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IS42S16320F 7BLI

型号：IS42S16320F-7BLI 编号：C1350489

封装：TFBGA-54(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥70.05
10+
￥59.94
30+
￥53.79
100+
￥48.62

订货

我要订货

IS42S16320F 6TLI

型号：IS42S16320F-6TLI 编号：C1352204

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb Synchronous DRAM，高速CMOS动态随机存取存储器，支持3.3V VDD/VDDQ，具有内部四bank结构和同步接口，适用于高性能系统。支持多种突发长度和可编程CAS延迟。

数据手册

1+
￥74.54
10+
￥61.88
30+
￥55.75
100+
￥50.62

订货

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MT46V16M16P-5B IT:M TR

型号：MT46V16M16P-5B IT:M TR 编号：C20582514

封装：66-TSOP

品牌：micron(镁光)

1+
￥101.36
200+
￥40.45
500+
￥39.1
1000+
￥38.43

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16Mx32, 512Mb SDRAM

型号：IS42S32160F-7TLI 编号：C2930998

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb Synchronous DRAM，支持3.3V和2.5V供电，具有高带宽和低功耗特性。支持多种时钟频率，包括167 MHz和143 MHz。

数据手册

1+
￥132.7
10+
￥118.01
30+
￥107.66
108+
￥98.64

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MT53E2G32D4DE-046 WT:A

型号：MT53E2G32D4DE-046 WT:A 编号：C20450703

封装：200-TFBGA (10x14.5)

品牌：micron(镁光)

1+
￥506.63
30+
￥482.93

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AS4C8M16SA 7TCN

型号：AS4C8M16SA-7TCN 编号：C1523876

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：Alliance Memory

128Mb SDRAM，内部配置为4个2M字 x 16位的存储阵列，支持完全同步操作，具有可编程模式寄存器，适用于需要高带宽的应用。

数据手册

1+
￥7.59
10+
￥7.42
30+
￥6.63
100+
￥6.52

订货

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AS4C16M16SA 6BIN

型号：AS4C16M16SA-6BIN 编号：C1350087

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：Alliance Memory

256Mb SDRAM，内部配置为4个4M x 16位的bank，支持166MHz时钟频率，工业级温度范围-40°C至85°C，TFBGA封装。

数据手册

单价：
￥28.249855 / 个

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AS4C8M16SA 6TCN

型号：AS4C8M16SA-6TCN 编号：C1349366

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Alliance Memory

128Mb SDRAM，内部配置为4个2M字 x 16位的存储阵列，支持完全同步操作，具有可编程模式寄存器，适用于需要高带宽的应用。

数据手册

1+
￥9.65
10+
￥9.42
30+
￥9.27
100+
￥9.12

订货

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MT48LC16M16A2F4 6A:G

型号：MT48LC16M16A2F4-6A:G 编号：C1351120

封装：VFBGA-54(8x8)

品牌：Alliance Memory

256Mb SDRAM，支持16位数据宽度，6ns延迟，适用于工业级温度范围。该存储器采用同步接口，所有信号在系统时钟的上升沿注册。内部采用流水线架构，支持高速随机访问。支持自动预充电和自刷新模式。

数据手册

1+
￥14.67
10+
￥12.44
30+
￥11.04
100+
￥9.62
500+
￥8.97
1000+
￥8.69

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AS4C4M16SA 6BAN

型号：AS4C4M16SA-6BAN 编号：C1349141

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：Alliance Memory

64Mb SDRAM，166MHz，4个1M x 16位的存储库，支持完全同步操作，具有可编程模式寄存器，适用于需要高带宽的应用，特别是高性能PC应用。

数据手册

1+
￥30.94
10+
￥30.31
30+
￥28.34
100+
￥27.92

订货

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AS4C16M16SB-6TIN

型号：AS4C16M16SB-6TIN 编号：C2914326

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Alliance Memory

ALLIANCE AS4C16M16SB 是一个高带宽、高速 CMOS 同步 DRAM，内部配置为 4 个 4M 字 x 16 位的存储库，具有 256 Mbit 的总容量。支持快速访问时间、高时钟速率和多种突发模式。

