SDRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

512Mb SDRAM 是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器，根据 DRAM 选项，可在 3.3V VDD/VDDQ 或 2.5V VDD/VDDQ 存储系统中运行。内部配置为具有同步接口的四体 DRAM。512Mb SDRAM（536,870,912 位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号 CLK 的正边沿寄存。所有输入和输出与 UV TTL 兼容。512Mb SDRAM 能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间在每个时钟周期随机更改列地址

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型号：W989D2DBJX6I TR 编号：C2456341

封装：VFBGA-90(8x13)

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型号：W9864G2JH-6I TR 编号：C17234710

封装：TFSOP-86-10.2mm

512K x 4 BANKS × 32BITS SDRAM，最高数据带宽可达200Mwords/s。提供不同速度等级，包括-5、-6、-6l和-7。-5部分可运行至200MHz/CL3，-6和-6l部分可运行至166MHz/CL3，-6l工业级支持-40°C至85°C的工作温度，-7部分可运行至143MHz/CL3。访问方式为突发模式，连续内存位置在一个页面中可以以1、2、4、8或全页的突发长度访问。列地址由SDRAM内部计数器自动生成。通过编程模式寄存器，系统可以改变突发长度、延迟周期、交错或顺序突发，以最大化性能。W9864G2JH适用于高性能应用的主要内存。

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型号：W66CP2NQUAFJ 编号：C17452591

封装：WFBGA-200(10x14.5)

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型号：CXDB4CBAM-ML-A 编号：C46618098

封装：BGA-200

品牌：CXMT(长鑫)

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型号：MT40A4G8NEA-062E:F TR 编号：C20489350

封装：78-FBGA (7.5x11)

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型号：CXDB6CCBM-MA-A 编号：C41416113

封装：BGA-200

品牌：CXMT(长鑫)

单价：
￥648 / 个

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型号：IS42S16100H-7TLI-TR 编号：C2063010

封装：TSOP-50-10.0mm

IS42S16100H是一款16Mb同步动态随机存取存储器，具有512K Words x 16 Bits x 2 Banks的组织结构，支持200, 166, 143 MHz的时钟频率，单3.3V供电，支持多种温度范围。

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型号：IS42S16100H-6BL 编号：C1351410

封装：TFBGA-60(6.4x10.1)

IS42/4516100H 是一款16Mb的同步动态随机存取存储器，组织为524,288字 x 16位 x 2个bank，支持高带宽数据传输。时钟频率为166 MHz，工作电压为3.3V，支持多种操作模式，包括可编程突发长度和CAS延迟等。

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型号：IS42S32800J-7BLI 编号：C1348856

封装：TFBGA-90(8x13)

256Mb Synchronous DRAM，支持高带宽数据传输，全同步设计，内部4个Bank，支持自动刷新和省电模式。

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型号：IS42S16160J-6TL-TR 编号：C2063457

封装：TSOPII-54-10.2mm

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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型号：MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR 编号：C2061996

封装：TSOPII-54-10.2mm

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型号：W989D2DBJX6E 编号：C7604004

封装：VFBGA-90(8x13)

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型号：MT48LC4M32B2P-6A:L 编号：C1351873

封装：TSOP-86-10.2mm

128Mb SDRAM，4兆 x 32位，4个bank，支持PC100标准，完全同步，所有信号在系统时钟的上升沿注册。具有内部流水线操作，可编程突发长度为1、2、4、8或全页，支持自动预充电和自刷新模式。工作温度范围包括商业级（0°C至70°C）、工业级（-40°C至85°C）和汽车级（-40°C至105°C）。

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型号：MT48H16M32LFB5-6 IT:C 编号：C598797

封装：VFBGA-90(8x13)

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型号：MT48LC4M16A2P-6A IT:J TR 编号：C2888416

封装：TSOPII-54-10.2mm

128Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储器，内部配置为四bankDRAM，具有同步接口。每个x4的33,554,432位bank组织为4096行x2048列x4位。每个x8的33,554,432位bank组织为4096行x1024列x8位。每个x16的33,554,432位bank组织为4096行x512列x16位。

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型号：FLXC2004G-30 编号：C18199807

封装：BGA-200

品牌：FORESEE(江波龙)

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型号：AS4C1M16S-7TCN 编号：C1349187

封装：TSOP-50-10.0mm

品牌：Alliance Memory

16Mb SDRAM，支持143MHz时钟频率，具有自刷新模式和可编程模式寄存器，适用于高性能PC应用，50针400mil塑料TSOP II封装。

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型号：HY57V641620HGT-HDR 编号：C7876

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：HYNIX(海力士)

64MBIT 动态DRAM 存储器

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型号：IS42VM16400M-75BLI 编号：C1351309

封装：TFBGA-54(8x8)

IS42VM16400M 是移动67,108,864位CMOS同步DRAM，组织为4个存储库，每个存储库包含1,048,567个16位字。该产品支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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型号：IS42VM32400H-75BLI 编号：C1351527

封装：TFBGA-90(8x13)

IS42/45SM/RM/VM32400H 是一款移动128Mb CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank包含1,048,576字x32位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持3.3V、2.5V和1.8V供电，具有自刷新、突发读写、可编程突发长度和类型等功能。

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型号：IS42S32800J-7TLI 编号：C3033371

封装：TSOP-86-10.2mm

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型号：IS42S32400F-7TLI 编号：C1351659

封装：TSOP-86-10.2mm

128Mb Synchronous DRAM, 具有高速数据传输能力，支持管道架构。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。存储器组织为1兆x32位x4个Bank，单电源3.3V±0.3V，LVTTL接口。时钟频率为143 MHz。

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型号：IS42S32400F-7TL 编号：C1349022

封装：TSOP-86-10.2mm

128Mb Synchronous DRAM, 具有高速数据传输能力，支持管道架构。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。存储器组织为1兆x32位x4个Bank，单电源3.3V±0.3V，LVTTL接口。时钟频率为143 MHz。

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型号：IS42VM16160K-75BLI 编号：C441483

封装：BGA-54

IS42/45SM/RM/VM16160K 是一款移动268,435,456位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank包含4,194,304个字 x 16位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正边沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。

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型号：IS42S32160F-6TLI 编号：C1352986

封装：TSOP-86-10.2mm

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型号：AS4C32M16SC-7TIN 编号：C1349997

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Alliance Memory

AS4C32M16SC-7TIN 是一款512Mbit的同步动态随机存取内存(SDRAM)，具有快速时钟速率133MHz，支持多种突发读写操作，四bank控制，数据掩码等功能。工作温度范围为-40°C至85°C，适用于工业环境。

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单价：
￥84.130954 / 个

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型号：MT48LC16M16A2BG-75IT:D 编号：C48924

封装：VFBGA-54(8x14)

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型号：IS42S83200J-7TLI 编号：C1350437

封装：TSOP-54-10.2mm