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首页 > 热门关键词 > SDRAM存储器芯片
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AS4C8M16SA 6BIN
型号：AS4C8M16SA-6BIN 编号：C1348897
封装：TFBGA-54(8x8)
品牌：Alliance Memory
128Mb SDRAM，内部配置为4个2M字 x 16位的存储阵列，支持完全同步操作，具有可编程模式寄存器，适用于需要高带宽的应用。
数据手册

  • 1+

    ￥65.63

  • 348+

    ￥25.4

  • 696+

    ￥24.51

  • 1044+

    ￥24.07
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    AS4C32M16SB 6TIN
    型号：AS4C32M16SB-6TIN 编号：C1351095
    封装：TSOP-54-10.2mm
    品牌：Alliance Memory
    512Mb SDRAM是一款高速CMOS同步DRAM，内部配置为4个8M字x16位的DRAM，具有完全同步操作、内部流水线架构、可编程模式寄存器等功能。适用于需要高内存带宽的应用，特别是高性能PC应用。
    数据手册

    • 单价：

      ￥105.128594 / 个
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    FLXC2004G-30
    型号：FLXC2004G-30 编号：C18199807
    封装：BGA-200
    品牌：FORESEE(江波龙)

    • 1+

      ￥229.6

    • 30+

      ￥218.76
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    256Mb同步动态随机存取存储器 停产
    型号：IS42S16160J-6TLI 编号：C91278
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于在3.3V VDD和3.3V VDDQ存储系统中运行，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体DRAM。每个67,108,864位的存储体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。该SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号都在时钟信号CLK的上升沿进行寄存。所有输入和输出都与LVTTL兼容
    数据手册

    • 1+

      ￥31.15

    • 10+

      ￥26.99

    • 30+

      ￥24.52

    • 100+

      ￥22.03

    • 500+

      ￥20.87

    • 1000+

      ￥20.36
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    256Mb，x4、x8、x16汽车级SDRAM
    型号：MT48LC16M16A2P-6A:G TR 编号：C41881
    封装：TSOP-54-400mil
    品牌：micron(镁光)
    特性：PC100和PC133兼容。 完全同步；所有信号在系统时钟的正沿寄存。 内部流水线操作；列地址可以每个时钟周期更改。 内部存储体用于隐藏行访问/预充电。 可编程突发长度：1、2、4、8或整页。 自动预充电，包括并发自动预充电和自动刷新模式。 自刷新模式（AAT设备不可用）。 自动刷新：64ms，8192周期（商业和工业）；16ms，8192周期（汽车）。 LVTTL兼容输入和输出。 单3.3V±0.3V电源。 AEC-Q100 PPAP提交。 8D响应时间
    数据手册

    • 1+

      ￥48.12

    • 10+

      ￥42.76

    • 30+

      ￥39.5

    • 100+

      ￥29.68
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    64Mb同步动态随机存取存储器 停产
    型号：IS42S32200L-6TLI 编号：C521294
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，专为在3.3V内存系统中运行而设计，包含67,108,864位。其内部配置为具有同步接口的四存储体DRAM。每个16,777,216位存储体被组织为2,048行×256列×32位
    数据手册

    • 1+

      ￥26.76

    • 10+

      ￥23.49

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      ￥21.55

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      ￥18.32

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      ￥17.41

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      ￥17
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    256Mb同步动态随机存取存储器 停产
    型号：IS42S16160J-6BLI 编号：C1351289
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容
    数据手册

    • 1+

      ￥32.19

    • 10+

      ￥28.27

    • 30+

      ￥25.94

    • 100+

      ￥20.77

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      ￥19.68

    • 1044+

      ￥19.19
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    停产 64Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16400J-7TLI-TR 编号：C94865
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    3.3V SDRAM。 容量：64Mbit（8MB），位宽：16，工业级温度范围：-40 - +85，最高频率：143MHz。动态RAM存储器，支持自刷新
    数据手册

    • 单价：

      ￥13.08 / 个
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    停产 128Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16800F-7TLI 编号：C69411
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128-Mbit(16M × 8bit)，并行接口，工作电压：3.3V
    数据手册

    • 15+

      ￥24.54746

    • 100+

      ￥21.178201

    • 1000+

      ￥19.493571
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    256Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S32800G-7BLI 编号：C17636266
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四组DRAM。每个67,108,864位组由4,096行、512列和32位组成。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的正沿进行寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

    • 1+

      ￥122.4

    • 240+

      ￥48.84

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      ￥46.4
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    128Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S32400F-6BL 编号：C1352182
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mb Synchronous DRAM, 具有高速数据传输能力，支持管道架构。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。存储器组织为1兆x32位x4个Bank，单电源3.3V±0.3V，LVTTL接口。时钟频率为166 MHz。
    数据手册

