SDRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：MT53E1G32D2NP-046 WT:B 编号：C20169609

封装：WFBGA-200(10x14.5)

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型号：IS43LQ32256A-062BLI 编号：C17416862

封装：TFBGA-200(10x14.5)

是8Gbit CMOS LPDDR4 SDRAM。该设备组织为每个设备2个通道，每个通道为8个存储体和16位。该产品采用双倍数据速率架构实现高速运行。双倍数据速率架构本质上是一个16N预取架构，其接口设计为在I/O引脚的每个时钟周期传输两个数据字。该产品提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径在内部进行流水线处理，并预取16n位以实现非常高的带宽。

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型号：W9812G6KH-5I TR 编号：C17478644

封装：TSOP-54-10.2mm

W9812G6KH 是一个高带宽同步动态随机存取内存 (SDRAM)，组织为2M words x 4 banks x 16 bits。提供高达200 Mwords/s的数据带宽，支持多种速度等级，包括-5, -5I, -5J, -6, -6I, -6J 和 -75。

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型号：AS4C4M32SA-6TIN 编号：C17680418

封装：TFSOP-86-10.2mm

品牌：Alliance Memory

128Mb SDRAM，具有166MHz时钟频率，支持4个内部bank，每个bank为1M x 32位，支持可编程模式，适用于需要高带宽的应用。

单价：
￥158.3582 / 个

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型号：W9825G6KB-6 编号：C17452560

封装：TFBGA-54(8x8)

W9825G6KB 是一种高带宽同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，组织为 4M x 4 bank x 16 位。支持高达 166 MHz 的时钟频率，适用于高性能应用的主要内存。

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型号：NT6CL512T32AM-H1 编号：C920246

封装：BGA-178

品牌：Nanya(南亚科技)

特性：基于LPDDR3标准。低功耗。 8n预取架构，仅支持BL8。可配置的驱动强度（DS），以实现系统兼容性。可配置的片上终端（ODT）。通过外部ZQ引脚进行ZQ校准，确保DS/ODT阻抗精度（2400±1%）

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型号：MT40A4G8NEA-062E:F TR 编号：C20489350

封装：78-FBGA (7.5x11)

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型号：IS42S16100H-7TLI-TR 编号：C2063010

封装：TSOP-50-10.0mm

IS42S16100H是一款16Mb同步动态随机存取存储器，具有512K Words x 16 Bits x 2 Banks的组织结构，支持200, 166, 143 MHz的时钟频率，单3.3V供电，支持多种温度范围。

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型号：IS42S16100H-6BL 编号：C1351410

封装：TFBGA-60(6.4x10.1)

IS42/4516100H 是一款16Mb的同步动态随机存取存储器，组织为524,288字 x 16位 x 2个bank，支持高带宽数据传输。时钟频率为166 MHz，工作电压为3.3V，支持多种操作模式，包括可编程突发长度和CAS延迟等。

数据手册

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￥6.59
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￥5.32
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型号：IS42S32800J-7BLI 编号：C1348856

封装：TFBGA-90(8x13)

256Mb Synchronous DRAM，支持高带宽数据传输，全同步设计，内部4个Bank，支持自动刷新和省电模式。

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型号：HY57V641620HGT-HDR 编号：C7876

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：HYNIX(海力士)

64MBIT 动态DRAM 存储器

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￥11.24
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型号：W989D2DBJX6I TR 编号：C2456341

封装：VFBGA-90(8x13)

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￥22.42
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型号：W9825G6KB-6I 编号：C17519150

封装：TFBGA-54(8x8)

W9825G6KB是一款高速同步动态随机存取内存(SDRAM)，组织结构为4M words x 4 banks x 16 bits。该器件支持最高166 MHz的时钟频率，适用于高性能应用中的主内存。支持自刷新模式、突发读写、自动预充电等功能。

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￥22.76
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型号：W9864G2JH-6I TR 编号：C17234710

封装：TFSOP-86-10.2mm

512K x 4 BANKS × 32BITS SDRAM，最高数据带宽可达200Mwords/s。提供不同速度等级，包括-5、-6、-6l和-7。-5部分可运行至200MHz/CL3，-6和-6l部分可运行至166MHz/CL3，-6l工业级支持-40°C至85°C的工作温度，-7部分可运行至143MHz/CL3。访问方式为突发模式，连续内存位置在一个页面中可以以1、2、4、8或全页的突发长度访问。列地址由SDRAM内部计数器自动生成。通过编程模式寄存器，系统可以改变突发长度、延迟周期、交错或顺序突发，以最大化性能。W9864G2JH适用于高性能应用的主要内存。

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￥23.51
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型号：IS42S16160J-6TL-TR 编号：C2063457

封装：TSOPII-54-10.2mm

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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200+
￥9.29
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型号：MT41K128M16JT-107:K TR 编号：C20568126

封装：96-FBGA (8x14)

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￥24.94
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￥9.95
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型号：MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR 编号：C2061996

封装：TSOPII-54-10.2mm

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￥30.46
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￥26.07
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￥23.46
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￥19.05

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型号：W989D2DBJX6E 编号：C7604004

封装：VFBGA-90(8x13)

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￥31.67
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￥30.86
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￥30.33
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￥29.79

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型号：AS4C8M16SA-6TAN 编号：C1349207

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Alliance Memory

128Mb SDRAM，支持快速访问时间（5ns）和高速时钟频率（166MHz）。该器件符合AEC-Q100标准，适用于汽车应用，支持-40°C至105°C的工作温度范围。

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型号：MT48LC16M16A2P-7E IT:G 编号：C598766

封装：TSOPII-54-10.2mm

256Mb SDRAM 是一款高速CMOS动态随机存取存储器，包含268,435,456位。它内部配置为四组bankDRAM，具有同步接口。所有信号在时钟信号CLK的正沿注册。每个x4的67,108,864位bank组织为8192行x2048列x4位。每个x8的67,108,864位bank组织为8192行x1024列x8位。每个x16的67,108,864位bank组织为8192行x512列x16位。

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￥37.24
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￥32.25
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￥26.28
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￥24.89
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￥24.27

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型号：IS42S16160J-6BLI-TR 编号：C2063680

封装：TFBGA-54(8x8)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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型号：W989D2DBJX6I 编号：C17204625

封装：VFBGA-90(8x13)

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型号：MT48LC4M32B2P-6A:L 编号：C1351873

封装：TSOP-86-10.2mm

128Mb SDRAM，4兆 x 32位，4个bank，支持PC100标准，完全同步，所有信号在系统时钟的上升沿注册。具有内部流水线操作，可编程突发长度为1、2、4、8或全页，支持自动预充电和自刷新模式。工作温度范围包括商业级（0°C至70°C）、工业级（-40°C至85°C）和汽车级（-40°C至105°C）。

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￥42.94
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￥36.94
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￥33.28
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型号：W66CP2NQUAFJ 编号：C17452591

封装：WFBGA-200(10x14.5)

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￥17.27
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￥16.69
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￥16.41

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型号：MT48LC4M16A2P-6A IT:J TR 编号：C2888416

封装：TSOPII-54-10.2mm