SDRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：IS42S32200C1-7TI 编号：C20590470

封装：86-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42S16800E-6BLI-TR 编号：C20595415

封装：54-TFBGA (8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS45S16800E-7TLA1-TR 编号：C20492431

封装：54-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42S16800D-75ETL-TR 编号：C20493280

封装：54-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42VM32160E-75BLI-TR 编号：C2065807

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM32160E 是移动 536,870,912 位 CMOS 同步 DRAM，组织为 4 个bank的 4,194,304 字 x 32 位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。内部数据路径经过流水线处理，以实现高带宽。输入和输出电压电平与 LVCMOS 兼容。

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单价：
￥59.489658 / 个

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型号：IS45S16320F-7TLA1-TR 编号：C2064517

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

ISSI的512Mb SDRAM实现了高速数据传输，所有输入和输出信号均参考时钟输入的上升沿。它支持可编程突发长度和序列，具有内部bank机制，可隐藏行访问/预充电，提供无缝、高速的随机访问操作。

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型号：IS42S86400F-6TLI-TR 编号：C2064353

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

ISSI的512Mb SDRAM实现了高速数据传输，所有输入和输出信号均参考时钟输入的上升沿。它支持可编程突发长度和序列，具有内部bank机制，可隐藏行访问/预充电，提供无缝、高速的随机访问操作。

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型号：IS45S32800J-6TLA1 编号：C17623285

封装：TFSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，具有同步接口。每个67,108,864位的bank组织为4,096行 x 512列 x 32位。

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216+
￥37.66
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￥36.4
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型号：IS42VM32800K-75BLI-TR 编号：C17296128

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM32800K是移动268,435,456位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank有2,097,152字x32位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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型号：IS42S32800J-7TL-TR 编号：C2064455

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM，支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性，所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank，每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。

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￥36.9
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￥35.61
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型号：IS42S32400E-7TLI-TR 编号：C20590545

封装：86-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥95.49
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￥38.1
500+
￥36.83
1500+
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型号：IS43LD32320D-18BLI 编号：C20189623

封装：VFBGA-134(10x11.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43/46LD16640D/32320D是1Gb CMOS LPDDR2 SDRAM，内部配置为8个bank。该设备使用双倍数据率架构实现高速操作。双倍数据率架构本质上是一个4N预取架构，设计用于在每个I/O引脚上每时钟周期传输两个数据位。该设备支持高速未终止逻辑(HSUL_12) I/O接口，时钟频率范围为10MHz到533MHz。

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型号：IS42S32200E-6BI 编号：C20586523

封装：90-TFBGA (8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS45S16320F-6TLA1-TR 编号：C2064620

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

ISSI的512Mb SDRAM实现了高速数据传输，所有输入和输出信号均参考时钟输入的上升沿。它支持可编程突发长度和序列，具有内部bank机制，可隐藏行访问/预充电，提供无缝、高速的随机访问操作。

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型号：IS45S16320F-7BLA1-TR 编号：C2064635

封装：TFBGA-54(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

ISSI的512Mb SDRAM实现了高速数据传输，所有输入和输出信号均参考时钟输入的上升沿。它支持可编程突发长度和序列，具有内部bank机制，可隐藏行访问/预充电，提供无缝、高速的随机访问操作。

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￥37.35
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型号：IS45S32800J-7BLA1 编号：C17234702

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，具有同步接口。每个67,108,864位的bank组织为4,096行 x 512列 x 32位。

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型号：IS45S16320F-7TLA1 编号：C1352159

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥36.39
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型号：IS43LR16640C-6BL 编号：C17377316

封装：TFBGA-60(8x10)

品牌：ISSI(美国芯成)

1Gb Mobile DDR SDRAM 是一款高速CMOS动态随机存取存储器，内部配置为四组bankDRAM。使用双数据率架构实现高速操作，支持自动刷新、部分阵列自刷新、多种工作温度范围等特性。

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￥38.88
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￥37.58
900+
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型号：IS42S16800D-6T 编号：C20491086

封装：54-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16800D是一款128Mb Synchronous DRAM，支持166MHz、143MHz和133MHz的时钟频率。它具有多种工作模式，包括可编程的突发长度和CAS延迟，适用于高速数据传输。该器件采用3.3V供电，支持工业温度范围（-40°C至85°C）。

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540+
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￥37.12

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型号：MT47H32M16HR-25E AAT:G TR 编号：C20463673

封装：84-FBGA (8x12.5)

品牌：micron(镁光)

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￥38.06
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型号：IS42S32400E-7BL 编号：C20585260

封装：90-TFBGA (8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥99.04
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￥39.52
480+
￥38.2
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￥37.55

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型号：IS45S16320F-6BLA1 编号：C1352875

封装：TFBGA-54(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb Synchronous DRAM，高速CMOS动态随机存取存储器，支持3.3V VDD/VDDQ，具有内部四bank结构和同步接口，适用于高性能系统。支持多种突发长度和可编程CAS延迟。

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型号：MT48LC16M16A2B4-7E IT:G 编号：C20454143

封装：54-VFBGA (8x8)

品牌：micron(镁光)

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型号：MT48LC8M16A2TG-7E IT:G 编号：C20450482

封装：54-TSOP II

品牌：micron(镁光)

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￥39.61
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型号：MT48H8M32LFB5-6 IT:H 编号：C20455398

封装：90-VFBGA (8x13)

品牌：micron(镁光)

1+
￥99.26
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￥39.61
500+
￥38.29
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型号：AS4C16M32MS-6BINTR 编号：C20481578

封装：FBGA-90(8x13)

品牌：micron(镁光)

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￥99.31
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￥39.63
500+
￥38.31
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型号：IS45S16320F-6CTLA1-TR 编号：C2064724

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb Synchronous DRAM，支持3.3V和2.5V供电，具有高带宽和低功耗特性。支持多种工作模式，包括自动刷新和自刷新。

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￥99.53
200+
￥38.52
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￥37.17
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型号：IS45S16320F-6TLA1 编号：C1353582

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS45S16320F-6TLA1是一款512Mb同步动态随机存取存储器，采用高速CMOS技术。它支持多种时钟频率，包括200 MHz、166 MHz和143 MHz。该存储器具有完全同步的接口，所有信号均参考时钟输入的上升沿。内部结构为四bank，支持自动刷新和低功耗模式。工作电压范围为2.3V至3.6V，适用于商业和工业温度范围。

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