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首页 > 热门关键词 > SDRAM存储器芯片
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W66CL2NQUAGJ TR
型号：W66CL2NQUAGJ TR 编号：C17250221
封装：WFBGA-200(10x14.5)
品牌：Winbond(华邦)

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    16Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS45S16100H-7TLA2 编号：C17328877
    封装：TSOPII-50
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS45S16100H 是一款16Mb同步动态随机存取存储器，支持双bank操作，具有200, 166, 143 MHz的时钟频率，单3.3V电源，LVTTL接口，可编程突发长度和序列。

    • 1+

      ￥28.14

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    IS45S16800F 7TLA1 TR
    型号：IS45S16800F-7TLA1-TR 编号：C2064271
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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      ￥28.44

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    IS45S16400J 6CTLA1
    型号：IS45S16400J-6CTLA1 编号：C1351900
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64 Mb Synchronous DRAM，组织为1,048,576 bits x 16-bit x 4-bank，用于高性能3.3V内存系统。支持全同步操作，所有信号参考正时钟沿，具有可编程突发长度和自动刷新模式。
    数据手册

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      ￥28.63

    • 200+

      ￥11.08

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      ￥10.69

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      ￥10.5
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    IS42SM16800H 6BLI TR
    型号：IS42SM16800H-6BLI-TR 编号：C2063515
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42SM16800H-6BLI-TR 是一款134,217,728位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank有2,097,152字 x 16位。支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。具有内部4个bank操作、自动刷新和自刷新功能。支持突发读取单写操作，所有引脚与LVCMOS接口兼容。
    数据手册

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      ￥29.07

    • 200+

      ￥11.25

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      ￥10.86

    • 1000+

      ￥10.66
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    IS45S16400J 6CTLA1 TR
    型号：IS45S16400J-6CTLA1-TR 编号：C2065615
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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      ￥29.31

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    IS42RM16800H 75BLI TR
    型号：IS42RM16800H-75BLI-TR 编号：C2063899
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM16800H 是一种128Mb (2M x 16Bits x 4Banks) 的移动同步DRAM，具有完全同步操作，内部4个bank操作，自动刷新和自刷新等功能。
    数据手册

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    16Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16100C1-6TL-TR 编号：C20454950
    封装：50-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS45S16160J 6BLA1 TR
    型号：IS45S16160J-6BLA1-TR 编号：C2063651
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS45S16160J 7BLA1
    型号：IS45S16160J-7BLA1 编号：C1352449
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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      ￥30.54

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    IS42VM16800H 6BLI TR
    型号：IS42VM16800H-6BLI-TR 编号：C2063756
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM16800H 是一种128Mb (2M x 16Bits x 4Banks) 的移动同步DRAM，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，具有完全同步操作，内部4个bank操作，自动刷新和自刷新等功能。
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      ￥30.58

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    IS42S32800J 75EBL
    型号：IS42S32800J-75EBL 编号：C1351804
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb Synchronous DRAM，支持高带宽数据传输，全同步设计，内部4个Bank，支持自动刷新和省电模式。
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      ￥30.84

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    IS45S16800F 7TLA1
    型号：IS45S16800F-7TLA1 编号：C1351488
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mb Synchronous DRAM, 3.3V VDD 和 VDDQ, 54-pin TSOPII 封装,
    数据手册

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    IS42VM32400H 75BLI TR
    型号：IS42VM32400H-75BLI-TR 编号：C2064634
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42VM32400H 是一款128Mb CMOS Synchronous DRAM，组织为4个bank，每个bank有1,048,576字 x 32位。支持3.3V、2.5V和1.8V电源电压，具有完全同步操作、自动刷新、部分阵列自刷新、可编程突发长度和突发类型等功能。
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    IS42RM16800H 6BLI TR
    型号：IS42RM16800H-6BLI-TR 编号：C2063510
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    组织为4个bank，每个bank有2,097,152字 x 16位。支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。具有内部4个bank操作、自动刷新和自刷新功能。支持突发读取单写操作，所有引脚与LVCMOS接口兼容。
    数据手册

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      ￥31.53

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    IS45S16160J 7TLA1 TR
    型号：IS45S16160J-7TLA1-TR 编号：C2064153
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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      ￥32.14

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    IS45S16400J 7CTLA2 TR
    型号：IS45S16400J-7CTLA2-TR 编号：C2064058
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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      ￥32.8

    • 200+

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    • 1500+

      ￥12.03
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    IS42VM32400H 6BLI TR
    型号：IS42VM32400H-6BLI-TR 编号：C2063649
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM32400H 是一款移动128Mb CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank包含1,048,576字x32位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持3.3V、2.5V和1.8V供电，具有自刷新、突发读写、可编程突发长度和类型等功能。
    数据手册

