FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

16兆 3.3V spi nor flash

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型号：AT25DF081A-SSH-T 编号：C161758

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

8Mbit 2.7V-3.6V SPI

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型号：W25Q64JVSFIQ 编号：C2613929

封装：SOIC-16-300mil

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型号：MX30LF1G28AD-TI 编号：C2894349

封装：TSOPI-48

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX30LF1G28AD是一款1Gb/2Gb/4Gb SLC NAND Flash存储器设备，支持标准NAND Flash特性，具有高可靠性和典型P/E周期60K（带主机ECC）。适用于嵌入式系统代码和数据存储。

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型号：SST26VF040A-104I/MF 编号：C1015626

封装：WDFN-8-EP(5x6)

串行四路输入/输出（Serial Quad 1/O™，SQI™）系列闪存器件采用六线 4 位输入/输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF040A 还支持与传统串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）协议的全命令集兼容。采用 SQI 闪存器件的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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￥9.6462 ￥13.98
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型号：AT45DB081E-SHN-B 编号：C153092

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

8Mbit 1.7V-3.6V SPI

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￥9.73
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型号：W25Q32JWUUIQ 编号：C2760370

封装：USON-8(3x4)

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型号：IS25LP032D-JTLE-TR 编号：C5119926

封装：USON-8(3x4)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP032D和IS25WP032D串行闪存为用户提供了一种通用的存储解决方案，该方案采用引脚数量简化的封装，具备高度的灵活性和出色的性能。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多输入/输出（I/O）引脚

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型号：GD25LE128ELIGR 编号：C22431879

封装：WLCSP-16(1.5x1.5)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25LE128E（128M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四通道 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#/RESET#）。双 I/O 数据传输速率为 266Mbit/s，四 I/O 数据传输速率为 532Mbit/s。

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型号：SST25VF010A-33-4I-SAE 编号：C481384

封装：SOIC-8

SST的串行闪存系列采用四线、SPI兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。SST25VF010A SPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性

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型号：W25Q128JWFIQ 编号：C5441275

封装：SOIC-16-300mil

W25Q128JW（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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￥11.72
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型号：SST26VF016B-104I/SM 编号：C86305

封装：SOIC-8-208mil

串行四路输入输出（Serial Quad I/O™，SQI™）系列闪存设备采用六线 4 位输入输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF016B 还支持与传统串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）协议的全命令集兼容。采用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：SST26VF080A-104I/SN 编号：C1012895

封装：SOIC-8

Serial Quad I/O™ (SQI™) 系列闪存设备具有六线、4 位 I/O 接口，可在低引脚数封装中实现低功耗、高性能运行。还支持与传统串行外设接口 (SPI) 协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用更少的电路板空间并最终降低系统成本。26 系列 SQI 系列的所有成员均采用专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造

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型号：ZDSD512MLGEAG 编号：C22379765

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，商业级（ -30℃ to+85℃），标准SD2.0协议，512Mbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

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￥13.93
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型号：SST25VF040B-50-4I-S2AF 编号：C178274

封装：SOIC-8-208mil

25系列串行闪存产品具备四线SPI兼容接口，可采用引脚数少的封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总体成本。SST25VF040B器件在工作频率上有所提升，功耗更低。SST25VF040B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造

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型号：SST25VF016B-50-4I-S2AF-T 编号：C72258

封装：SOIC-8-208mil

25系列串行闪存系列具有四线SPI兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的电路板空间并最终降低总系统成本。SST25VF016B器件在原SST25VFxxxA器件的基础上，提高了工作频率，降低了功耗。SST25VF016B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。

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￥17.72
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型号：MX30LF1GE8AB-TI 编号：C6121823

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX30LF1G18AC是一款1G-bit的SLC NAND Flash存储器，适用于嵌入式系统代码和数据存储。它支持4-bit ECC，具有快速读取访问、缓存读取支持、块擦除操作等功能。

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￥19.07
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型号：S29AL016J70TFI010 编号：C2832248

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

该产品是16 Mbit、仅3.0 V的闪存，组织为2,097,152字节或1,048,576字。提供48球细间距BGA（0.8 mm间距）、64球加固BGA（1.0 mm间距）和48引脚TSOP封装。宽字数据（x16）出现在DQ15-DQ0；宽字节（x8）数据出现在DQ7-DQ0。该设备设计为可在系统中使用标准系统3.0 V VCC电源进行编程。写入或擦除操作不需要12.0 V VPP或5.0 V VCC。也可以在标准EPROM编程器中编程

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￥20.66
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￥17.71
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型号：MT25QU128ABA1EW9-0SIT TR 编号：C2065307

封装：W-PDFN-8-EP(8x6)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率:STR下所有协议最高166 MHz。DTR下所有协议最高90 MHz

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￥20.86
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￥17.68
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型号：GD25WQ128ESIGR 编号：C5749721

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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￥21.23
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￥18.2
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￥13.73
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型号：JS28F256P30TFE 编号：C598859

封装：TSOP-56-14.0mm

特性：高性能。简易球栅阵列（Easy BGA）初始访问时间为100ns。薄小外形封装（TSOP）初始访问时间为110ns。25ns 16字异步页读取模式。零等待状态下52MHz（Easy BGA）和17ns时钟到数据输出同步突发读取模式。突发模式提供4、8、16和连续字选项

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￥21.25
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型号：MT25QU128ABA1EW7-0SIT 编号：C1523871

封装：W-PDFN-8-EP(5x6)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率:STR下所有协议最高166 MHz。DTR下所有协议最高90 MHz

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￥22.01
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￥19.04
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型号：MT29F1G08ABAEAWP:E 编号：C2912232

封装：TSOPI-48

特性：符合开放 NAND 闪存接口 (ONFI) 1.0 标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小 x8：2112 字节 (2048 + 64 字节)。页面大小 x16：1056 字 (1024 + 32 字)。块大小：64 页 (128K + 4K 字节)。平面大小：2 个平面，每个平面 512 块

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￥23.23
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￥20.01
30+
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型号：SST39VF800A-70-4I-EKE 编号：C1352678

封装：TSOP-48-12.0mm