    • 1+

      ￥36.79

    • 10+

      ￥31.94

    • 30+

      ￥28.99

    • 100+

      ￥26.51
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    512Mb移动同步动态随机存取存储器
    型号：MT48H32M16LFB4-6 IT:C 编号：C1351581
    封装：VFBGA-54(8x8)
    品牌：micron(镁光)
    特性：VDD / VDDQ = 1.7–1.95V。 完全同步；所有信号在系统时钟的正沿寄存。 内部流水线操作；列地址可以在每个时钟周期更改。 四个内部存储体用于并发操作。 可编程突发长度：1、2、4、8和连续。 自动预充电，包括并发自动预充电。 自动刷新和自刷新模式。 LVTTL兼容输入和输出。 片上温度传感器以控制自刷新速率。 部分阵列自刷新（PASR）。 深度掉电（DPD）。 可选输出驱动强度（DS）。 64ms刷新周期；汽车温度下为32ms
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    • 1+

      ￥45.55

    • 10+

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      ￥34.04

    • 100+

      ￥30.38
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    MT48LC4M32B2P 6A:L TR
    型号：MT48LC4M32B2P-6A:L TR 编号：C2062038
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：micron(镁光)
    128Mb SDRAM，4兆 x 32位，4个bank，支持PC100标准，完全同步，所有信号在系统时钟的上升沿注册。具有内部流水线操作，可编程突发长度为1、2、4、8或全页，支持自动预充电和自刷新模式。工作温度范围包括商业级（0°C至70°C）、工业级（-40°C至85°C）和汽车级（-40°C至105°C）。
    数据手册

    • 1+

      ￥49.65

    • 10+

      ￥42.7

    • 30+

      ￥38.47

    • 100+

      ￥34.92
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    停产 1M x 4组 × 16位SDRAM
    型号：W9864G6JH-6 编号：C2943205
    封装：TSOP-54-10.2mm
    品牌：Winbond(华邦)
    W9864G6JH是一款高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），其组织形式为1M字×4个存储体×16位。W9864G6JH的数据带宽最高可达每秒2亿字。针对不同应用，W9864G6JH分为以下速度等级：-5/-6/-61/-6A/-7/-7S
    数据手册

    • 50+

      ￥16.482229

    • 200+

      ￥13.83042

    • 500+

      ￥11.486281

    • 1000+

      ￥9.669573
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    64MB同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S32200L-7BLI 编号：C7503161
    封装：BGA-90
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64Mb SDRAM 是一款高速 CMOS 动态随机存取存储器，设计用于工作在 3.3V 内存系统中，存储容量为 67,108,864 位。其内部配置为具有同步接口的四存储体 DRAM。每个 16,777,216 位存储体组织为 2,048 行×256 列×32 位

    • 1+

      ￥85.29

    • 10+

      ￥74.09

    • 30+

      ￥67.27

    • 100+

      ￥61.55
  • 订货
    • 我要订货
    MT53E2G32D4DT-046 AAT:A TR
    型号：MT53E2G32D4DT-046 AAT:A TR 编号：C20495082
    封装：-
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥918

    • 200+

      ￥366.29

    • 500+

      ￥354.05

    • 1000+

      ￥348
  • 订货
    • 我要订货
    IS42S81600F 6TL
    型号：IS42S81600F-6TL 编号：C1351347
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mb Synchronous DRAM, 3.3V VDD 和 VDDQ, 54-pin TSOPII 封装, 支持 200, 166, 143 MHz 时钟频率, 商业级温度范围 0°C 到 +70°C。
    数据手册

    • 1+

      ￥9.88

    • 10+

      ￥9.65

    • 30+

      ￥9.49

    • 100+

      ￥9.34
  • 订货
    • 我要订货
    IS42S16400J 6TL
    型号：IS42S16400J-6TL 编号：C1350840
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64Mb SDRAM，1兆位 x 16位 x 4个bank，3.3V供电，支持多种时钟频率，内部4个bank可隐藏行访问/预充电周期，提供无缝高速随机访问操作。
    数据手册

    • 1+

      ￥10.83

    • 10+

      ￥10.58

    • 30+

      ￥10.41

    • 100+

      ￥10.25
  • 订货
    • 我要订货
    IS42S16400J 5TL
    型号：IS42S16400J-5TL 编号：C1353177
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64 Mb Synchronous DRAM，组织为1,048,576 bits x 16-bit x 4-bank，用于高性能3.3V内存系统。支持全同步操作，所有信号参考正时钟沿，具有可编程突发长度和自动刷新模式。
    数据手册