数据手册

单价：
￥20.311027 / 个

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AS4C8M16SA 6TCNTR

型号：AS4C8M16SA-6TCNTR 编号：C2062805

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Alliance Memory

128Mb SDRAM，内部配置为4个2M字 x 16位的存储阵列，支持完全同步操作，具有可编程模式寄存器，适用于需要高带宽的应用。

数据手册

1+
￥43.58
200+
￥16.87
500+
￥16.28
1000+
￥15.98

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AS4C4M32SA-6TIN

型号：AS4C4M32SA-6TIN 编号：C17680418

封装：TFSOP-86-10.2mm

品牌：Alliance Memory

128Mb SDRAM，具有166MHz时钟频率，支持4个内部bank，每个bank为1M x 32位，支持可编程模式，适用于需要高带宽的应用。

1+
￥48.55
10+
￥47.5
30+
￥42.5
108+
￥41.8

订货

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AS4C8M32S 6TIN

型号：AS4C8M32S-6TIN 编号：C1352193

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：Alliance Memory

256 Mb SDRAM，具有快速访问时间和时钟速率，适用于高性能PC应用，支持模式寄存器编程。

数据手册

单价：
￥36.601089 / 个

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AS4C4M16SA 7BCN

型号：AS4C4M16SA-7BCN 编号：C1349101

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：Alliance Memory

64Mb SDRAM，4M x 16位，同步动态随机存取内存，具有快速访问时间（4.5/5.4/5.4 ns）、高速时钟速率（200/166/143 MHz）、完全同步操作、内部流水线架构、可编程模式寄存器等功能。适用于需要高带宽内存的应用，特别是高性能PC应用。

数据手册

1+
￥56.14
10+
￥48.3
30+
￥43.52
100+
￥39.51

订货

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AS4C8M16SA 6BIN

型号：AS4C8M16SA-6BIN 编号：C1348897

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：Alliance Memory

128Mb SDRAM，内部配置为4个2M字 x 16位的存储阵列，支持完全同步操作，具有可编程模式寄存器，适用于需要高带宽的应用。

数据手册

1+
￥65.63
348+
￥25.4
696+
￥24.51
1044+
￥24.07

订货

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AS4C32M16SB 6TIN

型号：AS4C32M16SB-6TIN 编号：C1351095

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：Alliance Memory

512Mb SDRAM是一款高速CMOS同步DRAM，内部配置为4个8M字x16位的DRAM，具有完全同步操作、内部流水线架构、可编程模式寄存器等功能。适用于需要高内存带宽的应用，特别是高性能PC应用。

数据手册

1+
￥206.52
30+
￥196.38

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停产 64Mb同步动态随机存取存储器

型号：IS42S16400J-7TLI-TR 编号：C94865

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

3.3V SDRAM。容量：64Mbit（8MB），位宽：16，工业级温度范围：-40 - +85，最高频率：143MHz。动态RAM存储器，支持自刷新

数据手册

1+
￥12.11925
50+
￥11.187
100+
￥10.720875
500+
￥10.4412
1000+
￥10.25475

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停产 256Mb同步动态随机存取存储器，高速数据传输，可编程突发长度和序列

型号：IS42S16160G-7BLI 编号：C427373

封装：BGA-54

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16160G是一款256Mb同步动态随机存取存储器，支持多种工作模式，包括自动刷新、自刷新、电源管理等。它具有高时钟频率，可编程的突发长度和CAS延迟，适用于高性能计算和嵌入式系统。

数据手册

1+
￥37.84
10+
￥32.69
30+
￥27.48
100+
￥24.39
348+
￥22.96
1044+
￥22.32

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128Mb同步动态随机存取存储器

型号：IS42S32400F-6BL 编号：C1352182

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mb Synchronous DRAM, 具有高速数据传输能力，支持管道架构。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。存储器组织为1兆x32位x4个Bank，单电源3.3V±0.3V，LVTTL接口。时钟频率为166 MHz。

数据手册

1+
￥36.79
10+
￥31.94
30+
￥28.99
100+
￥26.51

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64Mb同步动态随机存取存储器

型号：IS42S32200L-7BLI 编号：C7503161

封装：BGA-90

品牌：ISSI(美国芯成)

64Mb SDRAM 是一款高速 CMOS 动态随机存取存储器，设计用于工作在 3.3V 内存系统中，存储容量为 67,108,864 位。其内部配置为具有同步接口的四存储体 DRAM。每个 16,777,216 位存储体组织为 2,048 行×256 列×32 位

