SDRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：H5AG38EXNDX026N 编号：C53144632

封装：-

品牌：HYNIX(海力士)

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型号：AS4C16M16SB-7TCN 编号：C2919810

封装：TSOP-54-10.2mm

ALLIANCE AS4C16M16SB 是一个高带宽、高速 CMOS 同步 DRAM，内部配置为 4 个 4M 字 x 16 位的存储库，具有 256 Mbit 的总容量。支持快速访问时间、高时钟速率和多种突发模式。

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型号：AS4C16M16SB-6TIN 编号：C2914326

封装：TSOPII-54-10.2mm

ALLIANCE AS4C16M16SB 是一个高带宽、高速 CMOS 同步 DRAM，内部配置为 4 个 4M 字 x 16 位的存储库，具有 256 Mbit 的总容量。支持快速访问时间、高时钟速率和多种突发模式。

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型号：IS42S32200L-7TL 编号：C427372

封装：TSOP-86-10.2mm

64Mb SDRAM 是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V内存系统，包含67,108,864位。内部配置为具有同步接口的四体DRAM。每个16,777,216位的存储体被组织成2,048行×256列×32位。64Mb SDRAM 包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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型号：IS45S32400F-7TLA2 编号：C17452505

封装：TFSOP-86-10.2mm

128Mb同步动态随机存取存储器（SDRAM）采用流水线架构实现高速数据传输。所有输入和输出信号均以时钟输入的上升沿为参考。这款128Mb SDRAM的组织形式为1Meg × 32位 × 4个存储体

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型号：AS4C2M32SA-6TCN 编号：C1348788

封装：TSOP-86-10.2mm

64Mb SDRAM 是一种高速CMOS同步DRAM，内部配置为四组512K x 32 DRAM，每个512K x 32位的bank组织为2048行 x 256列 x 32位。读写访问以选定位置开始，并按照编程的序列继续访问多个位置。

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型号：AS4C2M32S-7BCN 编号：C1349188

封装：TFBGA-90(8x13)

2M x 32 bit Synchronous DRAM (SDRAM)，具有快速访问时间和高时钟速率，支持完全同步操作，内部流水线架构，四个内部bank，可编程模式，多种突发长度和类型，适用于需要高带宽的应用。

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型号：AS4C4M32S-7BCN 编号：C17530072

封装：TFBGA-90(8x13)

128Mb AS4C4M32S SDRAM 是一款高速 CMOS 同步 DRAM，内部配置为四组 1M x 32 DRAM。具有快速访问时间（5.4/5.4 ns）和高时钟速率（166/143 MHz）。支持完全同步操作，内部流水线架构，可编程模式，自动刷新和自刷新功能。

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型号：AS4C4M16SA-6TAN 编号：C1350131

封装：TSOPII-54-10.2mm

64Mb SDRAM，166MHz，4个1M x 16位的存储库，支持完全同步操作，具有可编程模式寄存器，适用于需要高带宽的应用，特别是高性能PC应用。

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型号：AS4C32M8SA-7TCNTR 编号：C2065241

封装：TSOPII-54-10.2mm

32M x 8 bit Synchronous DRAM (SDRAM) 是高速CMOS同步DRAM，包含256 Mbits，内部配置为4个8M x 8位的存储库。支持快速访问时间（5/5.4 ns）、高时钟速率（143 MHz）、完全同步操作、内部流水线架构、可编程模式寄存器、自动刷新和自刷新功能等。

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型号：AS4C32M16SB-7BIN 编号：C17334765

封装：FBGA-54(8x8)

512Mb SDRAM是一款高速CMOS同步动态随机存取内存，内部配置为4个8M x 16位的DRAM，具有快速访问时间和高时钟频率，支持多种突发长度和模式寄存器编程。

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型号：AS4C16M32SC-7TIN 编号：C1350457

封装：TSOP-86-10.2mm

AS4C16M32SC-7TIN 是一款512Mbit的同步动态随机存取内存(SDRAM)，具有快速时钟速率133MHz，支持多种突发读写操作，四bank控制，数据掩码等功能。工作温度范围为-40°C至85°C，适用于工业环境。

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型号：MT53E4G32D8CY-046 WT:C TR 编号：C20529456

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型号：W9825G6KH-6 TR 编号：C2456276

封装：TSOPII-54-10.2mm

W9825G6KH是一款高速同步动态随机存取存储器(SDRAM)，组织为4M字 × 4个bank × 16位。它支持最高200 MHz的时钟频率，具有多种速度等级，包括-5, -5l, -6, -6l, -6J, -6L, -75, 75J 和 75L。-5/-5l等级部件符合200MHz/CL3规范（-5l工业等级保证支持-40°C至85°C）。-6/-6l/-6J/-6L等级部件符合166MHz/CL3规范（-6l工业等级支持-40°C至105°C）。-75/75J/75L等级部件符合133MHz/CL3规范（75J工业加等级保证支持-40°C至105°C）。-6L和75L等级部件支持自刷新电流IDD6最大1.5 mA。

