SDRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

16-Mbit(1M × 16bit)，并行接口，工作电压：3V to 3.6V

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型号：MT48LC4M16A2P-6A IT:J 编号：C20448432

封装：54-TSOP II

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型号：MT48LC4M16A2P-6A:J 编号：C1351881

封装：TSOPII-54-10.2mm

128Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储器，内部配置为四bankDRAM，具有同步接口。每个x4的33,554,432位bank组织为4096行x2048列x4位。每个x8的33,554,432位bank组织为4096行x1024列x8位。每个x16的33,554,432位bank组织为4096行x512列x16位。

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型号：IS45S32800J-7TLA1 编号：C1352565

封装：TSOP-86-10.2mm

256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机访问存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，每个bank有67,108,864位，组织为4,096行 x 512列 x 32位。支持全同步操作，所有信号参考时钟的上升沿。可编程突发长度，自动刷新模式，低功耗模式。

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型号：AS4C32M16SB-7TIN 编号：C570207

封装：TSOPII-54-10.2mm

512Mb SDRAM是一款高速CMOS同步DRAM，内部配置为4个8M字x16位的DRAM，具有完全同步操作、内部流水线架构、可编程模式寄存器等功能。适用于需要高内存带宽的应用，特别是高性能PC应用。

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型号：MT48LC4M32B2B5-6A XIT:L TR 编号：C2060979

封装：VFBGA-90(8x13)

128Mb SDRAM，4兆 x 32位，4个bank，支持PC100标准，完全同步，所有信号在系统时钟的上升沿注册。具有内部流水线操作，可编程突发长度为1、2、4、8或全页，支持自动预充电和自刷新模式。工作温度范围包括商业级（0°C至70°C）、工业级（-40°C至85°C）和汽车级（-40°C至105°C）。

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型号：IS42S32800J-6TL 编号：C5714538

封装：TFSOP-86-10.2mm

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型号：IS42S16800F-7BLI 编号：C1349600

封装：TFBGA-54(8x8)

128Mb Synchronous DRAM, 3.3V VDD 和 VDDQ, 54-pin TSOPII 和 54-ball BGA 封装, 支持 200, 166, 143 MHz 时钟频率, 工业级温度范围 -40°C 到 +85°C。

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型号：IS42S32800J-7TL 编号：C1348830

封装：TSOP-86-10.2mm

256Mb Synchronous DRAM，支持高带宽数据传输，全同步设计，内部4个Bank，支持自动刷新和省电模式。

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型号：IS45S16160J-6TLA1 编号：C521295

封装：TSOPII-54-10.2mm

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四组DRAM。每个67,108,864位的存储体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。该256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿进行寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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型号：MT48LC8M16A2B4-6A IT:L 编号：C22437472

封装：VFBGA-54(8x8)

特性：PC100和PC133兼容。完全同步；所有信号在系统时钟的正沿寄存。内部流水线操作；列地址可以每个时钟周期更改。内部存储体用于隐藏行访问/预充电。可编程突发长度（BL）：1、2、4、8或整页。自动预充电，包括并发自动预充电和自动刷新模式。自刷新模式：标准和低功耗（AT设备不可用）。自动刷新：64ms，4096周期刷新（商业和工业）；16ms，4096周期刷新（汽车）。 LVTTL兼容输入和输出。单3.3V±0.3V电源

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型号：NT6CL256M32AM-H1 编号：C920245

封装：BGA-178

品牌：Nanya(南亚科技)

特性：基于LPDDR3标准。低功耗。 8n预取架构，仅支持BL8。可配置的驱动强度（DS），以实现系统兼容性。可配置的片上终端（ODT）。通过外部ZQ引脚进行ZQ校准，确保DS/ODT阻抗精度（2400±1%）

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型号：CXDB5CCAM-MK 编号：C39047067

封装：FBGA-200(10x15)

品牌：CXMT(长鑫)

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型号：IS42S16160J-6BL 编号：C1351505

封装：TFBGA-54(8x8)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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型号：IS42S83200J-6TLI 编号：C1351908

封装：TSOPII-54-10.2mm

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型号：H5CG48MEBDX014N 编号：C51891846

封装：-

品牌：HYNIX(海力士)

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型号：IS42S16100H-7TLI 编号：C1349844

封装：TSOP-50-10.0mm

IS42/4516100H 是一款16Mb的同步动态随机存取存储器，组织为524,288字 x 16位 x 2个bank，支持高带宽数据传输。时钟频率为143 MHz，工作电压为3.3V，支持多种操作模式，包括可编程突发长度和CAS延迟等。