1+
￥85.29
10+
￥74.09
30+
￥67.27
100+
￥61.55

订货

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MT53E768M32D4DT-053 AIT:E

型号：MT53E768M32D4DT-053 AIT:E 编号：C20505705

封装：200-VFBGA (10x14.5)

品牌：micron(镁光)

1+
￥253
10+
￥242
50+
￥237.6

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停产 1M x 4组 × 16位SDRAM

型号：W9864G6JH-6 编号：C2943205

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

W9864G6JH是一款高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），其组织形式为1M字×4个存储体×16位。W9864G6JH的数据带宽最高可达每秒2亿字。针对不同应用，W9864G6JH分为以下速度等级：-5/-6/-61/-6A/-7/-7S

数据手册

155+
￥11.79629
200+
￥10.485591
500+
￥8.708372
1000+
￥7.331028

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停产 128Mb同步动态随机存取存储器

型号：IS42S32400F-7BLI 编号：C1352115

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mb Synchronous DRAM, 具有高速数据传输能力，支持管道架构。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。存储器组织为1兆x32位x4个Bank，单电源3.3V±0.3V，LVTTL接口。时钟频率为143 MHz。

数据手册

1+
￥39.22
10+
￥33.93
30+
￥30.71
100+
￥28.01

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512Mb移动同步动态随机存取存储器

型号：MT48H32M16LFB4-6 IT:C 编号：C1351581

封装：VFBGA-54(8x8)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD / VDDQ = 1.7–1.95V。完全同步；所有信号在系统时钟的正沿寄存。内部流水线操作；列地址可以在每个时钟周期更改。四个内部存储体用于并发操作。可编程突发长度：1、2、4、8和连续。自动预充电，包括并发自动预充电。自动刷新和自刷新模式。 LVTTL兼容输入和输出。片上温度传感器以控制自刷新速率。部分阵列自刷新（PASR）。深度掉电（DPD）。可选输出驱动强度（DS）。 64ms刷新周期；汽车温度下为32ms

数据手册

1+
￥45.55
10+
￥38.4
30+
￥34.04
100+
￥30.38

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256Mb同步动态随机存取存储器，高速数据传输，可编程突发长度和序列

型号：IS42S16160G-6BLI 编号：C7494652

封装：BGA-54

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16160G是一款256Mb同步动态随机存取存储器，支持多种工作模式，包括自动刷新、自刷新、电源管理等。它具有高时钟频率，可编程的突发长度和CAS延迟，适用于高性能计算和嵌入式系统。

1+
￥62.92
10+
￥53.7
30+
￥48.07
100+
￥43.36

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MT48LC4M32B2P 6A:L TR

型号：MT48LC4M32B2P-6A:L TR 编号：C2062038

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：micron(镁光)

128Mb SDRAM，4兆 x 32位，4个bank，支持PC100标准，完全同步，所有信号在系统时钟的上升沿注册。具有内部流水线操作，可编程突发长度为1、2、4、8或全页，支持自动预充电和自刷新模式。工作温度范围包括商业级（0°C至70°C）、工业级（-40°C至85°C）和汽车级（-40°C至105°C）。

数据手册

1+
￥49.65
10+
￥42.7
30+
￥38.47
100+
￥34.92

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我要订货

MT53E2G32D4DT-046 AAT:A TR

型号：MT53E2G32D4DT-046 AAT:A TR 编号：C20495082

封装：-

品牌：micron(镁光)

1+
￥918
200+
￥366.29
500+
￥354.05
1000+
￥348

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IS42S16400J 5TL

型号：IS42S16400J-5TL 编号：C1353177

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

64 Mb Synchronous DRAM，组织为1,048,576 bits x 16-bit x 4-bank，用于高性能3.3V内存系统。支持全同步操作，所有信号参考正时钟沿，具有可编程突发长度和自动刷新模式。

数据手册

1+
￥11.22
10+
￥9.44
30+
￥8.33
100+
￥7.2
500+
￥6.68
1000+
￥6.46

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IS42S81600F 6TL

型号：IS42S81600F-6TL 编号：C1351347

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mb Synchronous DRAM, 3.3V VDD 和 VDDQ, 54-pin TSOPII 封装, 支持 200, 166, 143 MHz 时钟频率, 商业级温度范围 0°C 到 +70°C。

数据手册

1+
￥9.88
10+
￥9.65
30+
￥9.49
100+
￥9.34

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