    • 1+

      ￥11.22

    • 10+

      ￥9.44

    • 30+

      ￥8.33

    • 100+

      ￥7.2

    • 500+

      ￥6.68

    • 1000+

      ￥6.46
  • 订货
    • 我要订货
    停产 128Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S32400F-7BLI 编号：C1352115
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mb Synchronous DRAM, 具有高速数据传输能力，支持管道架构。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。存储器组织为1兆x32位x4个Bank，单电源3.3V±0.3V，LVTTL接口。时钟频率为143 MHz。
    数据手册

    • 1+

      ￥39.22

    • 10+

      ￥33.93

    • 30+

      ￥30.71

    • 100+

      ￥28.01
  • 订货
    • 我要订货
    IS42S32800G-6BLI 停产
    型号：IS42S32800G-6BLI 编号：C2920767
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42S32800G 是一款 256Mb 的 Synchronous DRAM，支持 200MHz 的时钟频率，3.3V 单电源供电。具有 8M x 32 的组织结构，4 个内部bank，可编程的突发长度和 CAS 延迟。工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于工业应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥40.5

    • 10+

      ￥39.61

    • 30+

      ￥36.28

    • 100+

      ￥35.68
  • 订货
    • 我要订货
    IS42S16400J-7BLI
    型号：IS42S16400J-7BLI 编号：C3033373
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

    • 1+

      ￥13.58

    • 10+

      ￥13.26

    • 30+

      ￥13.05

    • 100+

      ￥12.21
  • 订货
    • 我要订货
    64MB同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S32200L-7TLI 编号：C5803543
    封装：TSOP-86-400mil
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64Mb SDRAM 是一款高速 CMOS 动态随机存取存储器，设计用于工作在 3.3V 内存系统中，存储容量为 67,108,864 位。其内部配置为具有同步接口的四存储体 DRAM。每个 16,777,216 位存储体组织为 2,048 行×256 列×32 位

    • 1+

      ￥19.11

    • 10+

      ￥18.62

    • 30+

      ￥18.3

    • 108+

      ￥17.97
  • 订货
    • 我要订货
    停产 128Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S32400F-6TL 编号：C413752
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42S32400F 是一款128Mb Synchronous DRAM，支持高速数据传输。该芯片采用3.3V电源，具有全同步特性，所有信号均参考时钟输入的上升沿。内部配置为四bankDRAM，每个bank为33,554,432位，组织为4,096行 x 256列 x 32位。支持可编程突发长度和自动刷新模式。
    数据手册

    • 10+

      ￥29.123809

    • 100+

      ￥25.126423

    • 1000+

      ￥23.127731
    我要订货
    128Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16800F-6TL 编号：C1351329
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mb Synchronous DRAM, 3.3V VDD 和 VDDQ, 54-pin TSOPII 封装, 支持 200, 166, 143 MHz 时钟频率, 商业级温度范围 0°C 到 +70°C。
    数据手册

    • 1+

      ￥31.97

    • 10+

      ￥31.23

    • 30+

      ￥30.73

    • 100+

      ￥30.23
  • 订货
    • 我要订货
    停产 128Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S32400F-6TLI 编号：C108951
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    32位SDRAM,128Mb(16MB,4Mbx32),3.3v工业级-40°C~85°C,同MT48LC4M32B2P-7IT,MT48LC2M32B2P,W9864G2JH,W9812G2GH
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    停产 IS42S16160G-7TLI
    型号：IS42S16160G-7TLI 编号：C427371
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42S16160G是一款256Mb同步动态随机存取存储器，支持多种工作模式，包括自动刷新、自刷新、电源管理等。它具有高时钟频率，可编程的突发长度和CAS延迟，适用于高性能计算和嵌入式系统。
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    IS42S16400J 6BLI
    型号：IS42S16400J-6BLI 编号：C1351293
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64Mb SDRAM，1兆位 x 16位 x 4个bank，3.3V供电，支持多种时钟频率，内部4个bank可隐藏行访问/预充电周期，提供无缝高速随机访问操作。
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    停产 256Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16160G-7BLI 编号：C427373
    封装：BGA-54
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42S16160G是一款256Mb同步动态随机存取存储器，支持多种工作模式，包括自动刷新、自刷新、电源管理等。它具有高时钟频率，可编程的突发长度和CAS延迟，适用于高性能计算和嵌入式系统。
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    128Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16800F-5TLI 编号：C17430725
    封装：TSOP-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mb Synchronous DRAM, 3.3V供电，支持200MHz时钟频率，四bank结构，支持自动刷新和低功耗模式。

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