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首页 > 热门关键词 > SDRAM存储器芯片
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IS42S16100H 7BLI
型号：IS42S16100H-7BLI 编号：C1351409
封装：TFBGA-60(6.4x10.1)
品牌：ISSI(美国芯成)
IS42/4516100H 是一款16Mb的同步动态随机存取存储器，组织为524,288字 x 16位 x 2个bank，支持高带宽数据传输。时钟频率为143 MHz，工作电压为3.3V，支持多种操作模式，包括可编程突发长度和CAS延迟等。
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    IS42S16100H 6BLI
    型号：IS42S16100H-6BLI 编号：C1350973
    封装：TFBGA-60(6.4x10.1)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/4516100H 是一款16Mb的同步动态随机存取存储器，组织为524,288字 x 16位 x 2个bank，支持高带宽数据传输。时钟频率为166 MHz，工作电压为3.3V，支持多种操作模式，包括可编程突发长度和CAS延迟等。
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    256Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16160J-7BL-TR 编号：C2065086
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容
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    IS42SM16400M 75BLI
    型号：IS42SM16400M-75BLI 编号：C1351907
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42SM16400M 是移动67,108,864位CMOS同步DRAM，组织为4个存储库，每个存储库包含1,048,567个16位字。该产品支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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    IS42S16160J 7BL
    型号：IS42S16160J-7BL 编号：C1351763
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容
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    IS42S16400N-6TLI
    型号：IS42S16400N-6TLI 编号：C25092598
    封装：TSOP-54
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S16160J 7BLI TR
    型号：IS42S16160J-7BLI-TR 编号：C2063757
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容
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    IS45S16160J 7BLA2
    型号：IS45S16160J-7BLA2 编号：C1352673
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS42VM16160K 6BLI
    型号：IS42VM16160K-6BLI 编号：C1351952
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42VM16160K-6BLI 是一款移动 268,435,456 位 CMOS 同步 DRAM，组织为 4 组 4,194,304 字 x 16 位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出均与系统时钟的正沿同步。支持 1.8V 电源电压。
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    IS45S16160J 6BLA1
    型号：IS45S16160J-6BLA1 编号：C1352121
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS42S16160L-7TLI
    型号：IS42S16160L-7TLI 编号：C27838516
    封装：TSOP-54
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S32400J-7TLI
    型号：IS42S32400J-7TLI 编号：C22670485
    封装：TSOP-86
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    4Mx16BitsX4Banks 移动同步 DRAM
    型号：IS42RM16160K-6BLI 编号：C17616231
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42SM32800K 6BLI
    型号：IS42SM32800K-6BLI 编号：C1352131
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM32800K是移动268,435,456位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank有2,097,152字x32位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
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    IS42SM16160K 6BLI
    型号：IS42SM16160K-6BLI 编号：C1351718
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42SM16160K-6BLI 是一款移动 268,435,456 位 CMOS 同步 DRAM，组织为 4 组 4,194,304 字 x 16 位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出均与系统时钟的正沿同步。支持 3.3V、2.5V 和 1.8V 电源电压。
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    IS42S32800J 6BLI TR
    型号：IS42S32800J-6BLI-TR 编号：C2064743
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb Synchronous DRAM，支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性，所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank，每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。
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    IS42S32160F 6BLI TR
    型号：IS42S32160F-6BLI-TR 编号：C2064627
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    512Mb Synchronous DRAM，支持3.3V和2.5V供电，具有高带宽和低功耗特性。支持多种时钟频率，包括167 MHz和143 MHz。
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    IS42VM16320E 75BLI
    型号：IS42VM16320E-75BLI 编号：C1352683
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM16320E 是8Mx16BitsX4Banks的Mobile Synchronous DRAM，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都同步到系统时钟的上升沿。支持自动刷新和自刷新，数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
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      ￥99.89

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    IS42VM16320E 6BLI
    型号：IS42VM16320E-6BLI 编号：C1352427
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM16320E 是8Mx16BitsX4Banks的Mobile Synchronous DRAM，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都同步到系统时钟的上升沿。支持自动刷新和自刷新，数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
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    IS42S32800L-6BLI
    型号：IS42S32800L-6BLI 编号：C23768283
    封装：BGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

