内部配置为1,048,576 x 4。MX25V40066具备串行外设接口和软件协议,在单I/O模式下,可在简单的三线总线上运行。三条总线信号分别为时钟输入(SCLK)、串行数据输入(SI)和串行数据输出(SO)
    • 1+

      ¥2.72
    • 10+

      ¥2.17
    • 30+

      ¥1.93
    • 100+

      ¥1.64
  • 有货
    • 5+

      ¥2.7872
    • 50+

      ¥2.3336
    • 150+

      ¥2.1392
    • 500+

      ¥1.8967
  • 有货
  • MD25Q32C(32M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),并支持双/四路SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)和I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为240Mbit/s,四路I/O和四路输出数据传输速度为480Mbit/s。
    • 1+

      ¥3.07
    • 10+

      ¥2.43
    • 30+

      ¥2.15
  • 有货
    • 1+

      ¥3.34
    • 10+

      ¥2.62
    • 30+

      ¥2.31
    • 96+

      ¥1.92
    • 480+

      ¥1.75
    • 960+

      ¥1.65
  • 订货
    • 1+

      ¥4.39
    • 10+

      ¥3.69
    • 30+

      ¥3.35
    • 100+

      ¥3.01
    • 500+

      ¥2.8
    • 1000+

      ¥2.69
  • 有货
    • 1+

      ¥4.97
    • 10+

      ¥4.02
    • 30+

      ¥3.55
    • 100+

      ¥3.07
    • 500+

      ¥2.79
    • 1000+

      ¥2.65
  • 有货
  • 串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案,在简化引脚数封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和芯片使能(CE#)引脚组成,也可以配置为多I/O。该器件支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI
    数据手册
    • 1+

      ¥5.5
    • 10+

      ¥4.55
    • 30+

      ¥4.07
  • 有货
  • 8Mbit 2.7V-3.6V SPI
    数据手册
    • 1+

      ¥5.69
    • 10+

      ¥4.64
    • 30+

      ¥4.11
  • 有货
  • LE25U20AFD 是一款可兼容串行接口的闪存器件,带有 256K × 8 位配置。它使用 2.5 V 单电源。在充分利用串行闪存设备固有特性的同时,LE25U20AFD 采用 8 引脚超小型封装。这些功能均使得此器件适用于便携信息设备等应用中的存储程序代码,在此类应用中,尺寸越来越紧凑。而且,通过使用小扇区擦除功能,此产品还适用于参数和日期存储用途,并且具有相对较小的重写时间,而这点是 EEPROM 的能力短板。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.775 ¥7.7
    • 10+

      ¥4.8945 ¥7.53
    • 30+

      ¥4.081 ¥7.42
    • 100+

      ¥4.0205 ¥7.31
  • 有货
  • 特性:支持串行外设接口-模式0和模式3。 单电源操作-读取、擦除和编程操作电压为1.65至2.0伏。 33,554,432 x 1位结构或16,777,216 x 2位(双I/O模式)结构或8,388,608 x 4位(四I/O模式)结构。 协议支持-单I/O、双I/O和四I/O。 从-1V到Vcc +1V的闩锁保护至100mA。 SPI模式快速读取-所有协议支持高达133MHz的时钟频率
    • 1+

      ¥5.9
    • 10+

      ¥4.82
    • 30+

      ¥4.28
    • 100+

      ¥3.74
  • 有货
    • 1+

      ¥6.22
    • 10+

      ¥5
    • 30+

      ¥4.39
  • 有货
  • SST39VF1601C和SST39VF1602C器件是采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的1M×16 CMOS多用途闪存增强型(MPF+)器件。与其他方法相比,分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x在2.7 - 3.6V电源下进行写入(编程或擦除)操作
    数据手册
    • 1+