    • 1+

      ￥32.9

    • 200+

      ￥12.74

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      ￥12.07
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    IS45S16160J-6TLA1 TR
    型号：IS45S16160J-6TLA1 -TR 编号：C2063811
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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      ￥33.45

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      ￥12.27
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    IS45S16100H 7BLA2
    型号：IS45S16100H-7BLA2 编号：C1351872
    封装：TFBGA-60(6.4x10.1)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS45S16100H是一款16Mb同步动态随机存取存储器，具有512K Words x 16 Bits x 2 Banks的组织结构，支持200, 166, 143 MHz的时钟频率，单3.3V供电，支持多种温度范围。
    数据手册

    • 1+

      ￥33.58

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      ￥12.32
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    IS42RM32400H 6BLI TR
    型号：IS42RM32400H-6BLI-TR 编号：C2063700
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    具有完全同步操作、自动刷新、部分阵列自刷新、可编程突发长度和突发类型等功能。
    数据手册

    • 1+

      ￥33.96

    • 200+

      ￥13.14

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      ￥12.68

    • 1000+

      ￥12.45
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    IS42SM32400H 6BLI TR
    型号：IS42SM32400H-6BLI-TR 编号：C2063721
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42SM32400H 是一款128Mb CMOS Synchronous DRAM，组织为4个bank，每个bank有1,048,576字 x 32位。支持3.3V、2.5V和1.8V电源电压，具有完全同步操作、自动刷新、部分阵列自刷新、可编程突发长度和突发类型等功能。
    数据手册

    • 1+

      ￥33.96

    • 200+

      ￥13.14

    • 500+

      ￥12.68

    • 1000+

      ￥12.45
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    IS45S32200L 7TLA2 TR
    型号：IS45S32200L-7TLA2-TR 编号：C2063863
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42S32200L 和 IS45S32200L 是 64Mb 同步动态随机存取内存 (SDRAM)，组织为 524,288 bits x 32-bit x 4-bank。支持高时钟频率（200, 166, 143, 133 MHz），单 3.3V 电源供电，LVTTL 接口，可编程突发长度（1, 2, 4, 8, 全页）和 CAS 延迟（2, 3 个时钟周期）。
    数据手册

    • 1+

      ￥34

    • 200+

      ￥13.16

    • 500+

      ￥12.7

    • 1500+

      ￥12.47
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    预售商品
    IS45S16160J 7CTLA1
    型号：IS45S16160J-7CTLA1 编号：C1351453
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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      ￥31.9677

    • 20+

      ￥30.6682

    • 100+

      ￥29.8885

    • 200+

      ￥29.1088

    • 500+

      ￥28.589
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    IS42S83200J 7TL TR
    型号：IS42S83200J-7TL-TR 编号：C2065071
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

    • 1+

      ￥34.49

    • 200+

      ￥13.35

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      ￥12.88

    • 1500+

      ￥12.65
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    预售商品
    512K Words x 16 Bits x 2 Banks同步动态随机存取存储器
    型号：IS42VS16100C1-10T-TR 编号：C20455626
    封装：50-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)
    16Mb Synchronous DRAM，512K Words x 16 Bits x 2 Banks。完全同步，所有信号参考正时钟沿。两个bank可以同时独立操作。支持可编程突发长度 (1, 2, 4, 8, 全页) 和可编程 CAS 延迟 (2, 3 个时钟周期)。

    • 1+

      ￥34.49

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      ￥13.76

    • 500+

      ￥13.31

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      ￥13.08
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    IS42S16160J 6BL TR
    型号：IS42S16160J-6BL-TR 编号：C2064932
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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      ￥34.92

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      ￥13.04

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      ￥12.81
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    预售商品
    IS45S16160J 7TLA1
    型号：IS45S16160J-7TLA1 编号：C1351596
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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      ￥34.92

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      ￥13.04

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    IS42SM16800H 6BLI
    型号：IS42SM16800H-6BLI 编号：C1351469
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42SM16800H-6BLI 是一款134,217,728位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank有2,097,152字 x 16位。支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。具有内部4个bank操作、自动刷新和自刷新功能。支持突发读取单写操作，所有引脚与LVCMOS接口兼容。
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    IS42RM16800H 6BLI
    型号：IS42RM16800H-6BLI 编号：C1351549
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    组织为4个bank，每个bank有2,097,152字 x 16位。支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。具有内部4个bank操作、自动刷新和自刷新功能。支持突发读取单写操作，所有引脚与LVCMOS接口兼容。
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