SDRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：IS42S16320F-6TL 编号：C17672183

封装：TSOP-54-10.2mm

ISSI的512Mb SDRAM实现了高速数据传输，所有输入和输出信号均参考时钟输入的上升沿。它支持可编程突发长度和序列，具有内部bank机制，可隐藏行访问/预充电，提供无缝、高速的随机访问操作。

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型号：IS43LQ16256B-062BLI 编号：C22409682

封装：FBGA-200(10x14.5)

是4Gbit CMOS LPDDR4 SDRAM。产品组织为每个设备1个通道，通道为8个存储体和16位。使用双数据速率架构实现高速运行，本质上是16N预取架构，接口设计为在I/O引脚上每个时钟周期传输两个数据字。提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径内部采用流水线处理，预取16n位以实现非常高的带宽。片上温度传感器，其状态可从MR4读取。

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型号：MT40A1G16KH-062E AAT:E 编号：C20541174

封装：96-FBGA(9x13)

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型号：IS45S16320F-7BLA2 编号：C1352576

封装：TFBGA-54(8x13)

512Mb Synchronous DRAM，高速CMOS动态随机存取存储器，支持3.3V VDD/VDDQ，具有内部四bank结构和同步接口，适用于高性能系统。支持多种突发长度和可编程CAS延迟。

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型号：IS43LQ32256A-062BLI 编号：C17416862

封装：TFBGA-200(10x14.5)

是8Gbit CMOS LPDDR4 SDRAM。该设备组织为每个设备2个通道，每个通道为8个存储体和16位。该产品采用双倍数据速率架构实现高速运行。双倍数据速率架构本质上是一个16N预取架构，其接口设计为在I/O引脚的每个时钟周期传输两个数据字。该产品提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径在内部进行流水线处理，并预取16n位以实现非常高的带宽。

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型号：IS42S32200L-7TLI 编号：C5803543

封装：TSOP-86-400mil

64Mb SDRAM 是一款高速 CMOS 动态随机存取存储器，设计用于工作在 3.3V 内存系统中，存储容量为 67,108,864 位。其内部配置为具有同步接口的四存储体 DRAM。每个 16,777,216 位存储体组织为 2,048 行×256 列×32 位

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型号：AS4C4M16SA-6BIN 编号：C1349120

封装：TFBGA-54(8x8)

64Mb SDRAM是一款高速CMOS同步DRAM，内部配置为4个1M字x16位的DRAM，具有完全同步操作、内部流水线架构和可编程模式寄存器等功能。适用于需要高带宽和高性能PC应用的场合。

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型号：IS45S32400F-7TLA2 编号：C17452505

封装：TFSOP-86-10.2mm

128Mb同步动态随机存取存储器（SDRAM）采用流水线架构实现高速数据传输。所有输入和输出信号均以时钟输入的上升沿为参考。这款128Mb SDRAM的组织形式为1Meg × 32位 × 4个存储体

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型号：H5CG48MEBDX014N 编号：C51891846

封装：-

品牌：HYNIX(海力士)

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型号：W9825G6KH-6 TR 编号：C2456276

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

W9825G6KH是一款高速同步动态随机存取存储器(SDRAM)，组织为4M字 × 4个bank × 16位。它支持最高200 MHz的时钟频率，具有多种速度等级，包括-5, -5l, -6, -6l, -6J, -6L, -75, 75J 和 75L。-5/-5l等级部件符合200MHz/CL3规范（-5l工业等级保证支持-40°C至85°C）。-6/-6l/-6J/-6L等级部件符合166MHz/CL3规范（-6l工业等级支持-40°C至105°C）。-75/75J/75L等级部件符合133MHz/CL3规范（75J工业加等级保证支持-40°C至105°C）。-6L和75L等级部件支持自刷新电流IDD6最大1.5 mA。

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型号：AS4C8M16SA-6TAN 编号：C1349207

封装：TSOPII-54-10.2mm

128Mb SDRAM，支持快速访问时间（5ns）和高速时钟频率（166MHz）。该器件符合AEC-Q100标准，适用于汽车应用，支持-40°C至105°C的工作温度范围。

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型号：AS4C4M32S-7BCN 编号：C17530072

封装：TFBGA-90(8x13)

128Mb AS4C4M32S SDRAM 是一款高速 CMOS 同步 DRAM，内部配置为四组 1M x 32 DRAM。具有快速访问时间（5.4/5.4 ns）和高时钟速率（166/143 MHz）。支持完全同步操作，内部流水线架构，可编程模式，自动刷新和自刷新功能。