      ¥9.1776 ¥28.68
    • 10+

      ¥5.4274 ¥24.67
    • 30+

      ¥2.6748 ¥22.29
    • 100+

      ¥2.3856 ¥19.88
    • 480+

      ¥2.2524 ¥18.77
    • 960+

      ¥2.1924 ¥18.27
  • 有货
  • 128Mb,3.3V,WON8 6x5mm封装,工业级温度
    • 1+

      ¥9.904 ¥12.38
    • 10+

      ¥8.384 ¥10.48
    • 30+

      ¥7.432 ¥9.29
    • 100+

      ¥6.456 ¥8.07
    • 500+

      ¥6.016 ¥7.52
    • 1000+

      ¥5.824 ¥7.28
  • 有货
  • 25系列串行闪存产品采用四线SPI兼容接口,可实现低引脚数封装,占用更少的电路板空间,最终降低系统总成本。SST25PF020B器件具备更高的工作频率和更低的功耗。SST25PF020B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造
    数据手册
    • 1+

      ¥10.05
    • 10+

      ¥8.847 ¥9.83
    • 30+

      ¥7.744 ¥9.68
    • 100+

      ¥7.632 ¥9.54
  • 有货
  • IS25LP064D 和 IS25WP064D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案,其采用引脚数量精简的封装,兼具高度灵活性和高性能。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE(overline))引脚组成,也可配置为多 I/O 接口。该器件支持双 I/O 和四 I/O 模式,以及标准、双输出和四输出 SPI 模式
    数据手册
    • 1+

      ¥14.19
    • 10+

      ¥12.45
    • 30+

      ¥11.37
    • 100+

      ¥10.25
    • 500+

      ¥6.47
  • 有货
  • SST39VF320xB器件是采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造的2M x 16 CMOS多用途闪存增强型(MPF+)器件。与其他方法相比,分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39VF320xB可在2.7 - 3.6V电源下进行写入(编程或擦除)操作
    数据手册
    • 1+

      ¥14.8911 ¥30.39
    • 10+

      ¥11.3412 ¥29.08
    • 30+

      ¥8.2041 ¥28.29
    • 100+

      ¥8.0098 ¥27.62
  • 有货
  • SPI NOR FLASH,64Mbit,2.7~3.6V,SOP-8-208mil,Tube
    数据手册
    • 1+

      ¥17.18
    • 10+

      ¥14.46
    • 30+

      ¥12.77
    • 92+

      ¥11.03
    • 460+

      ¥10.24
    • 1012+

      ¥9.9
  • 订货
  • SST39VF401C/402C 和 SST39LF401C/402C 器件是采用专有高性能 CMOS SuperFlash 技术制造的 256K x16 CMOS 多用途闪存 Plus(MPF+)。与其他方法相比,分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39LF401C/402C 在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入(编程或擦除)操作
    数据手册
    • 1+

      ¥17.2227 ¥33.77
    • 10+

      ¥13.6038 ¥33.18
    • 30+

      ¥10.1649 ¥32.79
    • 96+

      ¥10.0409 ¥32.39
  • 有货
  • 是一款8 Mbit、3.0 V的闪存,组织为1,048,576字节或524,288字。提供48球细间距BGA(0.8 mm间距)和48引脚TSOP封装。字宽数据(x16)出现在DQ15-DQ0;字节宽(x8)数据出现在DQ7-DQ0。该器件设计为可在系统中使用标准系统3.0 V VCC电源进行编程,写入或擦除操作不需要12.0 V VPP或5.0 V VCC。该器件也可以在标准EPROM编程器中进行编程。该器件的访问时间高达55 ns,允许高速微处理器在无等待状态下运行
    数据手册
    • 1+

      ¥18.09
    • 10+

      ¥15.38
    • 30+

      ¥13.69
  • 有货
  • 特性:符合开放NAND闪存接口 (ONFI) 1.0标准。 单级单元 (SLC) 技术。 页面大小x8:2112字节 (2048 + 64字节)。 页面大小x16:1056字 (1024 + 32字)。 块大小:64页 (128K + 4K字节)。 平面大小:2个平面,每个平面512个块
    数据手册
    • 1+

      ¥18.2
    • 10+

      ¥17.8
    • 30+

      ¥17.53
  • 有货
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