SDRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MT48LC16M16A2B4-6A IT:G 编号：C1352087

封装：VFBGA-54(8x8)

256Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机访问存储器，包含268,435,456位。它内部配置为四bankDRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号CLK的正沿注册）。每个x4的67,108,864位bank组织为8192行x2048列x4位。每个x8的67,108,864位bank组织为8192行x1024列x8位。每个x16的67,108,864位bank组织为8192行x512列x16位。

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型号：MT48LC8M16A2B4-6A IT:L 编号：C22437472

封装：VFBGA-54(8x8)

品牌：micron(镁光)

特性：PC100和PC133兼容。完全同步；所有信号在系统时钟的正沿寄存。内部流水线操作；列地址可以每个时钟周期更改。内部存储体用于隐藏行访问/预充电。可编程突发长度（BL）：1、2、4、8或整页。自动预充电，包括并发自动预充电和自动刷新模式。自刷新模式：标准和低功耗（AT设备不可用）。自动刷新：64ms，4096周期刷新（商业和工业）；16ms，4096周期刷新（汽车）。 LVTTL兼容输入和输出。单3.3V±0.3V电源

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型号：CXDB5CCBM-MA-A 编号：C38229153

封装：BGA-200

品牌：CXMT(长鑫)

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型号：IS42S16800F-7TL 编号：C2063470

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mb同步动态随机存取存储器（SDRAM）采用流水线架构实现高速数据传输。所有输入和输出信号均参考时钟输入的上升沿。这款128Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V Vdd和3.3V Vddq的存储系统，包含134,217,728位

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型号：IS42S16160J-6TLI-TR 编号：C2065667

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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型号：IS42S16160J-7TL 编号：C427060

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16160J是一款256Mb同步动态随机存取存储器（SDRAM），支持166MHz和143MHz时钟频率。它具有3.3V供电，适用于商业温度范围（0°C至+70°C）。该器件支持多种突发长度（1, 2, 4, 8, 全页）和CAS延迟（2, 3）。

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型号：MT48LC8M16A2P-6A IT:L 编号：C20449338

封装：54-TSOPII

品牌：micron(镁光)

该产品是高速CMOS动态随机存取存储器，包含134,217,728位。它内部配置为具有同步接口的四体DRAM（所有信号在时钟信号CLK的正沿寄存）。x4的每个33,554,432位存储体组织为4,096行×2,048列×4位；x8的每个33,554,432位存储体组织为4,096行×1,024列×8位；x16的每个33,554,432位存储体组织为4,096行×512列×16位。对SDRAM的读写访问是突发式的；访问从选定位置开始，并按编程顺序继续访问编程数量的位置。访问从激活命令的寄存开始，然后是读或写命令。与激活命令同时寄存的地址位用于选择要访问的存储体和行（BA0、BA1选择存储体；A0-A11选择行）

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型号：MT62F1G32D2DS-026 WT:B 编号：C20555309

封装：200-WFBGA(10x14.5)

品牌：micron(镁光)

特性：架构: -每通道最大带宽17.1 GB/s。频率范围：1067-5 MHz（每引脚数据速率范围：8533-40 Mb/s，WCK:CK = 4:1）。可选CKR（WCK:CK = 2:1或4:1）。LPDDR5X/LPDDR5数据接口。单x16通道/裸片。双倍数据速率命令/地址输入。差分命令时钟（CK_t/CK_c），用于高速操作。差分数据时钟（WCK_t/WCK_c）

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型号：RS2G32LV4D4BDT-46IT 编号：C53155008

封装：BGA-200(10x14.5)

品牌：Rayson(晶存)

8GB LPDDR4

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型号：RS4G32LR4D8BNR-46BT 编号：C53224318

封装：BGA-200(10x15)

品牌：Rayson(晶存)

晶存16GB LPDDR4；长鑫晶圆

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型号：IS42S16100H-7TL 编号：C150435

封装：TSOP-50-10.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

16-Mbit(1M × 16bit)，并行接口，工作电压：3V to 3.6V

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型号：AS4C16M16SB-7TCN 编号：C2919810

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：Alliance Memory

ALLIANCE AS4C16M16SB 是一个高带宽、高速 CMOS 同步 DRAM，内部配置为 4 个 4M 字 x 16 位的存储库，具有 256 Mbit 的总容量。支持快速访问时间、高时钟速率和多种突发模式。

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型号：W9825G6KH-5 编号：C2641238

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

W9825G6KH是一款高速同步动态随机存取存储器(SDRAM)，组织为4M字 × 4个bank × 16位。它支持最高200 MHz的时钟频率，具有多种速度等级，包括-5, -5l, -6, -6l, -6J, -6L, -75, 75J 和 75L。-5/-5l等级部件符合200MHz/CL3规范（-5l工业等级保证支持-40°C至85°C）。-6/-6l/-6J/-6L等级部件符合166MHz/CL3规范（-6l工业等级支持-40°C至105°C）。-75/75J/75L等级部件符合133MHz/CL3规范（75J工业加等级保证支持-40°C至105°C）。-6L和75L等级部件支持自刷新电流IDD6最大1.5 mA。

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型号：IS42S32200L-7TL 编号：C427372

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

64Mb SDRAM 是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V内存系统，包含67,108,864位。内部配置为具有同步接口的四体DRAM。每个16,777,216位的存储体被组织成2,048行×256列×32位。64Mb SDRAM 包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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型号：W9825G6KB-6 编号：C17452560

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：Winbond(华邦)

W9825G6KB 是一种高带宽同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，组织为 4M x 4 bank x 16 位。支持高达 166 MHz 的时钟频率，适用于高性能应用的主要内存。

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型号：W63AH6NBVABI 编号：C17569595

封装：VFBGA-178(11x11.5)

品牌：Winbond(华邦)

1Gb LPDDR3 SDRAM，支持双数据速率架构和16位数据宽度，具有低功耗模式和高速读写能力。

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型号：IS43LQ32128A-062TBLI 编号：C17234585

封装：TFBGA-200(10x14.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：AS4C16M16SA-6TIN 编号：C570212

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：Alliance Memory

256Mb SDRAM，166MHz，TSOP II封装，工业级工作温度范围 -40°C~85°C，单 +3.3V ±0.3V 供电，支持多种突发长度和突发类型。

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型号：IS42S16800F-7BLI 编号：C1349600

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mb Synchronous DRAM, 3.3V VDD 和 VDDQ, 54-pin TSOPII 和 54-ball BGA 封装, 支持 200, 166, 143 MHz 时钟频率, 工业级温度范围 -40°C 到 +85°C。

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型号：IS42S32800J-6BLI 编号：C1351419

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM，支持高带宽数据传输，全同步设计，内部4个Bank，支持自动刷新和省电模式。

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型号：IS42S32800J-7TL 编号：C1348830

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM，支持高带宽数据传输，全同步设计，内部4个Bank，支持自动刷新和省电模式。

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型号：IS45S16160J-6TLA1 编号：C521295

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四组DRAM。每个67,108,864位的存储体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。该256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿进行寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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