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型号：IS42S16400J-6TLI-TR 编号：C17216754

封装：TSOP-54-10.2mm

IS42S16400J是一款64Mb同步动态随机存取内存(SDRAM)，具有1兆位x16位x4个bank的组织结构，支持全同步操作，所有信号都参考正时钟边缘。工作频率为166MHz，单3.3V电源供电，LVTTL接口。可编程突发长度，内部bank用于隐藏行访问/预充电时间，具备自动刷新模式和低功耗模式。

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型号：W9825G6KH-5 编号：C2641238

封装：TSOPII-54-10.2mm

W9825G6KH是一款高速同步动态随机存取存储器(SDRAM)，组织为4M字 × 4个bank × 16位。它支持最高200 MHz的时钟频率，具有多种速度等级，包括-5, -5l, -6, -6l, -6J, -6L, -75, 75J 和 75L。-5/-5l等级部件符合200MHz/CL3规范（-5l工业等级保证支持-40°C至85°C）。-6/-6l/-6J/-6L等级部件符合166MHz/CL3规范（-6l工业等级支持-40°C至105°C）。-75/75J/75L等级部件符合133MHz/CL3规范（75J工业加等级保证支持-40°C至105°C）。-6L和75L等级部件支持自刷新电流IDD6最大1.5 mA。

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型号：W9825G6JH-6I 编号：C97700

封装：TSOP-54

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型号：W63AH6NBVABI 编号：C17569595

封装：VFBGA-178(11x11.5)

1Gb LPDDR3 SDRAM，支持双数据速率架构和16位数据宽度，具有低功耗模式和高速读写能力。

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型号：MT62F1G32D2DS-026 WT:B 编号：C20555309

封装：200-WFBGA(10x14.5)

特性：架构: -每通道最大带宽17.1 GB/s。频率范围：1067-5 MHz（每引脚数据速率范围：8533-40 Mb/s，WCK:CK = 4:1）。可选CKR（WCK:CK = 2:1或4:1）。LPDDR5X/LPDDR5数据接口。单x16通道/裸片。双倍数据速率命令/地址输入。差分命令时钟（CK_t/CK_c），用于高速操作。差分数据时钟（WCK_t/WCK_c）

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型号：IS42S16160J-6TLI-TR 编号：C2065667

封装：TSOPII-54-10.2mm

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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型号：MT48LC8M16A2P-6A IT:L 编号：C20449338

封装：54-TSOPII

该产品是高速CMOS动态随机存取存储器，包含134,217,728位。它内部配置为具有同步接口的四体DRAM（所有信号在时钟信号CLK的正沿寄存）。x4的每个33,554,432位存储体组织为4,096行×2,048列×4位；x8的每个33,554,432位存储体组织为4,096行×1,024列×8位；x16的每个33,554,432位存储体组织为4,096行×512列×16位。对SDRAM的读写访问是突发式的；访问从选定位置开始，并按编程顺序继续访问编程数量的位置。访问从激活命令的寄存开始，然后是读或写命令。与激活命令同时寄存的地址位用于选择要访问的存储体和行（BA0、BA1选择存储体；A0-A11选择行）

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型号：MT48LC4M32B2B5-7 IT:G 编号：C20456984

封装：90-VFBGA (8x13)

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型号：CXDB4CBAM-ML-A 编号：C46618098

封装：BGA-200

品牌：CXMT(长鑫)

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型号：CXDB6CCBM-MA-A 编号：C41416113

封装：BGA-200

品牌：CXMT(长鑫)

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型号：IS42S16100H-6TLI 编号：C1350741

封装：TSOP-50-10.0mm

IS42/4516100H 是一款16Mb的同步动态随机存取存储器，组织为524,288字 x 16位 x 2个bank，支持高带宽数据传输。时钟频率为166 MHz，工作电压为3.3V，支持多种操作模式，包括可编程突发长度和CAS延迟等。

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型号：MT48LC8M16A2P-6A:L 编号：C22411879

封装：TSOP-54

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型号：MT48LC8M16A2P-6A:L TR 编号：C367430

封装：TSOPII-54-10.2mm

128Mb SDRAM，具有同步接口，内部配置为四组bank，每个bank2兆x16位x4组。

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型号：MT48H16M32LFB5-6 IT:C TR 编号：C2062060

封装：VFBGA-90(8x13)

该移动SDRAM具有16兆位x32位的存储容量，支持低功耗模式，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。时钟周期为6ns。

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型号：IS42S16320F-7TLI-TR 编号：C17628178

封装：TSOP-54-10.2mm