FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：TSOP-48-18.4mm

特性：8,388,608 x 8 / 4,194,304 x 16 可切换扇区结构。8KB(4KW) x 8 和 64KB(32KW) x 127。额外 128 字扇区用于安全。具有工厂锁定、可识别和客户可锁定的扇区组保护/芯片解锁功能。提供扇区组保护功能，防止在受保护扇区组中进行编程或擦除操作。提供芯片解锁功能，允许更改代码

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型号：MKDV4GCL-ABA 编号：C6152618

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:SLC,商业级，SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥26.391 ￥27.78
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型号：SST26VF032BAT-104I/MF 编号：C629160

封装：WDFN-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：GD5F1GQ5REYIGR 编号：C2927042

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GigaDevice SPI-NAND GD5F1GQ5REYIGR 是一款1Gb SLC NAND Flash，支持标准、双、四线SPI及DTR模式。具有低功耗、高可靠性、内部ECC等功能，适用于嵌入式系统。

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型号：GD5F1GQ5UEYIGY 编号：C2886520

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GigaDevice GD5F1GQ5UEYIGY 是一款1Gb SLC NAND Flash，支持标准、双线、四线SPI和双传输率模式。具备高级安全特性，如8K字节OTP区域、内部ECC校验等。适用于嵌入式系统，提供低功耗和高可靠性。

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型号：F35SQA001G-WWT 编号：C5126827

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：FORESEE(江波龙)

F35SQA001G 是一款 1Gbit (128Mx8bit) 的串行 NAND 闪存，支持标准 SPI 接口和双/四线 SPI 模式。工作电压为 2.7V 至 3.6V，支持 104 MHz 的 SPI 时钟频率。该设备具有内部 1-bit ECC 逻辑，默认启用。支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID，具有唯一 ID 和 62 个 OTP 页面。

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型号：MT29F2G08ABAGAWP-IT:G 编号：C2891524

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：micron(镁光)

特性：符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8：2176字节 (2048 + 128字节)。块大小：64页 (128K + 8K字节)。平面大小：2个平面，每个平面1024个块。设备大小：2Gb，2048个块

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型号：S25FL256SAGNFI001 编号：C466862

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0伏核心,具有通用I/O。SPI支持多I/O。SPI时钟极性和相位模式0和3,支持DDR选项。扩展寻址:24位或32位地址选项。串行命令集和引脚布局与S25FL A、S25FL K和S25FL P SPI系列兼容。多I/O命令集和引脚布局与S25FL P SPI系列兼容

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型号：S29GL064N90TFI030 编号：C2759936

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

S29GL - N 系列器件是采用 110 nm MirrorBit 技术制造的 3.0 伏单电源闪存。S29GL064N 是一款 64 Mb 的器件，组织形式为 4,194,304 个字或 8,388,608 个字节。S29GL032N 是一款 32 Mb 的器件，组织形式为 2,097,152 个字或 4,194,304 个字节

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型号：S26KL512SDABHB020 编号：C2944536

封装：VBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：S34ML02G100TFI000 编号：C112425

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

3.3V 2Gbit

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￥37.86
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型号：MKDN032GIL-AD 编号：C52754175

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND 32Gbit(4GByte), Flash 类型pSLC, P/E Cycles 5万次，速度等级：C10,U1,V10,别名贴片式TF卡,内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能;-40°C to +85°C,支持1.8v/3.3v IO电压

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￥51.4995 ￥54.21
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￥50.312 ￥52.96
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￥49.514 ￥52.12
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￥48.7255 ￥51.29

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型号：W25Q01JVSFIQ 编号：C2962013

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。适用于将代码映射到RAM、直接从双/四SPI (XIP)执行代码以及存储语音、文本和数据。设备在2.7V至3.6V的单电源下工作。

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￥71.93
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￥68.53
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￥56.925 ￥57.5

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型号：XT26Q18DWSIGA 编号：C42165003

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：XTX(芯天下)

XT26Q18D是一款8G-bit (1024M-byte)的SPI NAND Flash存储器，支持高级Dual/Quad I/O选项。它具有单级单元(SLC)技术，典型页编程时间为400us，典型块擦除时间为3.5ms，典型页读取时间为210us。工作电压为1.7V~1.95V，支持标准SPI、双SPI和四SPI接口。该设备还具有高级安全特性，包括内部数据移动、8位ECC选项、可锁定的16K-Byte OTP区域、10年数据保留时间和128位唯一ID。封装为8-Pad WSON8 (8x6mm)。

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￥83.65
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￥72.85
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型号：MT25QU01GBBB1EW9-0SIT 编号：C17366270

封装：WPDFN-8(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（两个512Mb裸片）。 SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。 STR中所有协议的时钟频率最大为166 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

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￥114.8
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￥110.56
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￥103.2

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型号：P24C16D-SSH-MIR 编号：C7419753

封装：SOP-8

品牌：PUYA(普冉)

5+
￥0.3236
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￥0.3155
150+
￥0.3101

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型号：BY25Q40AVTIG(R) 编号：C50176323

封装：SOP-8-150mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

4M位串行外设接口（SPI）闪存，适用于各种大量基于消费的应用，其中程序代码从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。其灵活的擦除架构，具有页面擦除粒度，也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备。该设备的擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小，可以更有效地利用内存空间

5+
￥0.5122
50+
￥0.4066
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￥0.3538
500+
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型号：P25Q40U-TSH-IR 编号：C5263836

封装：TSSOP-8

品牌：PUYA(普冉)

5+
￥0.5815
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￥0.5686
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￥0.5599