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型号：AS4C64M16D2A-25BCN 编号：C17416887

封装：FBGA-84(8x12.5)

AS4C64M16D2A是一款高速CMOS双数据速率二代（DDR2）同步动态随机存取存储器（SDRAM），其16位宽的数据输入/输出（I/O）接口共包含1024 Mbit。该器件内部配置为8个存储体的DRAM，即8个存储体×8 Mb地址×16个I/O。该器件设计符合DDR2 DRAM的关键特性，如带附加延迟的后置列地址选通（CAS#）、写延迟 = 读延迟 - 1、片外驱动器（OCD）阻抗调整以及片上终端电阻（ODT）

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型号：AS4C4M16SA-6TAN 编号：C1350131

封装：TSOPII-54-10.2mm

64Mb SDRAM，166MHz，4个1M x 16位的存储库，支持完全同步操作，具有可编程模式寄存器，适用于需要高带宽的应用，特别是高性能PC应用。

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型号：AS4C32M8SA-7TCNTR 编号：C2065241

封装：TSOPII-54-10.2mm

32M x 8 bit Synchronous DRAM (SDRAM) 是高速CMOS同步DRAM，包含256 Mbits，内部配置为4个8M x 8位的存储库。支持快速访问时间（5/5.4 ns）、高时钟速率（143 MHz）、完全同步操作、内部流水线架构、可编程模式寄存器、自动刷新和自刷新功能等。

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型号：AS4C32M16SB-7BIN 编号：C17334765

封装：FBGA-54(8x8)

512Mb SDRAM是一款高速CMOS同步动态随机存取内存，内部配置为4个8M x 16位的DRAM，具有快速访问时间和高时钟频率，支持多种突发长度和模式寄存器编程。

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型号：AS4C16M32SC-7TIN 编号：C1350457

封装：TSOP-86-10.2mm

AS4C16M32SC-7TIN 是一款512Mbit的同步动态随机存取内存(SDRAM)，具有快速时钟速率133MHz，支持多种突发读写操作，四bank控制，数据掩码等功能。工作温度范围为-40°C至85°C，适用于工业环境。

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型号：MT48H32M16LFB4-6 IT:C 编号：C2061935

封装：VFBGA-54(8x8)

该移动SDRAM具有32兆位x16位的存储容量，支持低功耗模式，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。时钟周期为6ns。

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型号：W9812G6KH-5I TR 编号：C17478644

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

W9812G6KH 是一个高带宽同步动态随机存取内存 (SDRAM)，组织为2M words x 4 banks x 16 bits。提供高达200 Mwords/s的数据带宽，支持多种速度等级，包括-5, -5I, -5J, -6, -6I, -6J 和 -75。

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型号：MT48LC16M16A2P-7E IT:G 编号：C598766

封装：TSOPII-54-10.2mm

256Mb SDRAM 是一款高速CMOS动态随机存取存储器，包含268,435,456位。它内部配置为四组bankDRAM，具有同步接口。所有信号在时钟信号CLK的正沿注册。每个x4的67,108,864位bank组织为8192行x2048列x4位。每个x8的67,108,864位bank组织为8192行x1024列x8位。每个x16的67,108,864位bank组织为8192行x512列x16位。

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型号：AS4C16M16SA-7BCN 编号：C1348937

封装：TFBGA-54(8x8)

256Mb SDRAM，内部配置为4个4M x 16位的bank，支持143MHz时钟频率，商业级温度范围0°C至70°C，TFBGA封装。

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单价：
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型号：MT47H64M16HR-3 IT:H 编号：C20463692

封装：84-FBGA (8x12.5)

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型号：CXDB5CCAM-MK 编号：C39047067

封装：FBGA-200(10x15)

品牌：CXMT(长鑫)

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型号：W9825G6KB-6I 编号：C17519150

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：Winbond(华邦)

W9825G6KB是一款高速同步动态随机存取内存(SDRAM)，组织结构为4M words x 4 banks x 16 bits。该器件支持最高166 MHz的时钟频率，适用于高性能应用中的主内存。支持自刷新模式、突发读写、自动预充电等功能。

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型号：MT53E2G32D4NQ-046 WT:A 编号：C51891806

封装：VFBGA-200(10x14.5)

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型号：IS42S16160J-7TLI-TR 编号：C2065767

封装：TSOPII-54-10.2mm

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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型号：IS42S32800J-6TL 编号：C5714538

封装：TFSOP-86-10.2mm

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型号：MT48LC8M16A2P-6A:L TR 编号：C367430

封装：TSOPII-54-10.2mm