      ￥103.77

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    IS42S16320F 7TL
    型号：IS42S16320F-7TL 编号：C1348750
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    512Mb SDRAM 是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器，根据 DRAM 选项，可在 3.3V VDD/VDDQ 或 2.5V VDD/VDDQ 存储系统中运行。内部配置为具有同步接口的四体 DRAM。512Mb SDRAM（536,870,912 位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号 CLK 的正边沿寄存。所有输入和输出与 UV TTL 兼容。512Mb SDRAM 能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间在每个时钟周期随机更改列地址
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      ￥120.85

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      ￥115.41

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    IS42VM32160E 75BLI
    型号：IS42VM32160E-75BLI 编号：C1352542
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    这些是移动536,870,912位CMOS同步DRAM，组织为4个存储体，每个存储体有4,194,304个32位字。这些产品提供完全同步操作，并以时钟的正沿为参考。所有输入和输出都与时钟输入的上升沿同步。数据路径在内部采用流水线设计以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
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      ￥124.79

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      ￥120.99
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    IS42SM16320E 75BLI
    型号：IS42SM16320E-75BLI 编号：C1353890
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM16320E 是8Mx16BitsX4Banks的Mobile Synchronous DRAM，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都同步到系统时钟的上升沿。支持自动刷新和自刷新，数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
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    128Mb，X32 SDRAM
    型号：MT48LC4M32B2P-6A IT:L 编号：C2062095
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：micron(镁光)
    特性：PC100兼容。 完全同步：所有信号在系统时钟的正沿注册。 内部流水线操作；列地址可以每个时钟周期更改。 内部存储体用于隐藏行访问/预充电。 可编程突发长度：1、2、4、8或整页。 自动预充电，包括并发自动预充电和自动刷新模式。 自刷新模式（AT设备不可用）。 自动刷新：64ms，4096周期刷新（商业和工业）；16ms，4096周期刷新（汽车）。 LVTTL兼容输入和输出。 单3.3V±0.3V电源。 支持1、2和3的CAS延迟（CL）
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    IS42S86400F 7TLI
    型号：IS42S86400F-7TLI 编号：C1350475
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    512Mb SDRAM 是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器，根据 DRAM 选项，可在 3.3V VDD/VDDQ 或 2.5V VDD/VDDQ 存储系统中运行。内部配置为具有同步接口的四体 DRAM。512Mb SDRAM（536,870,912 位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号 CLK 的正边沿寄存。所有输入和输出与 UV TTL 兼容。512Mb SDRAM 能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间在每个时钟周期随机更改列地址
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    512Mb SDRAM高速数据传输
    型号：IS42S32160F-7TL 编号：C17295913
    封装：TFSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)

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      ￥144.42

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    512Mb SDRAM高速数据传输
    型号：IS42S16320F-6TL 编号：C17672183
    封装：TSOP-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    ISSI的512Mb SDRAM实现了高速数据传输，所有输入和输出信号均参考时钟输入的上升沿。它支持可编程突发长度和序列，具有内部bank机制，可隐藏行访问/预充电，提供无缝、高速的随机访问操作。

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    4Gb 移动版 LPDDR4/LPDDR4X 内存
    型号：IS43LQ16256B-062BLI 编号：C22409682
    封装：FBGA-200(10x14.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    是4Gbit CMOS LPDDR4 SDRAM。产品组织为每个设备1个通道，通道为8个存储体和16位。使用双数据速率架构实现高速运行，本质上是16N预取架构，接口设计为在I/O引脚上每个时钟周期传输两个数据字。提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径内部采用流水线处理，预取16n位以实现非常高的带宽。 片上温度传感器，其状态可从MR4读取。

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      ￥148.98

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      ￥144.55
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    IS43TR16256ECL-125LB2LI
    型号：IS43TR16256ECL-125LB2LI 编号：C22456158
    封装：BGA-96
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

      ￥195.05

    • 30+

      ￥186.14
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    IS45S16320F 7BLA2
    型号：IS45S16320F-7BLA2 编号：C1352576
    封装：TFBGA-54(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    512Mb Synchronous DRAM，高速CMOS动态随机存取存储器，支持3.3V VDD/VDDQ，具有内部四bank结构和同步接口，适用于高性能系统。支持多种突发长度和可编程CAS延迟。
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