SDRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MT47H64M16HR-3 IT:H 编号：C20463692

封装：84-FBGA (8x12.5)

品牌：micron(镁光)

1+
￥125.62
200+
￥50.12
500+
￥48.45
1000+
￥47.62

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型号：IS42VM16400M-75BLI 编号：C1351309

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42VM16400M 是移动67,108,864位CMOS同步DRAM，组织为4个存储库，每个存储库包含1,048,567个16位字。该产品支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

1+
￥18.56
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￥15.74
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型号：AS4C4M16SA-6BIN 编号：C1349120

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：Alliance Memory

64Mb SDRAM是一款高速CMOS同步DRAM，内部配置为4个1M字x16位的DRAM，具有完全同步操作、内部流水线架构和可编程模式寄存器等功能。适用于需要高带宽和高性能PC应用的场合。

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单价：
￥20.537694 / 个

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型号：IS42VM32400H-75BLI 编号：C1351527

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM32400H 是一款移动128Mb CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank包含1,048,576字x32位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持3.3V、2.5V和1.8V供电，具有自刷新、突发读写、可编程突发长度和类型等功能。

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1+
￥32
10+
￥27.75
30+
￥25.23
240+
￥22.67
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￥21.5
960+
￥20.96

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型号：IS42S32800J-7TLI 编号：C3033371

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥33.65
10+
￥28.76
30+
￥25.79
100+
￥23.29

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型号：IS42S32400F-7TLI 编号：C1351659

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mb Synchronous DRAM, 具有高速数据传输能力，支持管道架构。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。存储器组织为1兆x32位x4个Bank，单电源3.3V±0.3V，LVTTL接口。时钟频率为143 MHz。

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1+
￥34.28
10+
￥29.25
30+
￥26.26
100+
￥23.24
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￥21.84
1000+
￥21.22

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型号：IS42S32400F-7TL 编号：C1349022

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mb Synchronous DRAM, 具有高速数据传输能力，支持管道架构。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。存储器组织为1兆x32位x4个Bank，单电源3.3V±0.3V，LVTTL接口。时钟频率为143 MHz。

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1+
￥42.11
10+
￥41.07
30+
￥40.37
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￥39.68

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型号：IS42VM16160K-75BLI 编号：C441483

封装：BGA-54

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM16160K 是一款移动268,435,456位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank包含4,194,304个字 x 16位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正边沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。

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1+
￥46.32
10+
￥40.07
30+
￥36.27
100+
￥33.08

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型号：IS42S32160F-6TLI 编号：C1352986

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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1+
￥52.44
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￥51.21
30+
￥50.39
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￥49.57

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型号：IS42S83200J-7TLI 编号：C1350437

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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1+
￥64.65
10+
￥55.65
30+
￥50.17
100+
￥45.57

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型号：IS42S16160L-6TLI 编号：C24491049

封装：TSOP-54

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥65.97
10+
￥64.01

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型号：IS42S16320F-7BLI 编号：C1350489

封装：TFBGA-54(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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1+
￥70.05
10+
￥59.94
30+
￥53.79
100+
￥48.62

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型号：IS42S32160F-7BLI 编号：C2064441

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb SDRAM 是一种高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于在3.3V VDD/VDDQ或2.5V VDD/VDDQ存储系统中运行，具体取决于DRAM选项。内部配置为具有同步接口的四体DRAM。该512Mb SDRAM（536,870,912位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的正沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容。512Mb SDRAM能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间的每个时钟周期随机更改列地址

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