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型号：NB25Q40ATIGT 编号：C5360474

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

NOR FLASH,4Mbit,2.3Vto3.6V,SOP8-150Mil,Tube

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5+
￥0.6401
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￥0.5105
200+
￥0.4258
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￥0.3772
2500+
￥0.3383
5000+
￥0.3189

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型号：BY25Q40BLUIG(R) 编号：C50176325

封装：USON-8(2x3)

品牌：BOYAMICRO(博雅)

是 4M 位串行外设接口（SPI）闪存，适用于各种大量基于消费的应用，其中程序代码从闪存映射到嵌入式或外部 RAM 中执行。灵活的擦除架构，具有页面擦除粒度，也适用于数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，能更有效地利用内存空间，减少大扇区和大块擦除闪存设备产生的浪费和未使用的内存空间，在保持相同整体设备密度的同时允许添加额外的代码例程和数据存储段。使用 1.65V 至 2.0V 的单低压电源，支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID、128 位唯一序列号和三个 512 字节安全寄存器。

5+
￥0.6519
50+
￥0.5175
150+
￥0.4503
500+
￥0.3999

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型号：BY25Q80AWUIG(R) 编号：C50176332

封装：USON-8(2x3)

品牌：BOYAMICRO(博雅)

8M位串行外设接口（SPI）闪存，适用于各种大批量消费类应用，其中程序代码从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。该设备灵活的擦除架构及其页面擦除粒度也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备。设备的擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小，可以更有效地利用内存空间

5+
￥1.0714
50+
￥0.8458
150+
￥0.7491
500+
￥0.6285

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型号：BY25Q16ESTIG(T) 编号：C50172594

封装：SOP-8-150mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

16M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持标准串行外设接口 (SPI)、双/四 I/O SPI 以及 2 时钟指令周期四外设接口 (QPI)：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (DI)、I/O1 (DO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。支持高达 108MHz 的 SPI 时钟频率，使用快速读取双/四和 QPI 指令时，双 I/O 等效时钟速率可达 216MHz (108MHz x 2)，四 I/O 可达 432MHz (108MHz x 4)。这些传输速率可优于标准异步 8 位和 16 位并行闪存。连续读取模式允许以低至 8 个时钟的指令开销高效访问内存以读取 24 位地址

5+
￥1.0771
50+
￥0.8503
200+
￥0.7531

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型号：BY25Q32BSTIG(R) 编号：C7419821

封装：SOP-8-150mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

BY25Q32BS是一款32M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（/WP）和I/O3（/HOLD）。双I/O数据传输速率为216Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速率为432Mbit/s。该器件采用单一低压电源供电，电压范围为2.7V至3.6V

5+
￥2.0096
50+
￥1.556
150+
￥1.3616
500+
￥1.119

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型号：BY25Q64ESTIG(R) 编号：C50176341

封装：SOP-8-150mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

是 64M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (/WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 100Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 200Mbits/s。该器件使用单一低电压电源，范围为 2.7V 至 3.6V。此外，该器件支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节安全寄存器。

5+
￥2.0339
50+
￥1.6057
150+
￥1.4221

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型号：PM25LQ010B-SCE 编号：C411812

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

Pm25LQ512/010/020/040B（512K/1M/2M/4M位）串行闪存为简化引脚封装提供了兼具灵活性与高性能的存储解决方案。“行业标准串行接口”适用于空间、引脚和电源受限的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚在双模式和四模式下还兼作多功能I/O引脚

数据手册

1+
￥2.367 ￥2.63
10+
￥1.863 ￥2.07
30+
￥1.656 ￥1.84
100+
￥1.377 ￥1.53
500+
￥1.251 ￥1.39
1000+
￥1.179 ￥1.31

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型号：XT25Q64FWOIGT 编号：C29781638

封装：WSON-8-EP(6x5)

品牌：XTX(芯天下)

64Mbit 1.8V SPI NOR Quad I/O

1+
￥3.24
10+
￥3.17
30+
￥3.12
100+
￥3.07

有货

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型号：W25Q16JVUUIQ 编号：C571259

封装：USON-8(3x4)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q16JV（16M位）串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

1+
￥4.23
10+
￥3.49
30+
￥3.18
100+
￥2.7621 ￥2.79
500+
￥2.5839 ￥2.61
1000+
￥2.475 ￥2.5

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型号：W25Q32JVUUIQ 编号：C2999380

封装：USON-8(3x4)

品牌：Winbond(华邦)

3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL, QUAD SPI

数据手册

225+
￥8.089977
500+
￥6.718795
1000+
￥5.656129

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型号：W25Q128DR-TD 编号：C49211308

封装：SOP-8-208mil

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

性能特点：擦写次数高达 10 万次，数据可保存 20 年。支持高达 104MHz 的串行时钟，在双输出 SPI 模式下，等效时钟频率可达 208MHz，四输出 SPI 模式下，等效时钟频率可达 416MHz。连续读模式下，使用最少 8 个时钟的指令开销来读取 24 位地址，允许真正的 XIP（就地执行）操作，能有效提高代码执行效率。

1+
￥4.55
10+
￥3.84
30+
￥3.48
100+
￥3.13
500+
￥2.91
1000+
￥2.8

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型号：AT25SF041B-SSHD-T 编号：C5127618

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

Adesto AT25SF041B是一款串行接口闪存设备，专为各种大批量消费类应用而设计，在这些应用中，程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行。AT25SF041B的灵活擦除架构也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备。AT25SF041B的擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，这意味着可以更有效地使用内存空间。

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￥4.3
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