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首页 > 热门关键词 > SDRAM存储器芯片
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IS42S16160J 6BL
型号：IS42S16160J-6BL 编号：C1351505
封装：TFBGA-54(8x8)
品牌：ISSI(美国芯成)
256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容
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    移动同步动态随机存取存储器
    型号：IS42VM32800K-75BLI 编号：C443413
    封装：BGA-90
    品牌：ISSI(美国芯成)
    这些 IS42/45SM/RM/VM32800K 是移动用 268,435,456 位 CMOS 同步 DRAM，组织形式为 4 个存储体，每个存储体有 2,097,152 字 × 32 位。这些产品提供完全同步操作，并以时钟的正沿为参考。所有输入和输出都与时钟输入的上升沿同步
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    MT48LC2M32B2B5 6A IT:J
    型号：MT48LC2M32B2B5-6A IT:J 编号：C1351490
    封装：VFBGA-90(8x13)
    品牌：micron(镁光)
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    IS42S16100H 7BLI
    型号：IS42S16100H-7BLI 编号：C1351409
    封装：TFBGA-60(6.4x10.1)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/4516100H 是一款16Mb的同步动态随机存取存储器，组织为524,288字 x 16位 x 2个bank，支持高带宽数据传输。时钟频率为143 MHz，工作电压为3.3V，支持多种操作模式，包括可编程突发长度和CAS延迟等。
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    MT48LC4M16A2P-6A IT:J
    型号：MT48LC4M16A2P-6A IT:J 编号：C20448432
    封装：54-TSOP II
    品牌：micron(镁光)

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    256Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S32800J-6TLI 编号：C1351836
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb Synchronous DRAM，支持高带宽数据传输，全同步设计，内部4个Bank，支持自动刷新和省电模式。
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    512Mb SDRAM高速数据同步突发
    型号：IS42S32160F-7TLI-TR 编号：C17489827
    封装：TFSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    512Mb SDRAM 是一种高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于在3.3V VDD/VDDQ或2.5V VDD/VDDQ存储系统中运行，具体取决于DRAM选项。内部配置为具有同步接口的四体DRAM。该512Mb SDRAM（536,870,912位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的正沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容。512Mb SDRAM能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间的每个时钟周期随机更改列地址

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    IS42VM16320E 6BLI
    型号：IS42VM16320E-6BLI 编号：C1352427
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM16320E 是8Mx16BitsX4Banks的Mobile Synchronous DRAM，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都同步到系统时钟的上升沿。支持自动刷新和自刷新，数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
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    IS42S16100H 6TLI
    型号：IS42S16100H-6TLI 编号：C1350741
    封装：TSOP-50-10.0mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/4516100H 是一款16Mb的同步动态随机存取存储器，组织为524,288字 x 16位 x 2个bank，支持高带宽数据传输。时钟频率为166 MHz，工作电压为3.3V，支持多种操作模式，包括可编程突发长度和CAS延迟等。
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    IS42S16100H 6BLI
    型号：IS42S16100H-6BLI 编号：C1350973
    封装：TFBGA-60(6.4x10.1)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/4516100H 是一款16Mb的同步动态随机存取存储器，组织为524,288字 x 16位 x 2个bank，支持高带宽数据传输。时钟频率为166 MHz，工作电压为3.3V，支持多种操作模式，包括可编程突发长度和CAS延迟等。
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    256Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16160J-6BLI-TR 编号：C2063680
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容
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    256Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16160J-7BL-TR 编号：C2065086
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容
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    IS42SM16400M 75BLI
    型号：IS42SM16400M-75BLI 编号：C1351907
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42SM16400M 是移动67,108,864位CMOS同步DRAM，组织为4个存储库，每个存储库包含1,048,567个16位字。该产品支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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    IS42S16160J 7BL
    型号：IS42S16160J-7BL 编号：C1351763
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容
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    IS42S16160J 7BLI TR
    型号：IS42S16160J-7BLI-TR 编号：C2063757
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容
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    IS45S16160J 7BLA2
    型号：IS45S16160J-7BLA2 编号：C1352673
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS42S83200J 6TLI
    型号：IS42S83200J-6TLI 编号：C1351908
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS42VM16160K 6BLI
    型号：IS42VM16160K-6BLI 编号：C1351952
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42VM16160K-6BLI 是一款移动 268,435,456 位 CMOS 同步 DRAM，组织为 4 组 4,194,304 字 x 16 位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出均与系统时钟的正沿同步。支持 1.8V 电源电压。
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    IS45S16160J 6BLA1
    型号：IS45S16160J-6BLA1 编号：C1352121
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    512Mb SDRAM高速数据同步突发
    型号：IS42S32160F-7BLI 编号：C2064441
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    512Mb SDRAM 是一种高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于在3.3V VDD/VDDQ或2.5V VDD/VDDQ存储系统中运行，具体取决于DRAM选项。内部配置为具有同步接口的四体DRAM。该512Mb SDRAM（536,870,912位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的正沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容。512Mb SDRAM能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间的每个时钟周期随机更改列地址
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    IS42RM16160K-6BLI
    型号：IS42RM16160K-6BLI 编号：C17616231
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42SM32800K 6BLI
    型号：IS42SM32800K-6BLI 编号：C1352131
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM32800K是移动268,435,456位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank有2,097,152字x32位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
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    256Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS45S16160J-7TLA2 编号：C1352108
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容
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    IS42S32800J 6BLI TR
    型号：IS42S32800J-6BLI-TR 编号：C2064743
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb Synchronous DRAM，支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性，所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank，每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。
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    IS42VM16320E 75BLI
    型号：IS42VM16320E-75BLI 编号：C1352683
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM16320E 是8Mx16BitsX4Banks的Mobile Synchronous DRAM，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都同步到系统时钟的上升沿。支持自动刷新和自刷新，数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
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    256Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS45S32800J-7TLA1 编号：C1352565
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机访问存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，每个bank有67,108,864位，组织为4,096行 x 512列 x 32位。支持全同步操作，所有信号参考时钟的上升沿。可编程突发长度，自动刷新模式，低功耗模式。
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    IS42S32160F 6BLI TR
    型号：IS42S32160F-6BLI-TR 编号：C2064627
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    512Mb Synchronous DRAM，支持3.3V和2.5V供电，具有高带宽和低功耗特性。支持多种时钟频率，包括167 MHz和143 MHz。
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    IS42S16320F 7TL
    型号：IS42S16320F-7TL 编号：C1348750
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    512Mb SDRAM 是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器，根据 DRAM 选项，可在 3.3V VDD/VDDQ 或 2.5V VDD/VDDQ 存储系统中运行。内部配置为具有同步接口的四体 DRAM。512Mb SDRAM（536,870,912 位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号 CLK 的正边沿寄存。所有输入和输出与 UV TTL 兼容。512Mb SDRAM 能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间在每个时钟周期随机更改列地址
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    IS42VM32160E 75BLI
    型号：IS42VM32160E-75BLI 编号：C1352542
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    这些是移动536,870,912位CMOS同步DRAM，组织为4个存储体，每个存储体有4,194,304个32位字。这些产品提供完全同步操作，并以时钟的正沿为参考。所有输入和输出都与时钟输入的上升沿同步。数据路径在内部采用流水线设计以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
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    IS42SM16320E 75BLI
    型号：IS42SM16320E-75BLI 编号：C1353890
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM16320E 是8Mx16BitsX4Banks的Mobile Synchronous DRAM，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都同步到系统时钟的上升沿。支持自动刷新和自刷新，数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
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