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型号：EM639325TS-6G 编号：C34893818

封装：TSOPII-86

品牌：ETRON(钰创)

EM639325 SDRAM是一种高速CMOS同步DRAM，包含128兆位。它内部配置为四路1M x 32 DRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号CLK的上升沿上寄存）。每个1M x 32位存储器组被组织为4096行 x 256列 x 32位。对SDRAM的读写访问是突发定向的；访问从选定的位置开始，并以编程的顺序继续访问编程数量的位置。访问从注册一个BankActivate命令开始，然后是读或写命令。EM639325提供可编程的读或写突发长度为1、2、4、8或整页，并具有突发终止选项。可以启用自动预充电功能，以提供在突发序列结束时启动的自定时间行预充电。刷新功能，无论是自动刷新还是自刷新，都易于使用。通过使用可编程模式寄存器，系统可以选择最合适的模式以最大化其性能。这些设备非常适合需要高内存带宽的应用。

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型号：W9816G6JH-6 编号：C2641169

封装：TSOP-50-10.0mm

品牌：Winbond(华邦)

W9816G6JH 是一种高速同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，组织为 512K 字 x 2 bank x 16 位。它提供高达 200M 字/秒的数据带宽。W9816G6JH 符合个人计算机工业标准，分为以下速度等级：-5, -6, -6l, -7 和 -7l。-5 级部件可运行至 200MHz/CL3。-6 和 -6l 级部件可运行至 166MHz/CL3（-6l 工业级部件保证支持 -40°C 至 85°C）。-7 和 -7l 级部件可运行至 143MHz/CL3（-7l 工业级部件保证支持 -40°C 至 85°C）。

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型号：AS4C4M16SA-6TIN 编号：C1523882

封装：TSOP-54-10.2mm

64Mb SDRAM是一款高速CMOS同步DRAM，内部配置为4个1M字x16位的DRAM，具有完全同步操作、内部流水线架构和可编程模式寄存器等功能。适用于需要高带宽和高性能PC应用的场合。

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型号：AS4C16M16SA-7TCN 编号：C570210

封装：TSOP-54-10.2mm

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型号：IS42S16400J-6TLI 编号：C2897490

封装：TSOPII-54-10.2mm

IS42S16400J是一款64Mb同步动态随机存取内存(SDRAM)，具有1兆位x16位x4个bank的组织结构，支持全同步操作，所有信号都参考正时钟边缘。工作频率为166MHz，单3.3V电源供电，LVTTL接口。可编程突发长度，内部bank用于隐藏行访问/预充电时间，具备自动刷新模式和低功耗模式。

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型号：AS4C64M16D2A-25BCN 编号：C17416887

封装：FBGA-84(8x12.5)

AS4C64M16D2A是一款高速CMOS双数据速率二代（DDR2）同步动态随机存取存储器（SDRAM），其16位宽的数据输入/输出（I/O）接口共包含1024 Mbit。该器件内部配置为8个存储体的DRAM，即8个存储体×8 Mb地址×16个I/O。该器件设计符合DDR2 DRAM的关键特性，如带附加延迟的后置列地址选通（CAS#）、写延迟 = 读延迟 - 1、片外驱动器（OCD）阻抗调整以及片上终端电阻（ODT）

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型号：W989D2DBJX6I 编号：C17204625

封装：VFBGA-90(8x13)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：IS42S16160J-7TLI-TR 编号：C2065767

封装：TSOPII-54-10.2mm

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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型号：MT48LC2M32B2B5-6A IT:J 编号：C1351490

封装：VFBGA-90(8x13)

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型号：MT48H16M32LFB5-6 IT:C 编号：C598797

封装：VFBGA-90(8x13)

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型号：IS42S16320F-7TLI 编号：C1348819

封装：TSOP-54-10.2mm

512Mb SDRAM 是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器，根据 DRAM 选项，可在 3.3V VDD/VDDQ 或 2.5V VDD/VDDQ 存储系统中运行。内部配置为具有同步接口的四体 DRAM。512Mb SDRAM（536,870,912 位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号 CLK 的正边沿寄存。所有输入和输出与 UV TTL 兼容。512Mb SDRAM 能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间在每个时钟周期随机更改列地址

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型号：IS42S32160F-7TLI-TR 编号：C17489827

封装：TFSOP-86-10.2mm